Фирма «Группа-кремний» (стр. 1 )

Фирма «ГРУППА-КРЕМНИЙ» пользуется предоставленной возможностью ознакомления Вас с нашей стратегией по производству дискретных полупроводниковых приборов, интегральных схем и силовых модулей.

Наш краткий каталог поможет Вашим конструкторским и коммерческим службам выбрать стандартный полупроводниковый прибор, интегральную схему или модуль соответствующей Вашей отрасли.

Более 200 типов изделий производится предприятием по основным направлениям специализации:

- мощные выпрямительные диоды с обратным напряжением до 1200В;

- тиристоры с напряжением до 1200В и током до 100А:

- мощные биполярные р-n-р и n-р-n транзисторы с областью рабочих напряжений до 800 вольт и составные транзисторы Дарлингтона до 500 вольт;

- интегральные схемы маломощных и мощных стабилизаторов напряжения с выходными токами

до 3 А и встроенными защитами от КЗ и перегрева, в т. ч. с низким проходным напряжением;

- высоковольтные интегральные схемы для управления сетевым напряжением до 400 В;

- интегральные схемы управления импульсными источниками питания с Fраб. до 1 МГц;

- специализированные микросхемы автомобильной электроники для управления зажиганием,

инжекторным питанием и другими системами автомобиля;

- специализированные микросхемы для цифровых телефонных станций;

- специализированные транзисторы и микросхемы для нужд оборонной промышленности;

- силовые модули на основе тиристоров и диодов до 1200В и 100А.

Предприятие обладает современным оборудованием, оригинальными технологиями в области изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией (КСДИ), структур типа "Кремний на диэлектрике" (КНД; SOI), оригинальная технология производства которых имеет ряд "НОУ-ХОУ" и защищена патентами РФ, эпитаксиальных структур, что позволяет вести производство и ежегодно обновлять номенклатуру выпускаемых изделий.

Многие ИЭТ предприятием поставляются в корпусах для поверхностного монтажа типов

SOT-89, ТО-252, ТО-263, SO-8, SO-16.

Высокий научно-технический потенциал, квалифицированные кадры специалистов- разработчиков и производственников, эффективная система подготовки производства, наличие резервов мощностей позволяет в короткие сроки провести разработку и организовать выпуск изделий, необходимых потребителям и отвечающих современным требованиям.

ГРУППА КРЕМНИЙ

«Полупроводниковые приборы,
интегральные микросхемы

и силовые модули»

Краткий каталог

г. Брянск – 2003 г

Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ" (ЗАО "ГРУППА КРЕМНИЙ")

Россия, 03.

Генеральный директор

Тел. 0832 – 41 – 92 – 40 Приемная 0832 – 41 – 43 – 11

Реализация продукции осуществляется через дочернее предприятие ЗАО "Кремний Маркетинг".

Директор .

Тел/– 41 – 85 – 91

Отдел маркетинга тел/– 41 – 91 – 03

E – mail: *****@

Бюро реализации по России:

– 41 – 45 – 07, 41 – 45 – 59

41 – 45 – 55 , 41 – 90 – 05

41 – 91 – 13, 41 – 91 – 14

Бюро реализации по СНГ:

тел. 8 – 107 – 0832 – 41 – 85 – 97, 41 – 45 – 55

Головное разрабатывающее предприятие:

Научно-технический центр схемотехники и интегральных технологий (ЗАО "НТЦ СИТ").

Директор .

– 41 – 48 – 85

– 41 – 42 – 49

E – mail: *****@***ru

www. *****/sit

СОДЕРЖАНИЕ

1. Транзисторы …………………………………………………………………… 1

2. Составные транзисторы ……………………………………………………… 10

3. Полевые транзисторы ………………………………………………………… 13

4. Транзисторы для поверхностного монтажа ……………………………….. 14

5. Диоды Шоттки …………………………………………………………………. 15

6. Бескорпусные транзисторы с гибкими выводами ………………………… 16

7. Тиристоры ………………………………………………………………………. 17

8. Выпрямительные диоды ……………………………………………………… 18

9. Силовые модули ……………………………………………………………….. 19

10. Интегральные схемы для поверхностного монтажа ……………………… 20

11. Интегральные схемы для автомобильной электроники …………………. 21

12. Интегральные схемы линейных стабилизаторов напряжения ………….. 22

13. Интегральные схемы линейных стабилизаторов
с низким проходным напряжением …………………………………………. 25

14.. Интегральные микросхемы управления
импульсными источниками питания ………………………………………. 26

15. Интегральные микросхемы управления нагрузками …………………….. 27

16. Интегральные микросхемы, операционные усилители,
компараторы, детекторы ……………………………………………………. 28

17. Высоковольтные интегральные схемы
для устройств отображения информации …………………………………. 29

18. Интегральные схемы для управления сетевым напряжением ………….. 30

19. Интегральные схемы для телефонии ……………………………………….. 31

20. Корпуса ………………………………………………………………………….. 32

ГРУППА КРЕМНИЙ

ТРАНЗИСТОРЫ

Транзисторы малой и большой мощности.

Обозначения	Аналог	Струк-тура	Рк mах, Вт	Uкб max, В	Uкэ max, В	Uэб max, В	Ik max, A	h21е	ukэ нас. при	fгр, МГц	Тип корпуса
В	Iк, A	Iб, А
2Т208А	ВСY93	PNP	0,2	20	20	20	0,15	20-60	0,3	0,3	0,06	5	TO-18 ( KT-1 )
2Т208Б	20	20	40-120
2Т208В	20	20	8
2Т208Г	30	30	20-60
2Т208Д	30	30	40-120
2Т208Е	30	30	8
2Т208Ж	45	45	20-60
2Т208И	45	45	40-120
2Т208К	45	45	8
2Т208Л	60	60	40-120
2Т208М	60	60	8
КТ209А КТ209Б		PNP	0,2	15 15	15 15	10 10	0,3	20-60 40-120	0,4	0,3	0,03	5	TO-92 (КТ-26 )
КТ209В	15	15	10	8
КТ209Г	30	30	10	20-60
КТ209Д	30	30	10	40-120
КТ209Е	30	30	10	8
КГ209Ж	45	45	20	20-60
КТ209И	45	45	20	40-120
КТ209К	45	45	20	8
КТ209Л	60	60	20	40-120
KT209М	60	60	20	8
КТ3102АМ КТ3102БМ	ВС547А ВС547В ВС548В ВС549С	NPN	0,25	50 50 30 20 30 20 50 50 30	50 50 30 20 30 20 50 50 30	5	0,2	100-200 200-500 100-250 200-500 200-500				200 300 200 200 200	TO-92 (КТ-26)
КТ3102ВМ
КТ3102ГМ
КТ3102ДМ
КТ3102ЕМ
КТ3102ММ
КТ3102ИМ
KT3102KМ
KT3102А2		NPN	0,25	50 50	50 50	5	0,2	100-200				200
КТ3102Б2 КТ3102БМ				50	50
КТ3102В2				30	30			200-500					TO-92
КТ3102Г2				20	20								(КТ-26) *
КТ3102Д2				30	30
KT3102Е2				20	20							300
КТ3102М2 КТ3102БМ				50	50			100-250				200
КТ3102И2				50	50			200-500				200
КТ3102К2				30	30			200-500				200
КТ3107А КТ3107Б	ВС308А	PNP	0,3	50 50	45 45	5	0,1	70-140 120-220				250	TO-92 ( КТ-26 )
КТ3107В				30	25			70-140
КТ3107Г	ВС308А			30	25			120-220
КТ3107Д	ВС308В			30	25			180-460
КТ3107Е				25	20			120-220
КТ3107Ж	ВС309В			25	20			180-460
КТ3107И	ВС307В			50	45			180-460
КТ3107К	ВС308С			30	25			380-800
КТ3107Л	ВС309С			25	20			380-800

* Расположение выводов у КТ3102А2 ÷ К2 - БКЭ в отличие от КТ3102АМ – КТ3102КМ - ЭБК

1
ГРУППА КРЕМНИЙ

ТРАНЗИСТОРЫ

Транзисторы малой и большой мощности.

Обозначения	Аналог	Струк-тура	Рк mах, Вт	Uкб max, В	Uкэ max, В	Uэб max, В	Ik max, A	h21е	ukэ нас. при	fгр, МГц	Тип корпуса
В	Iк, A	Iб, А
КТ3117А1 КТ3117Б1		NPN	0,3	60 70	60 70	4	0,4	40-200 100-300	0,6	0,5	0,05	200	TO-92 ( КТ-26 )
КТ315А1 КТ315Б1		NPN	0,15	25 20	25 20	6		30-120 50-350	0,4 0,4	0,01	0,05	250	TO-92 (КТ-26)
КТ315В1				40	40			30-120	0,4
КТ315Г1				35	35			50-350	0,4
КТ315Д1					40			20-90	0,6
КТ315Е1					35			50-350	0,6
КТ315Ж1			0,1		20			30-250	0,5
КТ315И1			0,1		60			>30	0,9
КТЗ61А2		PNP	0,15	25	25	6	0,1	20-90	0,4	0,02	0,004	250	TO-92
КТ361Б2				20	20		0,1	50-350	0,4				(KT-26)
КТ361В2				40	40		0,1	40-100	0,4
КТ361Г2				40	40		0,1	50-350	0,4
КТ361Д2				40	40		0,05	20-90	1
КТ361Е2				35	35		0,05	50-350	1
КТ361Ж2				10	10		0,05	50-350	1
КТ361И2				15	15		0,05	250	0,4
КТ361К2				60	60		0,05	50-350	0,4
КТ3157А	2SA1320 2SA821	PNP	0,2	250	250	5	0.03	>50				60	TO-92 (KT-26)
2Т3152А 2Т3152Б	ВСУ93	PNP	0,2	50 40	40 30	20 20	0,15	80 80	0,3	0,3	0,06	50	TO-18 (KT-1)
2Т3152В				30	20	20		80
2Т3152Г				50	40	5		100
КТ501А КТ501Б	2N945 2N940	PNP	0,35	15 15	15 15	10 10	0,3	20-60 40-120	0,4	0,3	0,06	5	TO-18 (KT-1)
КТ501В	2N1221			15	15	10		80-240
КТ501Г	2N3677			30	30	10		20-60
КТ501Д				30	30	10		40-120
КТ501Е				30	30			80-240
КТ501Ж				45	45			20-60
КТ501И				45	45			40-120
КТ501К				45	45			80-240
КГ501Л				60	60			20-60
КТ501М				60	60			40-120
КГ502А КТ502В		PNP	0,35	40 40	25 25	5	0,15	40-120 80-240	0,6	0,01	0,001	5	TO-92 (KT-26)
КТ502В				60	40			40-120
КТ502Г				60	40			80-240
КТ502Д				80	60			40-120
КТ502Е				90	80			40-120
КТ503А КТ503Б		NPN	0,35	40 40	26 25	5	0,15	40-120 80-240	0,6	0,01	0.001	5	TO-92 (KT-26)
КТ503В				60	40			40-120
КТ503Г				60	40			40-120
КТ503Д				80	80			40-120
КТ503Е				100	80			40-120

2

ГРУППА КРЕМНИЙ

ТРАНЗИСТОРЫ

Транзисторы малой и большой мощности.

Обозначения	Аналог	Струк-тура	Рк mах, Вт	Uкб max, В	Uкэ max, В	Uэб max, В	Ik max, A	h21е	ukэ нас. при	fгр, МГц	Тип корпуса
В	Iк, A	Iб, А
2Т504А 2Т504Б	2N5663	NPN	10 I	400 250	250 150	6	1	15 15	1	0,5	0,1	20	TO-39 (KT-2)
2Т504В				300	230			15
КТ504А	2N3439	NPN	10	400	250	6	1	15	1	0,5	0,1	20	TO-39
КТ504Б	2N3440			200	150								(KT-2)
КТ504В				300	230
2Т505А 2Т505Б		PNP	5	300 250	250 200	5	1	25 25	1,8 1,8	0,5	0,1	20	TO-39 (KT-2)
2Т505В				300	200		0,02	15	1	0,001	0,0001	5
КТ505А	BFT1913	PNP	5	300	250	5	1	25	1,8	0,5	0,1	20	TO-39
КТ505Б КТ505В			5	250 250	250 200	5	1	>25 25	1,8	0,5	0,1	20	( KT-2)
2Т506А 2Т506Б	МРТ 315	NPN	10			5	2	30 30	0.6	0,3	0.03	10	TO-39 (KT-2)
КТ506А КТ506Б	BUX 54 2N3439	NPN	10			5	2	30 30	0,8	0,3	0,03	10	TO-39 (KT-2)
КТ509А		PNP	1	500	450	5	0,02	>10				10	TO-39 (KT-2)
КТ КТ529А		PNP	0,5	80	60	4	1	>180	0,2	0,3	0,01		TO-92 (KT-26)
КТ530А		NPN	0,5		60	4	1	>180	0,2	0,3	0,01		TO-92 (KT-26)
2Т630А 2Т630Б	2N2405	NPN	0,8		90 80	7	1	40-120 80-240	0,3	0,15	0,015	50	TO-39 (KT-2)
КТ630А КТ630Б	2N1711	NPN	0,8		90 80	7	1	40-120 80-240	0.3	0.15	0,015	50	TO-39 (KT-2)
КТ630В				150	80			40-120
КТ630Г				100	60			40-120
КТ630Д				60	40			80-240
КТ630Е				60	40			160-480
КТ602АМ КТ602БМ		NPN	0,85	120	70	5	0,075	20-80 50-200	3	0,055	0,005	150	TO-126 (KT-27)
КТ626А КТ626В		PNP	9	45* 60*	45 60	5	0,5	40-250 30-100	1	0.5	0,1	75 75	TO-126 (KT-27)
КТ626В				80*	80			15-45				75
КТ626Г				20*	20			15-80				45
КТ626Д				20*	20			40-250				45
КТ639А КТБ39Б		PNP	1	45* 45*	45 45	5	1,5	40-100 63-160	0,5	0,5	0,05	80	TO-126 (KT-27)
КТ639В				45*	45			100-250
КТ639Г				60*	60			40-100
КТ639Д				60*	60			63-160
КТ639Е				100*	100			40-100
КТ639Ж				100*	100			63-160
КТ639И				30*	30			180-400
КТ644А КТ644Б		PNP	12,5	60 60	60 60	5	0,6	40-120 100-300	0,4	0,15	0,015	200	TO-126 (KT-27)
КТ644В				40	40			40-120
КТ644Г				40	40			100-300

3