ВАРИАНТ №1
1.Сопротивление увеличивается при нагревании у 1)ртути, германия, железа; 2) азота, ртути, железа;
3)ртути, железа, цинка; 4)цинка, германия, азота.
2.При добавлении донорной примеси в кремний его проводимость становится 1)дырочной, а полупроводник становится полупроводником р-типа; 2) электронной ,а полупроводник становится полупроводником n-типа;
3) электронной, а полупроводник становится полупроводником р-типа;
4)дырочной ,а полупроводник становится полупроводником n-типа.
3.Валентность фосфора равна 5.Его можно использовать в качестве
1)донорной примеси; 2) акцепторной примеси; 3) полупроводника.
4. Если р-n-переход надо закрыть, следует область n-типа подключить к
1)отрицательному полюсу источника тока; 2) положительному полюсу источника тока.
5. В качестве выпрямителя можно использовать 1)транзистор; 2)светодиод; 3)диод
ВАРИАНТ №2
1.Сопротивление уменьшается при охлаждении у 1) германия, железа; 2)кремния, железа;
3)ртути, цинка; 4)кремния, германия.
2. В полупроводниках n-типа имеется 1) донорная примесь, в результате чего проводимость становится дырочной ;
2) донорная примесь, в результате чего проводимость становится электронной ;
3) акцепторная примесь, в результате чего проводимость становится дырочной ;
4) акцепторная примесь, в результате чего проводимость становится электронной.
3.Преимущественно дырочную проводимость полупроводнику обеспечит введение
1) акцепторной примеси с валентностью <4; 2) акцепторной примеси с валентностью >4;
3) донорной примеси с валентностью <4; 4) донорной примеси с валентностью >4; .
4. Если р-n-переход надо открыть, следует область n-типа подключить к
1)положительному полюсу источника тока; 2) отрицательному полюсу источника тока.
5. Односторонней проводимостью обладает 1)транзистор; 2)светодиод; 3)диод
ВАРИАНТ №3
1.Сопротивление увеличивается при охлаждении у 1)ртути, германия; 2) ртути, железа;
3)германия, кремния; 4)кремния, железа.
2.При добавлении акцепторной примеси в германий его проводимость становится 1)дырочной, а полупроводник становится полупроводником n-типа; 2) дырочной, а полупроводник становится полупроводником р-типа;
3) электронной, а полупроводник становится полупроводником р-типа;
4) электронной ,а полупроводник становится полупроводником n-типа.
3.Валентность индия равна 3.Его можно использовать в качестве 1)акцепторной примеси; 2)донорной примеси.;
3) полупроводника.
4. Если р-n-переход надо открыть, следует область р-типа подключить к
1)отрицательному полюсу источника тока; 2) положительному полюсу источника тока.
5. В качестве усилителя можно использовать 1)диод; 2)светодиод; 3)транзистор.
ВАРИАНТ №4
1.Сопротивление уменьшается при нагревании у 1) германия, железа; 2) цинка, железа;
3)кремния, германия; 4)ртути, цинка;
2. В полупроводниках р-типа имеется 1) донорная примесь, в результате чего проводимость становится дырочной ;
2) акцепторная примесь, в результате чего проводимость становится дырочной ;
3) донорная примесь, в результате чего проводимость становится электронной ;
4) акцепторная примесь, в результате чего проводимость становится электронной.
3.Преимущественно электронную проводимость полупроводнику обеспечит введение
1) донорной примеси с валентностью >4; 2) акцепторной примеси с валентностью >4;
3) донорной примеси с валентностью <4; 4) акцепторной примеси с валентностью <4.
4. Если р-n-переход надо закрыть, следует область р-типа подключить к
1)положительному полюсу источника тока; 2) отрицательному полюсу источника тока.
5. Устройством с двумя р-n-переходами является 1)светодиод; 2) диод; 3) транзистор
