Параметры модулей
№
| Параметры модулей.
| Модули
| 1 корпус
до 80 А
| 2 корпус
до125 А
| 3 корпус до160 А
| | | | | | 1
| Максимально – допустимый средний прямой ток в открытом состоянии, при температуре корпуса 85 °С
I F (AV) не более А
| 25 - 100
| 110 - 125
| 160
| | | | | | 2
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение, U RRM
повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии U DRM
при максимально-допустимой температуре перехода. V
| 400 - 1600
| 400 - 1600
| 400 - 1600
| | | | | | 4
| Критическая скорость нарастания анодного напряжения du / dt
V/ µS
| 20 - 1000
| 20 - 1000
| 20 - 1000
| | | | | | 5
| Электрическая прочность изоляции U IBM
не более V
| 2500
| 2500
| 2500
| | | | | | 6
| Отпирающий ток при температуре окружающей среды 25 °С
ma
| 15?80
| 15?80
| 15?80
| | | | | | 7
| Максимально допустимая температура p-n перехода T JM
Для МТТ МТОТО не более °С
Для МДД не более °С
| +125
+150
| +125
+150
| +125
+150
| | | | | | 8
| Температура корпуса
Для МТТ и МТОТО
не более °С
| +85
| +85
| +85
| | | | | | 9
| Минимально-допустимая температура перехода T jmin ° С
| - 50
| - 50
| - 50
| 10
| Импульсное прямое напряжение
U FM для диодных модулей
не более V
| 1,35
| 1,25
| 1,25
| 11
| Импульсное прямое напряжение в открытом состоянии для тиристорных и оптотиристорных модулей U TM
не более V
| 1,75
| 1,75
| 1,75
| 12*
| Максимально-допустимая температура основания, при эксплуатации, для МДД ° С
для МТТ и МТОТО ° С
| 100
70
| 100
70
| 100
70
|
|
* Для безотказной работы модулей, в течении всего срока эксплуатации, необходимо строго соблюдать требование пункта 12 таблицы, т. е создавать такие условия охлаждения модуля, при которых температура основания не должна превышать значений, указанных в таблице п12.
