2
В 2,3 раза больше чипов с одной пластины
Немецкая компания Infineon Technologies сообщила о значительном достижении в области производства силовых полупроводников: ей удалось создать функционирующие чипы из карбида кремния (SiC) на кремниевых пластинах диаметром 300 мм. Испытания проводились на заводе в австрийском Филлахе с использованием оборудования, которое уже применяется для производства стандартных кремниевых микросхем. По информации компании, это первая такая демонстрация в условиях полноценного промышленного производства. Переход к более крупным пластинам позволит получать на одной заготовке в 2,3 раза больше чипов по сравнению с текущим форматом 200 мм.
Одновременно Infineon протестировала технологию Cold Split на 300-миллиметровых пластинах из карбида кремния на своем заводе в Дрездене. Эта технология позволяет отделять пластины от исходного кристалла быстрее и с меньшими потерями материала, чем традиционные методы резки. В сочетании с возможностью использовать существующее производственное оборудование, это может снизить затраты и упростить масштабирование производства. В данный момент компания планирует продолжить развитие технологии и обсудить с партнерами сроки ее внедрения в серийное производство, не отказываясь при этом от дальнейшего развития линейки пластин формата 200 мм.
Силовые компоненты на основе карбида кремния пользуются высоким спросом в электромобилях, зарядных станциях, системах накопления энергии и промышленном оборудовании. Они обеспечивают более эффективное преобразование электричества и могут выдерживать высокие напряжения и температуры. Еще одно многообещающее направление — дата-центры для искусственного интеллекта, где такие чипы могут использоваться в источниках питания, твердотельных трансформаторах и автоматических выключателях.
Источник