Многофункциональные элементы оптоэлектроники на основе симметричных фоторезисторных структур (стр. 3 )

, (32)

где А - const, зависящая от типа и параметров полупроводника, амплитуды напряжения; b- параметр, который изменятся от 0 до 1 в зависимости от уровня и вида инжекции. Если , то это соответствует квадратичному закону инжекции. Выражение (32) справедливо при , где -время диэлектрической релаксации. На рис.8 представлена зависимость КНИ от уровня инжекции .

Рис. 8. Зависимость коэффициента нелинейных искажений S

от уровня инжекции b

В случае кубического закона КНИ может достигать 80%. Следовательно, для обеспечения малых нелинейных искажений, необходимо избегать таких режимов работы.

Шестая глава посвящена технологии изготовления и исследованию порошковых электролюминесцентных структур, совмещающих в себе функции источника излучения и оптической памяти.

В настоящее время исследователи в основном заняты изучением плёночных ЭЛК, полученных методом эпитаксии на подложке. Такие ЭЛК обладают более высокими параметрами, чем порошковые. Основной недостаток пленочных ЭЛК является малая площадь излучения и сложность изготовления. Устаревшая технология изготовления порошковых ЭЛК - главное препятствие их применения и совершенствования. Поэтому нами была разработана новая конструкция и технология изготовления порошковых ЭЛК, совместимая с технологией применяемой в микроэлектронике, описание которой приведено во второй главе. Новые порошковые ЭЛК обеспечили высокую повторяемость результатов и возможность исследования электролюминесценции в отсутствии связующего. Высокое качество современных порошковых люминофоров, простота разработанной нами технологии изготовления ЭЛК на их основе, высокая светоотдача, сравнимая с плёночными ЭЛК, делают перспективными порошковые ЭЛК для создания различных устройств на их основе.

Эффективность процессов электролюминесценции, как показывает эксперимент, зависит как от величины приложенного напряжения, так и от скорости изменения напряжения. В литературе отсутствует теоретический анализ этого процесса. Из проведенных нами экспериментов видно (рис. 9), что мгновенное значение интенсивности люминесценции вспышки включения резко изменяется при изменении длительности фронта нарастания. Время нарастания ()свечения у вспышки включения всегда заканчивается в момент (Т) прекращения нарастания импульса напряжения (рис. 9).

Рис. 9. Осциллограммы свечения люминофора ЭЛ-515 при различной длительности фронта нарастания импульса напряжения tи для импульса включения (U0 = 299В, Т = 5,7·10-3с, Т1 = 2,9·10-3с) и значения энергии излучения W за период: 1 − W=23 отн. ед., tи=10мкс; 2 − W=23 отн. ед., tи=40мкс

Из этого факта следует, что должна выполняться следующая зависимость между скоростью генерации и скоростью изменения напряжения:

, (33)

где , – непрерывная функция, пропорциональная вероятности ионизации полем; – значение напряжения в данный момент времени; Up - пороговое напряжение, соответствующее началу процесса ионизации.

Соотношение (33) верно при . Покажем, что в этом случае энергия излучения не будет зависеть от длительности фронта импульса, а будет определяться только значением порогового напряжения и максимальным значением напряжения в импульсе. Известно, что

, где , (34)

поэтому:

. (35)

Здесь N* − число ионизованных центров свечения, tп − время достижения напряжения величины, равной пороговому, − время окончания процесса ионизации. , где Т– время нарастания напряжения до U0, g − квантовый выход. , так как . Из (35) следует, что энергия вспышки зависит от значения порогового напряжения () и максимального значения напряжения (). Из (33, 34, 35) при , получим:

. (36)

Из (36) следует известный экспериментальный закон , реализующийся при линейном нарастании приложенного напряжения . Проведенный эксперимент показал, что зависимости, построенные в координатах , для люминофора ЭЛ-515 и для люминофора ЭЛ-525 при различных частотах переменного напряжения, являются линейными. Следовательно, зависимость энергии W (яркости В) от напряжения в произвольном случае должна иметь вид:

. (37)

Выражение для скорости генерации, согласно (37), равно:

. (38)

Согласно проведенным экспериментам, энергия вспышки включения равна энергии вспышки выключения при и . Используя этот результат и выражения для скорости ионизации полем (33) и (38) нами получено дифференциальное уравнение процесса кинетики при условии, что :

, (39)

где − функция, характеризующая скорость рекомбинации свободных носителей на центры свечения. Используя равенство (39), с учетом переходных процессов в цепи, содержащей активное сопротивление и емкость, получим:

, (40)

где – интенсивность свечения люминофора в единицах квант/с. Полагая, что в максимуме , и пренебрегая в уравнении (40) слагаемым , получим выражения для положения максимума и сдвига максимума свечения от амплитуды импульса с учетом ():

, , (41)

где m = соnst. На рис. 10(А, Б) построены теоретические (1) и экспериментальные (2) зависимости сдвига максимума свечения от приложенного напряжения при неизменном RC для люминофоров ЭЛ-515 и ЭЛ-525 соответственно.

Рис.10. Зависимость tmax от напряжения U02.

А - ЭЛ-515, Б - ЭЛ-525. При (s-2)RC=20мкс., U01 =180В

Величина была рассчитана из экспериментальных кривых. Хорошее совпадение экспериментальных и теоретических кривых, построенных по формуле (41), является доказательством правильности соотношения (40).

Полученные выражения для скорости генерации позволили сделать вывод о причинах различия вспышек включения и отключения. Если , то вспышка включения должна превышать вспышку выключения. Если , то вспышка включения будет меньше вспышки выключения.

Для исследования зонной структуры порошковых люминофоров с рекомбинационным типом свечения нами предложен метод ТСЕ (рис. 11).

Рис. 11. А – Конструкция планарного электролюминесцентного конденсатора. Б – Эквивалентная схема структуры: 1 − алюминиевые электроды, 2 − ситалловая подложка, 3 − слой люминофора, 4 − слой диэлектрика

На основе соотношения было получено выражение для ёмкости слоя люминофора () в нашей структуре:

, (42)

где х2 - доля объема слоя, занимаемого люминофором; С0 - геометрическая емкость области занимаемой люминофором; А, В-величины зависящие от величины приложенного напряжения, геометрических размеров структуры; -концентрация свободных носителей в кристаллах люминофора. Концентрация свободных носителей является функцией температуры ns= ns(T). Определяя максимум функции Сл. экв(T) из выражения (42) получаем, что , если . Это условие совпадает с условием максимума термостимулированной проводимости (ТСП). Следовательно, для расчета глубины центров захвата, можно использовать соотношения, применяемые при расчетах по кривым ТСП. Метод ТСЕ может быть использован только для люминофоров с рекомбинационным типом свечения. В люминофорах ЭЛ-515, ЭЛ-525 и КО-530 методом ТСЕ обнаружены глубокие центры захвата (более 0,78эВ), которые из-за температурного тушения не проявляются при термовысвечивании (ТВ). На рис. 12 приведены кривые ТВ и ТСП для люминофора ZnS-In. На кривой ТВ у люминофора ZnS-In в области низких температур проявляется три пика при Т1 = –160 0С, Т 2 = –88 0С, Т 3 = –45 0С, а в области высоких температур – один пик при Т4= +110 0С, причем пик при температуре Т1 является сложным. Глубины залегания центров захвата равны соответственно Е1 = 0,24эВ, Е2= 0,398эВ, Е3= 0,49эВ и Е4 =0,8эВ. На кривой ТСЕ наблюдается два пика в высокотемпературной области при Т =+1280С (0,78эВ) и в низкотемпературной – Т=–200С (0,49эВ). Из кривых ТСЕ следует, что в низкотемпературной области термическое опустошение ловушек не сопровождается появлением свободных носителей, следовательно, центры захвата должны иметь возбужденные состояния, находящиеся в запрещенной зоне. Впервые с помощью емкостного метода изучены явления перераспределения зарядов по уровням локализации у люминофора ZnS-In (рис. 13, рис. 14).

Рис. 12. Кривые ТВ (1) и ТСЕ (2) люминофора ZnS-In (f=5кГц)

Рис. 13. Кривые ТВ для люминофора ZnS-In измеренные после возбуждения при Т=1100С (1) и облучении ИК светом 0,7 мкм при −196 0С (2)

Рис. 14. Кривые ТСЕ для люминофора ZnS-In измеренные после возбуждения при Т=1100С (1) и облучении ИК светом 0,7 мкм при −196 0С (2)

Рис. 15. Зонная схема люминофора ZnS-In

По кривым ТВ и ТСЕ обнаружено, что переселение зарядов с уровня Е1= 0,398 эВ (-88 °С) на уровень Е2= 0,29 эВ (-138 °С) осуществляется без перехода в зону проводимости. На кривых ТСЕ (рис.14) не наблюдались максимумы в этой области температур, соответствующих максимумам Т (рис.13). На основе этого вывода была уточнена энергетическая зонная схема данного люминофора, в которой центры с энергиями Е1 и Е2 не имеют возбужденного состояния в зоне проводимости (рис.15). Таким образом, анализ процессов переноса зарядов с одних мест локализации на другие, а также кривых ТВ и ТСЕ позволяет уточнять зонную схему различных порошковых люминофоров.

В качестве устройств оптической памяти нами были использованы полученные ЭЛК. Если после прекращения освещения отключить напряжение и замкнуть контакты возникает вспышка свечения областей структуры, которые были освещены светом. Механизм запоминания следующий: при освещении происходит переход электронов в зону проводимости, а под действием приложенного напряжения часть электронов выходит из области кристалла на границу с диэлектриком. После отключения света и поля свободные носители удерживаются на границе кристаллов полем заряда металлических дорожек. После снятия заряда с дорожек, за счет замыкания контактов, носители возвращаются в объем кристалла и рекомбинируют со свободными центрами свечения. Для исследований использовались электролюминофоры типа ЭЛ-515, ЭЛ-525, ЭЛ-670. Возбуждение образцов осуществлялось светом с . На рис. 16 приведена кривая спада яркости вспышек от времени хранения для люминофора ЭЛ-525 при температуре –196 ºС.

Как видно из рис. 16, время хранения оптической информации достигает одного часа. Проведенные исследования позволили сделать вывод о способе повышения времени хранения. Для его увеличения необходимо увеличить толщину диэлектрического слоя на поверхности алюминиевых дорожек.

Рис. 16. Зависимость интенсивности вспышки от времени хранения

для структуры на основе люминофора ЭЛ-525 (t= -196 ºС)

Сопротивление диэлектрика должно быть сравнимо или на порядок больше, чем сопротивление освещенного образца (Ом). Рассмотрим математическую модель явления оптической памяти. Энергия излучения вспышки может быть найдена из уравнения:

, (43)

где С – емкость конденсатора, U – приложенное напряжение – квантовый выход. Выражение (43) верно для случая полной экранировки. Получим математическую модель вспышки свечения. Полагая, что время возвращения свободных носителей с границ кристаллов определяется временем стекания зарядов с металлических дорожек конденсатора, получим:

, (44)

где N0 – начальное число зарядов на обкладках конденсатора. Дифференциальное уравнение изменения числа ионизованных центров при возвращении свободных носителей с границ зерен кристаллов в объем будет иметь вид:

. (45)

Уравнение (45) нами решено численным методом. На рис. 17 (А) представлен теоретический график зависимости интенсивности вспышки свечения от времени при следующих значениях параметров в уравнении (45): RC = 10-6c, b = 5×10-8 c-1, отн. ед. Хорошее соответствие кривых, представленных на рис. 17 (А, Б) говорит о правильности выбранной для расчета модели.

Рис. 17. А-теоретическая зависимость интенсивности вспышки свечения от времени; Б-экспериментальная осциллограмма вспышки свечения структуры с люминофором ЭЛ-515

Проведенные исследования показали, что планарная структура типа МДПДМ на основе порошковых люминофоров может быть использована как устройство хранения оптической информации. Длительность хранения зависит от сопротивления диэлектрической прослойки и температуры. В качестве люминофоров должны использоваться полупроводники, в которых возбуждение сопровождается переходом электронов в зону проводимости. Для получения цветных изображений необходимо использовать смеси люминофоров, которые излучают в синей, зеленой и красной областях спектра.

В седьмой главе приводятся практические результаты работы. Рассмотрены ряд устройств, в которых фоторезистор выступает в роли смесителя. На рис.18 приведена блок схема передатчика с амплитудной модуляцией. Модулирующий сигнал подается на источник света 8. От источника света оптический сигнал, изменяющийся по закону модулирующего сигнала, поступает по световоду 9 на фоторезистор 3. На выходе фоторезистора согласно (17) появится амплитудно-модулированный сигнал, который по линии связи поступает на усилитель 5 и далее через согласующую линию связи 6 в антенну 7. Наличие световода, по которому распространяется модулирующий сигнал, позволяет обеспечить высокую скрытность источника сообщения. КНИ такого передатчика зависит в основном от уровня возбуждения фоторезистора (глубины модуляции). КНИ смесителя передатчика зависит от глубины модуляции и достигает S=2% при глубине модуляции M=10%. Для исключения нелинейных искажении, связанных с модулятором, необходимо несущий сигнал подать на источник света, а модулирующий - на фоторезистор. Предлагаемое решение значительно проще аналога за счет идеальной развязки несущего и модулирующего колебания и имеет низкий КНИ, S<0,1% для второго случая.

Рис. 18. Блок схема передатчика с амплитудной модуляцией: 1- перестраиваемый высокочастотный генератор, 2, 4 и 6- линии связи, 3-фоторезистор, 5-усилитель мощности, 7-антенна, 8-источник света, управляемый сигналом сообщения, 9-световод

Рассмотрим анализатор спектра электрических сигналов, в котором в качестве смесителя выступает фоторезистор (рис. 19). Исследуемый сигнал подается на усилитель входного сигнала 1. Гармонический сигнал с перестраиваемого гетеродина 5 подается на источник света 6. Оптический сигнал, интенсивность которого изменяется по закону сигнала гетеродина, поступает по световоду 8 на фоторезистор 2. На выходе фоторезистора появится сигнал, частоты гармоник которого будут равны разности частот гармоник анализируемого сигнала и частоты гетеродина. Далее сигнал с фоторезистора поступает на фильтр низких частот 3.

Рис. 19. Последовательный анализатор спектра электрических и модулированных оптических сигналов на основе резисторного оптрона:

1−усилитель, 2 − фоторезистор, 3 − фильтр низких частот, 4 − регистрирующие устройство, 5 − перестраиваемый гетеродин, 6 − источник света, 7 − частотомер, 8 − световод

Если < , ( – полоса пропускания полосового фильтра низких частот) сигнал с фильтра низких частот поступает на регистрирующее устройство 4, которое измеряет амплитуду гармоники . Частота данной гармоники измеряется частотомером 7. Предлагаемый анализатор спектра отличается простотой изготовления, высокой точностью и может быть реализован на основе существующих перестраиваемых генераторов исполняющих роль гетеродина, фоторезисторных оптопар, частотомеров, усилителей и вольтметров.

В качестве управляемого сопротивления во многих радиотехнических устройствах используется полевой транзистор. Основным недостатком таких устройств, являются отсутствие гальванической развязки между несущим и модулирующим сигналом, и нелинейные искажения. Эти недостатки можно исключить или уменьшить при использовании фоторезистора в качестве управляемого сопротивления. На рис.20 (А) представлена схема фазового модулятора на основе мостовой схемы, где транзистор, в качестве управляемого сопротивлении, заменен фоторезистором. На вход схемы подается высокочастотный сигнал Uвхw с частотой w. Модулирующий сигнал (сигнал сообщения) подается на источник света 6. Оптический сигнал, изменяющийся по закону передаваемого сообщения по световоду 5, поступает на фоторезистор 3. Проводимость фоторезистора изменяется в соответствии с оптическим сигналом, а, следовательно, в соответствии с сигналом сообщения. В результате фаза высокочастотного сигнала на выходе устройства будет изменяться по закону:

. (46)

При небольших уровнях освещенности, фоторезистор является линейным элементом и его проводимость, в отличие от прототипа, линейно зависит от интенсивности света, т. е. от управляющего сигнала. На рис.20 (В) приведена зависимость нелинейных искажений от глубины модуляции.

Рис.20. А - схема фазового модулятора на основе мостовой схемы с фоторезистором в качестве управляемого сопротивления: 1, 2 - резисторы, 3 - фоторезистор, 4 - конденсатор, 5 - световод, 6 - управляемый сигналом сообщения источник света. B - зависимость КНИ (S) от индекса угловой модуляции (m)

Измерения показали, что КНИ, вносимый фоторезистором совместно со светодиодом, равен 0,25% при глубине модуляции М=0,2. Использование фоторезистора в качестве управляемого элемента в фазовом модуляторе на основе мостовой схемы выгодно отличает предлагаемый фазовый модулятор от указанного прототипа, так как уменьшает КНИ, повышая качество передаваемого сигнала и обеспечивая высокую скрытность источника сообщения. Это связано с тем, что источник сообщения может быть удален от радиостанции с фазовым модулятором на значительное расстояние с помощью световода.

На рис. 21 приведена схема фазового модулятора для высоких частот несущего сигнала. В этой схеме в качестве управляемого сопротивления также можно использовать фоторезистор вместо полевого транзистора. Сдвиг фазы в такой цепи на частоте записывается в виде:

, (47)

где s - проводимость фоторезистора, w - частота входного высокочастотного напряжения, L – индуктивность, входящая в схему. Частота сигнала должна удовлетворять равенству:

, (48)

где C – емкость. В этом случае коэффициент передачи схемы при любом сопротивлении фоторезистора равен единице и паразитной амплитудной модуляции не будет.

Рис. 21. Схема фазового модулятора на основе RLC – делителя с фоторезистором в качестве управляемого сопротивления: 1- емкость, 2- индуктивность, 3- фоторезистор, 4 − источник света, 5- световод

Модулирующий сигнал (сигнал сообщения) подается на источник света (4). Оптический сигнал, изменяющийся по закону передаваемого сообщения по световоду 5, поступает на фоторезистор 3. Проводимость фоторезистора изменяется в соответствии с оптическим сигналом, а, следовательно, в соответствии с сигналом сообщения. В результате фаза высокочастотного сигнала на выходе устройства будет изменяться по закону (47).Нами была проведена оценка КНИ при следующих значениях элементов схемы: С = 0,5пФ, wL = 104 Гнс-1, сопротивление фоторезистора изменялось в пределах от 200 кОм до 40 кОм. На рис. 22 приведена зависимость КНИ от сопротивления фоторезистора и сдвига фазы для данных значений схемы. Из полученных результатов следует, что применение фоторезистора в качестве управляемого сопротивления снижает КНИ фазового модулятора на основе управляемого RLC – делителя минимум в 2. раза, с 7,5% в случае полевого транзистора до 3,2% в нашем случае при j = 0,5 рад. На вышеизложенные конструкции были получены патенты на полезные модели.

Рис.22. Зависимость коэффициента нелинейных искажений от сопротивления фоторезистора (А) и от сдвига фазы (Б)

В заключении изложены основные выводы и результаты работы.

Отмечается, что диссертация посвящена исследованию неравновесных процессов в фоточувствительных полупроводниковых структурах при нестационарном освещении и питании, выявлению особенностей распределения носителей между зонами при периодическом освещении, изучению функциональных свойств фоторезисторных структур при периодическом питании. Развиваемое научное направление связано с решением проблемы интеграцией оптики и электроники. Наиболее важными представляются следующие результаты и выводы.

1.  Получены теоретические и экспериментальные доказательства зависимости среднего значение концентрации свободных носителей и эффективности фоторезистора от частоты модуляции возбуждающего излучения, и закона рекомбинации.

2.  Установлено, что зависимость среднего значение концентрации свободных носителей связана с перераспределением носителей между зонами в полупроводнике при изменении частоты модуляции по интенсивности возбуждающего оптического излучения и зависит от соотношения скоростей процессов рекомбинации при наличии и отсутствии излучения.

3.  Разработан экспериментальный метод и математическая модель определения параметров кинетики фотопроводимости по измерению среднего значения фототока.

4.  Предложен метод Фурье анализа кинетики с помощью переменного напряжения приложенного к фоторезистору.

5.  Установлено, что фоторезисторные структуры являются прямыми перемножителями оптических и электрических сигналов, и могут совмещать функции приема модулированных по интенсивности оптических сигналов и извлечения из них информации. Показана возможность совмещения гетеродинного приема и синхронного детектирования фоторезистором оптических сигналов модулированных по оптической частоте и фазе.

6.  Установлено, что оптические сигналы могут управлять электрическими сигналами с помощью фоторезистора. Предложены на основе фоторезистора устройства для амплитудной, фазовой модуляции, электрических сигналов, синхронного детектирования и спектрального анализа электрических сигналов Получены зависимости коэффициента нелинейных искажений от вида кинетики фотопроводимости, инжекционных явлений.

7.  Разработана новая технология изготовления планарных щелевых электролюминесцентных конденсаторов. Обнаружено явление оптической памяти в планарных щелевых электролюминесцентных конденсаторах.

8.  Доказано, что скорость генерации свободных носителей электрическим полем пропорциональна произведению напряжения приложенного к структуре на скорость изменения напряжения. Получены физические и математические модели процессов скорости генерации полем свободных носителей, оптической памяти в электролюминесцентных структурах типа МДПДМ.

9.  Созданы математическая модель и экспериментальная методика определения глубины центров захвата порошковых полупроводниковых материалов с рекомбинационным типом свечения методом термостимулированной емкости. Определена зонная структура люминофора ZnS-In. Показана возможность переселения свободных носителей через примесные уровни.

Цитируемая литература

1.  , Юу Ф. У.С. Когерентная фотоника. М.:БИНОМ Лаборатория знаний, 2007.-319 с.

2.  Винер. :Техносфера, 2006.-592 с.

3.  Щука четвертого поколения - функциональная электроника? //Инженерная микроэлектроника.- 1998. -№4.-С.30-36

4.  Скляров -оптические сети и системы связи М.: СОЛОН-Пресс, 2004.-272 с.

5.  Леонид Бараш. Кремниевая фотоника, как альтернатива медным внутренним соединениям. // Компьютерное обозрение. №33(552)

6.  Щука электроника М.: Из-во МИРЭЛ, 1998.-286с

7.  , Оптическая связь М.: Связь, 19с.

8.  Нефедов радиотехники и связи М.: Высш. шк. 2002.-420 с.

Основные результаты диссертации отражены в следующих публикациях:

1.  Денисов фоточувствительных монокристаллов СdS при переменном смещении / , , // Тезисы докладов 8 Всесоюзной конференции по микроэлектронике. М., 1978. С.57-58.

2.  Денисов импеданса фоточувствительных монокристаллов СdS с невыпрямляющими контактами / , , // Сборник научных трудов по проблемам оптоэлектроники «Полупроводниковые приборы». М., 1979. С.94-99.

3.  Денисов свойства диодных структур на основе ZnS при переменном смещении / , , // 2 Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам. Ленинград, 1979. С.46.

4.  Денисов резонансная поляризация монокристаллов CdS в области радиочастот./ Тезисы докладов V Всесоюзного совещания физики и технике применения полупроводников А2В6. Вильнюс, 1983. Т.1. С.48.

5.  Об эффективности преобразования импульсного ИК излучения в видимое люминофорами Y2O2S-Yb, Er и NaYEr-Yb, Er / , , // Тезисы докладов V Всесоюзного совещания синтез, технология исследования, технология и применение люминофоров. Ставрополь, 1985. С. 62.

6.  Денисов для исследования кинетики свечения люминофоров / , , // Светотехника. 1989. №10. С.10-11.

7.  Денисов люминесценции двухуровневой системы при импульсном возбуждении // Материалы для источников света и светотехнических изделий: Межвуз. сб. науч. тр. Саранск, 1990. С.85-90.

8.  Денисов жизни возбужденных состояний центров люминесценции фосфоров и разделение их спектров свечения на индивидуальные полосы / , , // Тезисы докладов VII Всесоюзного I Международного совещания «Физика, химия и технология люминофоров». Ставрополь, 1992. С. 14.

9.  Денисов разделения спектров свечения люминофоров / , , // Светотехника, 1993. № 3. С. 3-4.

10.  К расчету переходных процессов при импульсном возбуждении, описываемых дифференциальными уравнениями первого порядка / , , // Математическое моделирование, 1995. Т. 7. №5. С. 51.

11.  Денисов установившегося процесса в линейных системах при периодическом возбуждении / , // Математическое моделирование, 1995. Т. 7. №5. С.50.

12.  Денисов свечения антистоксовых люминофоров при импульсно-периодическом возбуждении/ Б. Н Денисов, , // Математическое моделирование, 1997.- т.9. - №10. - С.14.

13.  Денисов свечения антистоксовых люминофоров при периодическом импульсном возбуждении / , , // Тезисы докладов 2 Международной конференции «Дифференциальные уравнения и их приложения». Саранск, 1996. С. 85.

14.  О выпрямляющих свойствах фоторезисторов, работающих в продольном режиме / , , // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации». Кисловодск, 1996. С. 86.

15.  Денисов электро - и фотолюминесценции при импульсном УФ-возбуждении / , , // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации». Кисловодск, 1996. С. 85.

16.  Денисов фотолюминесценции системы частиц с n-уровнями энергии при периодическом возбуждении / , , // Тезисы докладов Международной конференции «Осветление-96». Варна, 1996. С.25.

17.  Денисов электролюминесценции кристаллов АДР при постоянном и переменном напряжении / , Ю. А Маскаев //Тезисы докладов IV Всероссийского с международным участием совещания по материалам для источников света, электронных приборов и светотехнических изделий. Саранск, 1996. С.25.

18.  Денисов изготовления и исследование проволочных электролюминесцентных конденсаторов / , , // Тезисы докладов IV Всероссийского с международным участием совещания по материалам для источников света, электронных приборов и светотехнических изделий. Саранск, 1996. С.15.

19.  Денисов эффективности люминесценции с квадратичным законом рекомбинации при периодическом возбуждении / , , // Тезисы докладов Международной научно-технической конференции «Проблемы и прикладные вопросы физики». Саранск, 1997. С. 102-103.

20.  Патент на изобретение. № 2 1997, бюл.7 Преобразователь спектра оптического излучения / , ,

21.  Денисов выход фотолюминесценции системы с тремя уровнями энергии при периодическом импульсном возбуждении / , , // Журнал прикладной спектроскопии. 1997. Т. 64. №2. С. 269-272.

22.  К расчету эффективности преобразователей энергии, работающих в динамическом режиме / , , // Труды третьей международной конференции «Дифференциальные уравнения и их приложения». Саранск, 1998. С. 120.

23.  Денисов метод исследования центров захвата порошковых люминофоров / , , // Письма в ЖТФ. 2000. Т.26. Вып. 11. С.47-51.

24.  Денисов центров захвата цинкосульфидных люминофоров методом термостимулированной емкости / , , // Тезисы докладов V Всероссийского с международным участием совещание по материалам для источников света, электронных приборов и светотехнических изделий. Саранск, 2000. С.66-68.

25.  Денисов полевой скорости генерации свободных носителей в МДПДМ – структурах на основе порошковых люминофоров / , , // Тезисы докладов II Международной научно-технической конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы физики» Саранск, 2001. С.48.

26.  Денисов процессов разгорания свечения в МДПДМ порошковой электролюминесцентной структуре / , , // Сборник научных трудов III Всероссийской научно-технической конференции «Светоизлучающие системы. Эффективность и применение». Саранск, 2001. С.24-27.

27.  Патент на изобретение № 2 Россия, МПК-7 Н 05 В33/26,F21K2/08. Электролюминесцентный источник света / , , (Россия). Опубл. 27.10.2001. Бюл. №30.

28.  МДПДМ структура на основе порошковых люминофоров / , , // Учебный эксперимент в высшей школе. 2002. №1. С.16 –18.

29.  Денисов выпрямления тока электролюминесцентным конденсатором / , // Труды V Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск, 2003. С. 146.

30.  Денисов явления переселения между центрами захвата в порошковых люминофорах методом термостимулированной емкости / , , // Труды V Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск, 2003. С. 145.

31.  Денисов миграции энергии в порошковых люминофорах методом термостимулированной емкости / , , // Тезисы докладов IV Международной научно-технической конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы физики». Саранск, 2003. С.40.

32.  Денисов модулятор на основе RLC – делителя с фоторезистором в качестве управляемого сопротивления / , , // Материалы нано-, микро - и оптоэлектроники: физические свойства и применения: сб. тр. 2-ой межрегион. науч. шк. для студ. и аспирантов. Саранск, 2003. С.126.

33.  Денисов разделения сложных спектров электролюминесценции / , , // Полупроводниковые и газоразрядные приборы. 2003. №1. С. 68 – 72.

34.  Патент на полезную модель № 000, Россия, МПК-7 Н 03 С 5/02. Фазовый модулятор / , , (Россия). Опубл. 20.02.2004. Бюл. №5.

35.  Денисов люминесценции при импульсно-периодическом возбуждении в рамках вероятностного метода / , , // Полупроводниковые и газоразрядные приборы. 2004. №1. С. 74 – 80.

36.  Патент на полезную модель № 000, Россия, МПК-7 Н 03 С 5/02. Передатчик с амплитудной модуляцией / , , (Россия). Опубл. 20.07.2004. Бюл. №20.

37.  Денисов электрические свойства резисторных оптронов / , // Труды Российского научно-технического общества радиотехники, электроники и связи им. . Научная сессия посвященная дню радио. Москва, 2005. Вып. LX-2. С. 6-8.

38.  Денисов скорости генерации носителей на кинетику излучения планарных МДПДМ – структур / , // Материалы нано - микро - и оптоэлектроники: физические свойства и применение: сб. тр. 4-ой межрегион. молодежной науч. шк. Саранск, 2005. С.136.

39.  Денисов оптической памяти на основе планарных щелевых структур / , , // Письма в ЖТФ. 2006. Т.32. Вып. 4. С.70-75.

40.  Патент на полезную модель № 000, Россия, МПК G01R23/16. Анализатор спектра электрических сигналов / , , (Россия). Опубл. 27.11.2006. Бюл. №33.

41.  Денисов устройства на основе резисторных оптронов / // Материалы нано - микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: сб. тр. 6-ой Всерос. молодеж. науч. шк. Саранск, 2007. С. 149.

42.  Денисов как многофункциональный элемент оптоэлектроники / // Радиотехника и электроника. 2007. Т.52. №4. С. 509-512.

43.  Денисов полевой генерации в электролюминесцентных планарных порошковых структурах / , // Журнал технической физики. 2008. Т.78. Вып. 1. С. 74-78.

44.  Денисов функциональных свойств фоторезистора, питаемого переменным напряжением / // Письма в ЖТФ. 2008. Т.34. Вып. 2 . С.1-6.

45.  Денисов аналог транзистора на основе резисторного оптрона для систем оптической обработки информации / // Мордовия: наука, инновации, новые технологии. Научно технический, общественно-информационный журнал. 2008. №3.С 47-48.