Многофункциональные элементы оптоэлектроники на основе симметричных фоторезисторных структур (стр. 1 )

На правах рукописи

МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ

ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ СИММЕТРИЧНЫХ

ФОТОРЕЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР

Специальность: 01.04.05 − оптика

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени

доктора физико-математических наук

Саранск 2009

Работа выполнена на кафедрах экспериментальной физики и радиотехники Государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Мордовский государственный университет им. ёва»

 

Научный консультант: доктор физико-математических наук, профессор

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор

;

доктор физико-математических наук, в. н.с.

;

доктор физико-математических наук, с. н.с.

Ведущая организация: Пензенский государственный университет

Защита состоится 16 декабря в 14.00 часов на заседании диссертационного совета Д. 212.117.13 при ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. ёва» по адресу а, ауд. 243.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Мордовского государственного университета им. .

Отзывы на автореферат просим отсылать по адресу а, ГОУВПО «Мордовский государственный университет им. ёва», Диссертационный совет Д.212.117.13

Автореферат разослан____________________

Учёный секретарь

диссертационного совета Д. 212.117.13

к. т.н., доцент

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Устройства фотоники и оптоэлектроники характеризуются широкими функциональными свойствами и применяются во всех звеньях систем обработки информации. Одна из основных задач, решаемая оптоэлектроникой и фотоникой, связана с передачей информации с использованием фотонов [1, 2]. Повышение скорости передачи информации в системах связи и быстродействия вычислительных систем являются актуальной задачей. В настоящее время развиваются два направления решения этой задачи. Первое связано с интеграцией электронных и оптических систем на одной кремневой подложке [3, 4, 5]. При этом необходимо изготовить на основе кремния светодиоды, световоды, модуляторы и приёмники излучения. О решении этих задач и изготовлении опытных образцов в 2008 г. сообщила компания Intel [5]. Второе направление связано с интеграцией не только числа элементов, но и числа функций, выполняемых микроэлектронным прибором [3]. Идея использования физических принципов интеграции нескольких функций в одном приборе возникла в конце 70-х г. Пионерские работы в этой области принадлежат В, , и другим отечественным ученым. Это направление в оптоэлектронике получило название функциональная оптоэлектроника [6]. Мы полагаем, что вторая проблема может быть решена путём совмещения функций приема оптических сигналов и их обработки в фотоприемнике с помощью электрических сигналов, а также управление электрическими сигналами с помощью оптических сигналов. Это позволит создавать подлинно функциональные оптоэлектронные приборы и вынести практически полностью электронику на периферию, обеспечивая с помощью неё только процессы усиления и фильтрации сигналов [3]. Для совмещения функций приема и обработки оптических сигналов фотоприемник должен выполнять операцию прямого аналогового перемножения оптических сигналов на электрические сигналы. Операция умножения является основной для обработки сигналов в системах передачи и приема информации по оптическим и электронным каналам связи и осуществляется опосредованно, путем возведения в квадрат суммы двух сигналов [7,8]. Создание фотонного аналога транзистора, который реализует прямое аналоговое перемножение электрических сигналов на оптические сигналы, обеспечит физические принципы интеграции оптики и электроники.

Для решения задач приема и хранения оптической информации необходимо также устройство, которое обеспечивает совмещение нескольких функций в одном приборе, что позволит сократить время обработки оптического сигнала.

В связи с этим в работе выделены два направления в исследованиях. Первое направление связано с исследованием функциональных свойств фоточувствительных структур, обеспечивающих совмещение операций приема и обработки оптических сигналов. Это направление включает так же исследование операции перемножения оптических и электрических сигналов фоторезистивными структурами, изучение влияния кинетики на нелинейные искажения при регистрации фоторезистором модулированных оптических сигналов. Объём исследований и знаний о таких процессах пока очень мал или отсутствует. Второе направление связано с исследованием физических процессов в фоторезистивных структурах, которые выполняют функции источника излучения, а также приёма и хранения информации в виде оптического сигнала. К таким структурам относятся пленочные и электролюминесцентные конденсаторы (ЭЛК). Такие ЭЛК представляют собой симметричные структуры металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл (МДПДМ). Эти устройства обладают эффектом оптической памяти. В настоящее время отсутствие качественной технологии изготовления порошковых ЭЛК не позволяет совершенствовать эти устройства. Отсутствуют дублирующие методы определения параметров зонной схемы порошковых полупроводниковых материалов, на основе которых изготавливаются данные устройства.

Объектом исследования в первом направлении нами был выбраны фоторезисторные симметричные структуры типа . Объектом исследования, во втором случае, являлись электролюминесцентные конденсаторы на основе порошковых люминофоров.

Предметом исследования в обоих случая являлись оптические методы передачи и обработки информации, фотоэлектрические явления, люминесценция.

Особенностью данной работы является сочетания физических методов решения поставленных задач, математического моделирования, технических и технологических решений, обеспечивающих реализацию физических идей.

Цель работы: Исследование неравновесных фотоэлектрических процессов в полупроводниках, функциональных свойств симметричных фоторезисторных структур для создания на их основе многофункциональных элементов для оптоэлектроники.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

-исследовать функциональные свойства фоторезисторных структур при нестационарном возбуждении и питании;

-исследовать влияние кинетики фотопроводимости и инжекционных явлений на нелинейные искажения, носимые фоторезистором в регистрируемый оптический сигнал;

-разработать новую конструкцию и технологию изготовления ЭЛК, обеспечивающего высокую точность и повторяемость результатов и обладающих эффектом памяти;

-разработать новые методы контроля глубины залегания примесных уровней, определяющих кинетику процессов запоминания в ЭЛК.

Научная новизна полученных результатов и выводов.

Научная новизна работы состоит в том, что в ней впервые:

1.  Установлено, что среднее значение концентрации свободных носителей при периодическом освещении полупроводника, зависит от частоты модуляции возбуждающего излучения при различных скоростях процессов генерации и рекомбинации свободных носителей.

2.  Предложен метод определения кинетических параметров фотопроводимости по зависимости среднего значения фототока от частоты модуляции возбуждающего излучения. Предложен способ Фурье анализа кинетики фотопроводимости с помощью переменного напряжения, приложенного к фоторезистору.

3.  Получена математическая модель многофункционального устройства на основе фоторезистора, обеспечивающего операцию прямого аналогового перемножения электрических и оптических сигналов (смесителя). Предложен способ совмещения гетеродинного приёма и детектирования оптических сигналов, модулированных по оптической частоте или фазе с помощью фоторезистора. Созданы математические модели и новые устройства на основе фоторезистора для спектрального анализа модулированных по интенсивности оптических сигналов, модулированных электрических сигналов; устройства амплитудной, фазовой модуляции электрических сигналов.

4.  Создана новая конструкция и технология изготовления планарных порошковых ЭЛК, совместимая с современными технологиями полупроводниковой электроники. Установлена теоретически и экспериментально проверена математическая модель процесса скорости ионизации полем центров свечения в ЭЛК.

5.  Разработана новая экспериментальная методика определения глубины центров захвата порошковых полупроводниковых материалов с рекомбинационным типом свечения методом термостимулированной ёмкости (ТСЕ). Методом ТСЕ экспериментально обнаружено явление переселения носителей заряда в люминофоре через примесные уровни без выхода их в зону проводимости.

6.  В созданных структурах обнаружено явление оптической памяти. Предложено новое многофункциональное оптоэлектронное устройство, обеспечивающее совмещений функций излучения, приема оптических сигналов и их запоминания.

Практическая ценность результатов.

Результаты теоретического анализа и проведенных экспериментальных исследований фотоэлектрических явлений в полупроводнике при динамическом возбуждении расширяют существующие представления о физических процессах поглощения света в полупроводнике и функциональных свойствах фоторезистивных структур. В процессе работы получены следующие практические результаты:

1. Разработаны новые методики для исследования кинетики фотопроводимости; разделения сложных спектров фотолюминесценции, электролюминесценции, фотопроводимости на элементарные полосы. Получен новый способ Фурье-анализа кинетики фотопроводимости.

2. Предложен фотонный аналог транзистора на основе фоторезистора, обеспечивающий прямое аналоговое перемножение оптических и электрических сигналов. Предложен экспериментальный способ Фурье-анализа модулированных по интенсивности оптических сигналов с помощью фоторезистора. Получены патенты на новые конструкции передатчиков, модуляторов, анализаторов спектра электрических сигналов, обеспечивающие значительное упрощение конструкции и имеющие более низкий коэффициент нелинейных искажений по сравнению с аналогами.

3. Предложен новый способ гетеродинного приема оптических сигналов модулированных по оптической частоте с помощью фоторезистора, обеспечивающий совмещение гетеродинного приема с синхронным детектированием оптических сигналов.

4. Предложена новая конструкция и технология изготовления электролюминесцентного источника света и оптической памяти. Практические результаты исследований отражены в авторском свидетельстве на изобретение.

5. Создана новая экспериментальная методика определения глубины центров захвата в люминофорах с рекомбинационным типом свечения. Определена зонная схема люминофора ZnS-In.

Практические результаты работы составили основу 5 патентов на изобретение и полезные модели.

Основные положения и результаты, выносимые автором на защиту:

1.  Экспериментальный метод определения параметров кинетики фотопроводимости по измерению среднего значения фототока.

2.  Экспериментальные исследования и математические модели функциональных свойств фоторезистора, обеспечивающего совмещение функций приёма и обработки оптических сигналов. Аналоговый прямой перемножитель оптических и электрических сигналов на основе фоторезистора. Математические модели и экспериментальные исследования устройств, выполненных на основе фоторезистора; синхронного детектора и анализатор спектра гармоник оптических сигналов модулированных по интенсивности, гетеродинного приёмника и детектора оптических сигналов модулированных по оптической несущей.

3.  Фотонный аналог транзистора на базе резисторного оптрона. Математические модели и экспериментальные исследования амплитудных, балансных и фазовых модуляторов электрических сигналов, синхронных детекторов амплитудно, частотно и фазомодулированных электрических сигналов, анализатора спектра электрических сигналов, выполненных на основе фоторезистора. Математические модели и экспериментальные исследования нелинейных искажений, вносимых фоторезистором в регистрируемый сигнал.

4.  Конструкция и технология изготовления щелевых планарных электролюминесцентных конденсаторов на основе порошковых люминофоров. Экспериментальные исследования и математические модели кинетики скорости генерации носителей и кинетики процессов свечения электролюминесценции.

5.  Математическую модель и методику ёмкостного метода определения глубины центров захвата в порошковых люминофорах с рекомбинационным типом свечения.

6.  Экспериментальные исследования и математические модели эффекта оптической памяти в щелевых планарных МДПДМ структурах на основе широкозонных полупроводников.

Апробация. Основные результаты диссертации доложены и обсуждены на 8-ой Всесоюзной конференции по микроэлектронике (Москва, 1978); на 2-м Всесоюзном совещании по широкозонным полупроводникам (Ленинград, 1978); на Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Ужгород, 1979); на 2-м Всесоюзном совещании по глубоким уровням в полупроводниках (Ташкент, 1980); на V Всесоюзном совещании «Физика и техника применения полупроводников А2В6» (Вильнюс, 1983); на IХ Всесоюзной конференции по светотехнике (Рига, 1987); на VI Всесоюзном совещании «Физика, химия и технология люминофоров» (Ставрополь, 1989); на II Всесоюзном совещании «Материалы для источников света и светотехнических изделий» (Саранск, 1990); на VII Всесоюзном I Международном совещании «Физика, химия и технология люминофоров» (Ставрополь, 1992); на Международной конференции «Осветление -96» (Варна, Болгария, 1996); на Всероссийской научно-технической конференции «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации». (Кисловодск, 1996г.); на Международной научно-технической конференции «Проблемы и прикладные вопросы физики» (Саранск, 1997); на III Всерос. науч. – технич. конф. Светоизлучающие системы. Эффективность и применение. (Саранск, 2001г.); на V международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2003г.); на 3-ой межрегион. науч. шк. для студ. и аспирантов «Материалы нано - микро - и оптоэлектроники: физические свойства и применение» (Саранск, октябрь, 2004 г.); на научной сессии, посвященной дню радио (Российское научно-техническое общество радиотехники, электроники и связи им. , (Москва, 17-19 мая, 2005 г); на 7-ой Всерос. молодеж. науч. шк., «Материалы нано - микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (Саранск, октябрь 2008г.)

Публикации. Материалы диссертации отражены в 45 работах и защищены 2 патентами на изобретения и 3 патентами на полезные модели.

Личный вклад автора. Автору принадлежит выбор и обоснование путей развития основных направлений исследований по теме работы, постановка задач, создание экспериментальных установок и методик исследования. Проведение экспериментальных исследований, разработка и изготовление опытных образцов выполнены либо лично автором, либо при его непосредственном участии. В совместных публикациях соискателю принадлежит ведущая роль в постановке задач, объяснении и обосновании с физической точки зрения рассматриваемых процессов и явлений.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения и списка литературы. Общий объем работы 283 стр., включая 137 рис. и 16 таблиц. Список литературы состоит из 164 наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении приводится общая характеристика работы, обоснована актуальность темы диссертации, сформулирована цель и основные задачи исследования, приведены основные результаты и положения, выносимые на защиту.

В первой главе проведен критический анализ проблемы увеличения скорости обработки информации, рассмотрены пути решения этой задачи, которые реализуются в ведущих лабораториях мира. В настоящее время потребность в скорости обмена данными между электронными устройствами превысила физические ограничения, накладываемые медными проводниками. Поэтому интенсивно ведутся работы по созданию оптических каналов передачи данных между электронными устройствами. Отмечается, что для решения этой задачи должны быть решены две проблемы. Первая проблема заключается в совмещении оптических устройств с элементами кремневой электроники. Для совмещения оптических устройств с элементами кремневой электроники необходимо создание световодов, источников света и модуляторов на базе кремния [5]. Следует отметить, что эти работы не только пребывают на начальных этапах, но и весьма дороги по сравнению с традиционными технологиями на базе меди. Вторая проблема по интеграции оптики и электроники связана с обеспечением непрерывности перехода из оптических систем передачи данных в электронные системы обработки сигналов. В обзоре отмечается, что вторая проблема может быть решена в рамках нового направления в электроники, которое называется функциональной оптоэлектроникой [3, 6]. В изделиях функциональной оптоэлектроники перенос информации, как правило, осуществляется в континуальной среде с помощью оптического излучения, а не в линиях межсоединений. Поэтому проблема «межсоединений» в этом случае не является ключевой. Для выделения информации, динамическую неоднородность оптической природы превращают в электрическую для дальнейшей электронной обработки. Отмечается, что такой подход приводит к значительной задержке сигнала и не обеспечивает непрерывность перехода из оптических каналов в электронные каналы. В главе рассмотрены результаты исследований по кинетике фотопроводимости, методы определения кинетических параметров. Отмечается отсутствие исследований нестационарной фотопроводимости при нестационарном питании, особенности поведении среднего значения фототока при нестационарном питании. Приводится обзор по функциональным возможностям фоторезистора. Показано, что фоторезистор в системах оптической обработки информации, в оптоэлектронике в основном применяется для регистрации оптического излучения или для гальванической развязки. В ряде случаев его используют в качестве прерывателя (модулятора) электрических сигналов, с целью дальнейшего их усиления. Делается вывод о необходимости подробных исследований функциональных свойств фоторезистора для решения задачи непрерывности перехода из оптических каналов в электронные каналы. Отмечается, что отсутствуют у нас в стране и за рубежом исследования нелинейных искажений, вносимых фоторезистором в регистрируемый сигнал.

Рассмотрены технология изготовления, функциональные возможности существующих плёночных и порошковых ЭЛК. Отмечается возможность изготовления устройств оптической памяти на основе таких устройств. Показано, что устаревшая технология изготовления порошковых ЭЛК не позволяет совершенствовать параметры таких устройств. Делается вывод о необходимости разработки новой технологии изготовления порошковых ЭЛК, совместимой с технологиями микроэлектроники.

Во второй главе рассмотрены применяемые для исследований экспериментальные установки, разработанные методики определения кинетических параметров фотопроводимости и параметров зонной структуры материалов, технология изготовления планарных щелевых структур для электролюминесцентных конденсаторов, фоторезисторов. Основой установки является монохроматор ДМР-23 с вакуумным криостатом, в котором располагались образцы. Установка позволяла проводить спектральные, электрические, оптические, емкостные измерения фоточувствительных и люминесцирующих структур в диапазоне температур 77-500 K. В качестве фоторезисторов использовались симметричные планарные структуры типа на основе высокоомного кремния или CdS. В качестве электролюминесцентного источника света и ячейки оптической памяти нами применялась запатентованная оригинальная конструкция. Новый электролюминесцентный источник света представлял собой планарную систему, состоящую из проводящих дорожек (электродов), расположенных в одной плоскости. Алюминиевые электроды были нанесены методом фотолитографии на ситалловую подложку (рис.1). Были получены образцы с расстоянием между соседними дорожками d = 40, 70 и 128 мкм и шириной дорожки h = 17, 30 и 78 мкм соответственно. В качестве изолятора выступал слой окисла алюминия на поверхности дорожек. Полученные структуры являются аналогам структурам типа МДПДМ. Предельно допустимая амплитуда напряжения, подаваемая на образцы, составляла 400 В.

Рис.1. Конструкция планарного электролюминесцентного конденсатора:

1 − ситалловая подложка; 2 − алюминиевые электроды; 3 − слой люминофора. А-вид сверху, Б-вид с боку.

Люминофор наносился поверх контактов в виде спиртовой суспензии без связующего материала. Это позволяло проводить исследование явления электролюминесценции и полевых эффектов в «чистом» виде, исключая влияние материала связки на электрические и оптические свойства структур. Простота нанесения и снятия слоя люминофора без повреждения структуры, позволяла многократно использовать одну и ту же матрицу, что способствовало повторяемости результатов. Для анализа кинетики фотопроводимости нами использовалась зависимость среднего значения фототока от частоты модуляции светового потока и закона рекомбинации свободных носителей. Эта методика подробно рассмотрена нами в третьей главе. Для разделения сложных спектров люминесценции, электролюминесценции, фотопроводимости применялся экспериментальный метод, основанный на разной зависимости амплитуды переменной составляющей в полосах спектров от частоты следования возбуждающих импульсов.

Третья глава посвящена исследованию особенностям регистрации фоторезистором модулированных оптических сигналов. В случае нелинейной кинетики фотопроводимости следует ожидать зависимости среднего значения фототока от частоты модуляции светового потока и закона рекомбинации свободных носителей. Рассмотрение проведено для случая однородной генерации носителей светом в объеме полупроводника и омических контактов. В случае собственного полупроводника, при межзонном периодическом возбуждении, кинетика изменения концентрации свободных носителей зарядов описывается уравнением:

, (1)

где - скорость генерации неравновесных электронов, - скорость рекомбинации электронов, , - круговая частота. Покажем, что среднее значение концентрации неравновесных носителей (КНН), а, следовательно, и фототока зависит от частоты модуляции светового потока w. В предельных случаях, когда и , можно найти значения КНН, не решая уравнение (1). При (период , квазистационарный режим) , если . В этом случае равно:

. (2)

Рассмотрим другой предельный случай: , . При высоких частотах [] КНН не успевает отслеживать изменение светового потока, следовательно, . Интегрируя (1) при указанных граничных условиях и учитывая, что и , получим:

, (3)

где - функция, обратная функции . Из выражений (2) и (3) следует, что среднее значение КНН при частотах и отличаются и зависят от частоты модуляции, формы импульсов возбуждающего излучения. Предложенный способ нахождения исключает необходимость решения дифференциального уравнения (1). С помощью уравнений (2) и (3) были найдены предельные значения для , среднего значения фототока при импульсном оптическом возбуждении и при треугольной форме оптических сигналов. Предельные значения для в двух перечисленных случаях равны:

а) , б) , (4)

а) , б) , (5)

где − КНН при возбуждении интенсивностью , g-скважность прямоугольных импульсов света. Полученные выражения могут быть использованы для определения закона рекомбинации (k). Например, при высоком быстродействии фоторезистора, когда сложно получить прямоугольные импульсы света с фронтом , можно воспользоваться соотношением (5 б) при для вычисления k:

, (6)

где - фототок при стационарном возбуждении; - среднее значение фототока при периодическом возбуждении сигналом пилообразной формы при . В диссертации получены аналитические выражения при квадратичной рекомбинации [], рекомбинации вида и предельные значения для в этих случаях. Анализ экспериментальных результатов и полученных моделей показывает, что при , уменьшается с увеличением частоты модуляции света. При этом для времени жизни свободных носителей при наличии возбуждения и снятии возбуждения, выполняется соотношение . При растет с увеличением частоты модуляции света, при этом . Полученный вывод был экспериментально подтвержден на фоторезисторах на основе CdS, Si (рис. 2, 3, 4).

Рис. 2. А - Экспериментальные осциллограммы нарастания (1) и затухания (2) фототока фоторезистора на основе CdS, с., . Б - Теоретическая (1) и экспериментальная (2) зависимости среднего значения фототока от частоты

Рис. 3. А - Экспериментальные осциллограммы нарастания (1) и затухания (2) фототока фоторезистора на основе CdS, легированного бором, путем ионной бомбардировки (Е=100кэВ). , Б - Теоретическая (1) и экспериментальная (2) зависимости среднего значения фототока от частоты

Среднее значение квантовой эффективности фотоприемника может быть записано в виде:

. (7)

Рис. 4. Экспериментальная и теоретическая зависимости среднего значения фототока от частоты модуляции светового потока. Параметр k=1, рассчитан с помощью соотношения (4 б)

Значения , зависят от частоты модуляции света, а среднее значение фотонов (), падающих на поверхность фотоприемника, остается постоянным с изменением частоты модуляции света. Следовательно, квантовая эффективность фотоприемника может изменяться при неизменной средней интенсивности (мощности) падающего излучения. Объясняется этот факт тем, что при изменении частоты следования световых импульсов, изменяется средняя запасенная внутренняя энергия. Это значит, в динамике изменяется средняя доля поглощенного света, которая идет на изменение внутренней энергии.

Четвертая глава содержит описание результатов исследования функциональных свойств фоторезистора, математического моделирования и экспериментального исследования процессов, обеспечивающих совмещение функций приёма и детектирования модулированных оптических сигналов в самом фотоприёмнике, а также способ управления электрическими сигналами с помощью оптических сигналов устройством на основе фоторезистора.

В настоящее время фотоприемник в оптронных устройствах в основном выполняет функцию преобразователя оптических сигналов в электрические сигналы. При этом он обеспечивает идеальную развязку и отсутствие обратного действия на источник оптического излучения. Все дальнейшие операции, связанные с обработкой сигнала и извлечением информации, выполняет электроника. Операция умножения является одним из основных способов оптической и электронной обработки информации и осуществляется опосредованно, путем возведение в квадрат суммы двух сигналов. В отличие от аналогового транзисторного перемножителя, фоторезистор, может осуществлять непосредственное перемножение двух сигналов, один из которых оптический (Ф), а другой напряжение, приложенное к фоторезистору (U).

, (8)

где -проводимость, . Согласно (8) ток на выходе фоторезистора пропорционален произведению двух сигналов. Рассмотрим процесс совмещение функций приёма и синхронного детектирования модулированных оптических сигналов в самом фотоприёмнике. Для обсуждения принципиальных вопросов, связанных с функциональными возможностями фоторезистора, будем в дальнейшем полагать, что проводимость обусловлена носителями одного знака (электронами), полупроводник является беспримесным. Контакты, будем полагать, омическими и в процессе фотовозбуждения полупроводник остается электронейтральным. Генерация светом свободных носителей в объеме образца является однородной, т. е. , где – коэффициент поглощения полупроводника, – его толщина. Постоянную времени жизни свободных носителей () будем считать малой , где - наивысшая частота в спектре модулированного по интенсивности света. Пусть поднесущая оптического сигнала получена в результате модуляции интенсивности света с частотой . Оптический амплитудно-модулированный по интенсивности сигнал имеет вид:

, (9)

где - частота поднесущей оптического сигнала, - частоты гармоник модулирующего сигнала. В этом случае возможно совмещение в фотоприемнике приема оптического сигнала и синхронного детектирования при подаче на фоторезистор напряжения с частотой поднесущей . Сигнал на выходе фоторезистора будет содержать модулирующий сигнал: