Сканирующий (растровый) электронный микроскоп Phenom позволяет получать изображение поверхности образца с очень большим разрешением. Он предназначен для проведения исследований микро - и наноструктур поверхности исследуемого образца. Так возможно изучение морфологии поверхности, проведение измерений размеров, формы, ориентации и других параметров микро - и нанообъектов в диапазоне размеров от нескольких сантиметров до десятков нанометров с увеличением до 24,000х. FEI Phenom обеспечивает связующее звено между электронной и световой микроскопией, предлагая лучшее от обеих путем комбинации световой и электронно-оптической технологий в одну интегрированную, легкую в обращении микроскопную систему.
Принцип действия сканирующего электронного микроскопа
Сканирующая электронная микроскопия на базе прибора FEIPhenom представляет собой метод визуализации морфологии поверхности твердотельных структур. Метод заключается в облучении поверхности образца сфокусированным потоком электронов (первичные электроны). В результате взаимодействия этих электронов с поверхностью исследуемого образца возникают низкоэнергетичные вторичные электроны, интенсивность излучения которых детектируется. Вторичные электроны возникают за счет отрыва слабо связанных с атомами электронов (из зоны проводимости) в результате передачи первичными электронами части своей энергии. Обычно они обладают небольшой энергией (порядка 50 эВ). Так как энергия вторичных электронов невелика, их выход возможен только с приповерхностных слоев материала (менее 10 нм), поэтому они очень чувствительны к состоянию поверхности (минимальные изменения отражаются на количестве собираемых электронов). Таким образом, возможно получить информацию о рельефе исследуемой зоны образца.
