Лабораторная работа № 3
Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером
Цель работы: снятие и анализ входных и выходных характеристик; определение по ним h-параметров.
Приборы и оборудование:
Транзистор VТ1 типа МП42. Резисторы R1 и R2. Амперметр РА1 и РА2. Вольтметры РV1 и РV2. Проводники.Схема опыта: Рис.1. Схема исследования транзистора.
Порядок деятельности:
1. Зарисовать схему исследования, изображенную на рис. 1. Выписать из справочника (2) параметры транзистора VТ1 типа МП42: Fб, h21оэ, Uкэmax, Iкmax Ркmax.
2. Включить питание и приборы.
3. Снять входную статическую характеристику транзистора Iб= f(Uбэ) для двух значений Uкэ. Для этого установить необходимое значение Uкэ потенциометром R2 по РV2 и поддерживать его неизменным при снятии характеристики. Напряжение Uбэ изменять потенциометром R1 по РV1. Следить за изменением тока Iб по РА1. Результаты измерений занести в таблицу 1.
4. Снять входную статическую характеристику транзистора Iк= f(Uкэ) для трех значений тока Iб. Для этого установить необходимое значение Iб потенциометром R1 по РА1 и поддерживать его неизменным при снятии характеристики. Напряжение Uкэ изменять потенциометром R2 по РV2. Следить за изменением тока Iк по РА2. Результаты измерений занести в таблицу 2.
5. По данным таблиц 1 и 2 построить в координатных осях графики входных и выходных характеристик транзистора.
6. Выбрать рабочую точку на входных и выходных характеристиках.
7. Выполнить построения на входных и выходных характеристиках для определения h-параметров транзистора.
Рассчитать по входным характеристикам h11, h12; по выходным h21, h22 по формулам:
h11 = 
; h12 = 
; h21 = 
; h22 = 
.
8. Определить в рабочей точке электрические параметры: Iб0, Iк0, Uбэ0, Uкэ0.
9. Составить отчет.
Таблица 1 Результаты измерений - Iб= f(Uбэ) при Uкэ = const.
Uкэ = 0 В | Uбэ, B | 0 | 0,1 | 0,2 | 0,3 | 0,4 | 0,5 |
Iб, мA | |||||||
Uкэ = 9 В | Uбэ, B | ||||||
Iб, мA |
Таблица 2 Результаты измерений – Iк= f(Uкэ) при Iб = const.
Iб = 0,1 мA | Uкэ, B | 0 | 2 | 4 | 6 | 8 | 10 |
Iк, мA | |||||||
Iб = 0,2 мA | Uкэ, B | 0 | 2 | 4 | 6 | 8 | 10 |
Iк, мA | |||||||
Iб = 0,3 мA | Uкэ, B | 0 | 2 | 4 | 6 | 8 | 10 |
Iк, мA |
Контрольные вопросы.
- Назовите особенности схемы включения с ОЭ. Почему h21э значительно больше 1? Чем объяснить увеличение входного сопротивления транзистора в схемы с ОЭ. Какие параметры транзистора характеризуют его рабочую точку? Каков физический смысл h-параметров? Почему схема с ОЭ наиболее распространена?
