Фирма «Группа-кремний» (стр. 4 )

ГРУППА КРЕМНИЙ

ТРАНЗИСТОРЫ

Составные биполярные транзисторы

Обозначения	Аналог	Струк-­ тура	Рк mах, Вт	Uкб max, В	Uкэ max, В	Uэб max, В	Ik max, A	h21е	ukэ нас. при	fгр, МГц	Тип корпуса
В	Iк, A	Iб, А
КТ8171А		NPN	100	350	350	5	20	10000	2,3	8	0,01	10	TO-218
КТ8171Б				200	200								(KT-43)
													Трехкаскад-­
													ный состав-
													ной тран-зис-
													зистор
КТ8196А		NPN	100		350	5	10	400	1,8	6	0,06	30	ТО-220
КТ8196Б					300								(КТ-28)
КТ8196В					250
КТ8218А		NPN	30	40	40	5	4	750	2	2	0,008	25	ТО-251
КТ8218Б				60	60
КТ8218В				80	80
КТ8218Г				100	100
КТ8219А		PNP	30	40	40	5	4	750	2	2	0,008	25	ТО-251
КТ8219Б				60	60
КТ8219В				80	80
КТ8219Г				100	100
КТ8231А	BU941Z	NPN	180		350- 500	5	15	300	1,8	10	0,025		ТО-3 (КТ-9)
КТ8231А1	BU941ZP	NPN	155		350- 500	5	15	300	1,8	10	0,025		ТО-218 (КТ-43)
КТ8231А2	BU941ZPF	NPN	65		350- 500	5	15	300	1,8	10	0,025		ISOWATT (КТ-43-1)
КТД8275А		NPN	125	100	100	5	20		2	10	0,04	15	ТО-3 (КТ-9)
КТ КТД8275Б				80	80								(КТ-9)
КТД8275В				60	60
КТД8276А		NPN	60	100	100	5	8	>750	2	3	0,012	15	ТО-220
КТ КТД8276Б				80	80								(КТ-28)
КТД8276В КТД8276Г				60 45	60 45

12

ГРУППА КРЕМНИЙ

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Тип прибора	Аналог	Pmax, Вт	Ucиmax, B	Uзиmax, B	Icmax, А	Uзипор, В	Rcи, Ом	Корпус
КП922А		60	100	±30	10	2-5	0,2	TO-3
КП922Б							0,4	(КТ-9)
КП922А1		60	100	±30	10	2-5	0,2	TO-220
КП922Б1							0,4	(КТ-28)

13

ГРУППА КРЕМНИЙ

ИЭТ для поверхностного монтажа

Биполярные транзисторы в корпусе SOT-89
Условное обозначе ние изде- лия	Аналог	Струк- тура	Максимально допустимые значе- ния параметров	Электрические характеристики при Т = 25 °С
Iк max, A	Uкэо гр, В	Uкб max, B	Рк max, Вт	h21a при при ри	Uкэнас max, B	при	f rp МГц МГц
min	max	Ik, A	Uкэ, B	Iк, А	Iб, А
КТ664А9	ВСХ53	pnp	1	80	120	1	40	250	0,15	2	0,35	0,15	0,015	50
КТ664Б9	ВСХ52	pnp	1	60	100	1	40	250	0,15	2	0,35	0,15	0,015	50
КТ665А9	ВСХ56	npn	1	80	120	1	40	250	0,15	2	0,35	0,15	0,015	50
КТ665Б9	ВСХ55	npn	1	60	100	1	40	250	0,15	2	0,35	0,15	0,015	50
КТ666А9	BF621	npn	0,2	250	300	1	50	-	0,005	10	0,8	0,01	0,002	60
КТ667А9	-	pnp	0,2	250	300	1	50	-	0,005	10	0,8	0,01	0,002	40
КТ9144А9	-	pnp	0,05	300	500	1	20	150	0,01	10	0,6	0,01	0,001	30
КТ9145А9	-	npn	0,05	300	500	1	20	150	0,01	10	1,0	0,01	0,001	50

Мощные биполярные транзисторы в корпусе TO-252
Условное обозначение изделия	Аналог	Структура	Максимально допустимые значения параметров при Т = 25°С	Электрические характеристики при Т = 25"С
Iкmax, A	Uкэо гр, В	Uкб max, B	Ркma Вт	h21э при при	Uкэнас max, B	при	fгр. min, МГц
min	max	Iк, А	Uкэ, В	Iк, А	Iб, А
Ц-340 Ц-350	MJD 340 MJD 350	npn pnp	0,5 0,5	300 300	300 300	15 15	30 30	240 240	0,05 0,05	1,0 1,0	-	-	-	10 10
Ц-630	КТ630А	npn	1	90	120	15	40	120	0,15	10	0,3	0,15	0,015	50
Ц-5731	MJD 5731	рпр	1	350		15	35 30 10	- 175 -	01 0,3 1	1,0 10 10	1	1	0,2	10
Ц-13003	MJD 13003	npn	1,5	400	700	15	8 5	40 25	0,5 1	2 2	0,5 1 3	0,5 1 1,5	0,1 0,25 0,5	4
КТ8216А1-Г1	MJD31С	npn	10	40 ÷ 100	40 ÷ 100	40	15	275	3	4	1,5	6	0,6	3
КТ8217А1-Г1	MJD32C	рпр	10	40 ÷ 100	40 ÷ 100	40	15	275	3	4	1,5	6	0,6	3
КТ8218А1-Г1	MJD112	npn	4	40÷ 100	40÷ 100	30	750	-	2	3	2	2	0,008	25
КТ8219А1-Г1	MJD117	pnp	4	40÷ 100	40÷ 100	30	750	-	2	3	2	2	0,008	25
КТ8254А1	КТ506А	npn	2	400	800	20	30	-	0,3	5	0,6	0,3	0,03	10
Ц-122	MJD122	npn	8	100	100	20	1000	-	4	4	2	4	0,016	4
Ц-127	MJD 127	рnp	8	100	100	20	1000	-	4	4	2	4	0,016	4
Ц-3055	MJD3055	npn	10	60	70	40	20	100	4	4	1,1	4	0,4	2
Ц-2955	MJD2955	pnp	10	60	70	40	20	100	4	4	1,1	4	0,4	2
Ц-683	КТ683	npn	1	90	150	20	40	400	0,15	10	0,4	0,15	0,015	40
Ц-837Х	КТ837Х	pnp	7,5	85	85	30	15	-	4	1	0,5	2	0,5	1

Мощные биполярные транзисторы в корпусе ТО-263
Условноеобозначе ние изделия	Аналог	Структу-ра	Iк max, A	Uкэо гр, В	Uкбmах, В	Рк mах, Вт	h2lэ при	Uкэнас max, B	при	frp min, МГц
min	max	Ik, A	Uкэ. В	Iк, А	1б, А
КТ8220А-Г КТ8221А-Г	ВD243 ВD 244	npn npn	6 6	40-100 40-100	40-100 40-100	65 65	15 15	75 75	3 3	4 4	1,5 1,5	6 6	0,6 0,6	3 3
С 805	КТ805	npn	10	120	135	30	15	-	2	10	2,0	5	0,5	20
КТ829А□	КТ829	npn	8	120	120	60	750	-	3	3	2,0	5	0,012	4
КТ829АТ□	КТ829	npn	8	120	120	60	850	8000	3	10	1,3	5 5	0,012	4
С 863	BD 945	npn	10	100	160	50	100	-	-	5	0,3	5	0,5	4
С8196	КТ8196	npn	10	350	350	100	400	-	4	5	1,8	6	0,06	30

14

ГРУППА КРЕМНИЙ

ИЭТ для поверхностного монтажа

Тиристоры в корпусе TO-252
Тип прибора	Аналог	Uзс, п, В	loc, А	loc удр, А	Iу от., мА	Iзс, мА	Uос, и, В	Uу, от, В	Rt (п-к), °С/Вт
КУ712А	8TWS06S	600	8	80	8	0,1	1.2	2	3,3
КУ712Б	8TWS08S	800	8	80	8	0,1	1,2	2	3,3
КУ712В	-	1000	8	80	8	0,1	1,2	2	3,3

Тиристоры в корпусе ТО-263
Тип прибора	Uзс, п, В	loc, А	loc удр, А	Iу, от, мА	Iзс, мА	Uос, и В	Uу, от, В	Rт(п-к), "С/вт
КУ709А1	600	16	160	45	0,1	1,4	2	1,6
КУ709Б1	800	16	160	45	0,1	1,4	2	1,6
КУ709В1	1000	16	160	45	0,1	1,4	2	1,6
КУ709Г1	1200	16	160	45	0,1	1,4	2	1,6

Сборки диодов Шоттки в корпусе ТО – 263

ТИП ИЗДЕЛИЯ	МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМОЕ ЗНАЧЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПРИТ=25°С	ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПРИ Т=25°С	t восстанов- ления	ПРИМЕЧАНИЕ
	I max, А	I max и, А	U обр max, В	Uпрямое, В	Не более
КД636АС	2х30	80	Пара диодов Шоттки с общим катодом
2х15	60 120 200 400 600 800 400 600 800	1,2 В при I=15А
КД636БС
КД636ВС
КД636ГС
КД636ДС
КД636ЕС
КД637АС	2х25	2х50	60 120 200 400 600 800	1,4 В при I=25А	80	Пара диодов Шоттки с общим катодом
КД637БС
КД637ВС
КД637ГС
КД637ДС
КД637ЕС
КД638АОС КД638АС КД638БС КД638ВС КД638ГС КД638ДС КД638ЕС	2х5	2х8	30 40 60 90 120 160 200	1,0 В при I=5А		Пара диодов Шоттки с общим катодом

15

ГРУППА КРЕМНИЙ

Бескорпусные транзисторы с гибкими выводами

Структура, тип	UКБО, В	UКЭО, В	IК, А	h21э при	UКЭнас, при	Конструк-тивное исполне-ние
min	IК, А	UК, В	В	IК, А	IБ, А
NPN	PNP
КТ821А -1	КТ820А -1	40	40	0,5	40	0,15	2	0,2	0,5	0,05
КТ821Б -1	КТ820Б -1	60	60	0,5	40	0,15	2	0,2	0,5	0,05
КТ821В -1	КТ820В -1	80	80	0,5	40	0,15	2	0,2	0,5	0,05
КТ823А -1	КТ822А -1	45	45	2	25	1	2	0,6	1	0,1
КТ823Б -1	КТ822Б -1	60	60	2	25	1	2	0,6	1	0,1
КТ823В -1	КТ822В -1	80	80	2	25	1	2	0,6	1	0,1
2Т831В -1	2Т830В -1	60	60	2	25	1	2	0,6	1	0,1
2Т831Г -1	2Т830Г -1	80	80	2	25	1	2	0,6	1	0,1

Примечание: коллектор - основание кристалла

Сборки диодов Шоттки

ТИП ИЗДЕЛИЯ	МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМОЕ ЗНАЧЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПРИТ=25°С	ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПРИ Т=25°С	t восстанов- ления	ПРИМЕЧАНИЕ
	I max, А	I max, импульсное А	U обр. max, В	Uпрямое, В	Не более
КД636АС	2х30	80	Пара диодов Шоттки с общим катодом
2х15	60 120 200 400 600 800 400 600 800	1,2 В при I=15А
КД636БС
КД636ВС
КД636ГС
КД636ДС
КД636ЕС
КД637АС	2х25	2х50	60 120 200 400 600 800	1,4 В при I=25А	80	Пара диодов Шоттки с общим катодом
КД637БС
КД637ВС
КД637ГС
КД637ДС
КД637ЕС
КД638АОС КД638АС КД638БС КД638ВС КД638ГС КД638ДС КД638ЕС	2х5	2х8	30 40 60 90 120 160 200	1,0 В при I=5А		Пара диодов Шоттки с общим катодом

16

ТИРИСТОРЫ

Тип изделия	Uзс, Uобр UDRM, URRM, В	Iзс, Iобр IDRM, IRRM. мА	Iос¸гр/Тк ITAV/Тс, А/ °C	Iос, удр ITSM, A	Iу, от IGT, мА	Uу, от UGT, В	Iуд IР, мА	Uос, п/ Iос, UTM/ ITAV В/A	du/dt, В/мкс	di/dt, А/мкс	Uпор. UT, B	rдин rt. мОм	Rt(n-k). Rthjc. C/ Вт	Корпус
КУ712А Б В	600 800 1000	0,1	8/95	120	15	1	85	1,2/8	200	150	1,011	2724	2	ТО-251
КУ712А1 Б1 В1	600 800 1000	0,1	8/95	120	15	1	85	1,2/8	200	150	1,011	2724	2	ТО-252
КУ712А2 Б2 В2	600 800 1000	0,1	6,5/112	140	15	1	30	1,15/6,5	150	100	0,85	17,3	1,5	ТО-220
КУ712А3 Б3 В3	600 800 1000	0,1	6,5/112	140	15	1	30	1,15/6,5	150	100	0,85	17,3	1,5	ТО-263
КУ709А Б В Г	600 800 1000 1200	0,1	10/95	200	60	2	100	1,4/10	500	150	1,1	24,0	1,3	ТО-220
КУ709А1 Б1 В1 Г1	600 800 1000 1200	0,1	10/95	200	60	2	100	1,4/10	500	150	1,1	24,0	1,3	ТО-263
КУ709А2 Б2 В2 Г2	600 800 1000 1200	0,2	16/90	300	45	2	100	1,25/16	500	150	1,0	12,0	1,1	ТО-220
КУ709А3 Б3 В3 Г3	600 800 1000 1200	0,2	16/90	300	45	2	100	1,25/16	500	150	1,0	12,0	1,1	ТО-263
КУ710А Б В	800 1000 1200	0,3	35/75	500	80	2,5	100	1,45/40	500	100	1,02	10,0	0,6	ТО-218
КУ713А Б В	800 1000 1200	0,3	16/95	300	45	2,0	100	1,25/16	500	100	1,0	12,0	5,0	Isowatt-218
КУ714А Б В	800 1000 1200	0,3	35/75	500	80	2,5	100	1,45/40	500	100	1,02	10,0	5,0	Isowatt-218