Реферат по курсу: Импульсная техника тема: Логические элементы
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
АНГАРСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ ТЕХНИЧЕСКАЯ АКАДЕМИЯ
ФАКУЛЬТЕТ ТЕХНИЧЕСКОЙ КИБЕРНЕТИКИ
КАФЕДРА ПРОМЫШЛЕННОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНОЙ ТЕХНИКИ
РЕФЕРАТ
по курсу: Импульсная техника
тема: Логические элементы
Выполнил
Студент гр. ПЭ- 98- 1
ФИРСОВ Д. В.
Приняла:
КУРЧЕНКО О. А.
Должность: ст преподаватель
Подпись:____________
Оценка:
Ангарск 2001 г.
Содержание
Введение 2
Параметры логических интегральных микросхем 3
Диодно-транзисторная логика 3
Транзисторно-транзисторные логические элементы 4
Базовые логические элементы эмиторно-связной логики 8
Принцип действия и функциональные возможности БЛЭ ЭСЛ. 10
СХЕМОТЕХНИКА БЛЭ КМОП-ТИПА 11
БЛЭ Интегрально-инжекционной логики 13
Список используемой литературы 15
Введение
В большинстве современных ЭВМ и цифровых устройствах различного назначения обработка информации происходит с помощью двоичного кода, когда информационные сигналы могут принимать только два значения: 1 и 0. Операции по обработке двоичной информации выполняют логические элементы.
Используя набор логических элементов, выполняющие элементарные логические операции И, ИЛИ, НЕ, можно реализовать в двоичном коде любую сложную логическую функцию.
Параметры логических интегральных микросхем
Входное U1вх и выходное U1вых напряжение логической единицы – значение высокого уровня напряжения на входе и выходе микросхемы; Входное U0вх и выходное U0вых напряжение логического нуля – значение низкого уровня напряжения на входе и выходе микросхемы; Входной I1вх и выходной I1вых токи логической единицы, входной I0вх и выходной I0вых токи логического нуля; Логический период сигнала
, пороговое напряжение Uпор вх – напряжение на входе, при котором состояние микросхемы изменяется на противоположное; Входное сопротивление логической ИМС – отношение приращения входного напряжения к приращению входного тока (различают R0вх и R1вх), выходное сопротивление – отношение приращения выходного напряжения к приращения выходного тока (различают R0вых и R1вых); Статическая помехоустойчивость – максимально допустимое напряжение статической помехи по высокому U1пом и низкому U0пом уровням входного напряжения, при котором еще не происходят изменения уровня выходного напряжения микросхемы; Средне потребляемая мощность Pпотр ср = (P0потр + Р1потр)/2 , где P0потр и Р1потр – мощности, потребляемые микросхемой в состоянии соответственно логического нуля и единицы на выходе; Коэффициент объединения по входу Коб, показывающий, какое число аналогичных логических ИМС можно подключить к входу данной схемы, и определяющий максимальное число входов логической ИМС; Коэффициент разветвления по входу Кразв, показывающий какое количество аналогичных нагрузочных микросхем можно подключить к выходу данной ИМС, и характеризующий нагрузочную способность логической ИМС.
Диодно-транзисторная логика
