РАЗРАБОТКА МЕТОДОЛОГИИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ОПТИМИЗАЦИИ ПАРАМЕТРОВ ГИС И МИС СВЧ
1, 1, 2
1 МГТУ им. , 105005, Москва, 2-я Бауманская ул., д.5
2, 194156, г. Санкт-Петербург, пр. Энгельса, д.27
Целью исследования является повышение показателей серийнопригодности и надежности гибридных и монолитных интегральных схем (ГИС и МИС) СВЧ диапазона. Элементная база современных МИС строится на основе многослойных полупроводниковых гетероструктур.
Актуальность исследования обусловлена широтой применения ГИС и МИС СВЧ в радиоэлектронике. Это сотовая связь, волоконно-оптическая связь, потребительская электроника, связанная с цифровым ТВ, автомобильные радары, спутниковая связь, беспроводная связь широкополосного доступа, радиолокаторы на активных фазированных антенных решетках и др.
Задача повышения серийнопригодности ГИС и МИС СВЧ, характеризуемая процентом выхода годных изделий, традиционно решается либо расширением полей допусков на электрические параметры устройства, что требует пересмотра тактико-технических характеристик аппаратуры, либо перестройкой технологического процесса производства и приобретением более точного технологического оборудования, что влечет за собой значительные материальные затраты. Предлагаемый в исследовании путь требует изменения сложившейся методологии проектирования конструкции ГИС и МИС и учета на этапе проектирования технологических факторов и не связан с пересмотром допусков на функциональные параметры устройства и затратами на совершенствование технологий их производства.
Проблема повышения надежности устройств на основе ГИС и МИС СВЧ решается обычно либо путем совершенствования технологического процесса производства, либо защиты от внешних воздействий при эксплуатации. Первый путь сопряжен со значительными материальными затратами, поскольку требует применения более совершенного технологического оборудования для формирования микро и наноструктур. Второй путь приводит к необходимости увеличения массы и габаритов аппаратуры. Предлагаемый в проекте подход к обеспечению надежности ГИС и МИС СВЧ не требует ни более совершенного оборудования, ни совершенствования технологической оснастки. Изменения вносятся в параметры гетероструктуры (и, возможно, в технологический маршрут ее производства) и топологию микросхемы, не затрагивая ее массо-габаритных характеристик. Методической базой для решения задачи повышения надежности ГИС и МИС СВЧ является исследование физических процессов деградации гетероструктуры полупроводникового элемента под действием внешних факторов и развитием методов технологической оптимизации.
Внедрение предлагаемой методологии в практику проектирования ГИС и МИС СВЧ позволит получить снижение себестоимости на величину до 30 % и повышение надежности при заданных ограничениях на показатели назначения в условиях серийного производства изделий. Предлагаемый подход является принципиально новым и не имеет аналогов в мировой практике.
Контактный телефон: (499) 249-08-69
Ученая степень (звание): д. т.н.
Место работы: МГТУ им. , профессор
Адрес: 105005, Москва, 2-я Бауманская ул., д.5
E-mail ooo. *****@***com
Контактный телефон: (499) 249-08-69
Ученая степень (звание): к. т.н., доцент
Место работы: МГТУ им. , доцент
Адрес: 105005, Москва, 2-я Бауманская ул., д.5
Контактный телефон: -
Ученая степень (звание):к. т.н.
Место работы: генеральный директор
Адрес: 194156, г. Санкт-Петербург, пр. Энгельса, д.27
Только публикация
