Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто

  • 30% recurring commission
  • Выплаты в USDT
  • Вывод каждую неделю
  • Комиссия до 5 лет за каждого referral

5.3.2. Применение статической памяти для кэширования ОЗУ

Самое распространенное применение статической памяти — кэширование ОЗУ. На микросхемах статической памяти обычно строится внешний кэш, в котором используется архитектура прямого отображения или наборно-ассоциативная (см. п. 5.1.3). Функции кэш-контроллера выполняет чипсет. Микросхемы хранения данных кэша организуются в банки, число микросхем в банке должно соответствовать разрядности системной шины процессора. Банк должен заполняться микросхемами одного объема, требуемое быстродействие микросхем зависит от частоты системной шины. Банков может быть и несколько, количество заполненных банков и организация установленных микросхем, определяющие объем кэш-памяти (VCACHE). задаются джамперами или определяются автоматически.

Для хранения тегов обычно используется отдельная микросхема асинхронной SRAM — Таg SRAM, а для более чем 8-битного тега — пара микросхем. Здесь асинхронная память используется как для асинхронного, так и для синхронного кэша. Ее объем может и превышать минимально необходимый для установленной кэш-памяти. Требуемое быстродействие определяется тактовой частотой системной шины. Необходимый объем памяти тегов (количество ячеек) можно вычислить, разделив объем установленной кэш-памяти на длину строки кэша, определяемой чипсетом. Длина строки обычно равна количеству байт, передаваемых за один стандартный пакетный цикл (4х4=16 байт для 1486, 4х8=32 байта для Pentium).

Максимальный объем кэшируемой памяти (мсаснев) ограничен как архитектурными особенностями чипсета и системной платы, так и объемом установленной кэш-памяти данных и разрядностью памяти тегов. Для обычных 8-битных тегов он не может превышать 256хVCACHE. так, для VCACHE=256 Кб мсаснеD = 64 Мб. Увеличение кэшируемого объема требует увеличения объема кэш-памяти или (и) разрядности тегов (конечно, в рамках поддержки чипсетом).

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

Для кэша с обратной записью (WВ) необходима еще и память для хранения признака «чистоты» строки. Признак может храниться в отдельной микросхеме Dirtу SRAM или занимать один бит в Таg SRAM. Обратная запись во вторичном кэше применяется не всегда (она появилась несколько позже начала выпуска процессоров класса 486), ее реализация сложнее, чем сквозной.

Микросхемы асинхронной памяти обычно исполняются в DIР-корпусах с 8 битной организацией (рис. 5.26), которые вставляются в специальные «кроватки». системной платы (иногда припаиваются). При установке микросхем с 28 выводами в «кроватку» с 32 контактами свободными оставляют контакты 1, 2, 31 и 32. Банк собирается из 4 штук для процессоров 386-DХ и 486, 8 штук — для Pentium. Микросхемы синхронной памяти обычно имеют разрядность 16 или 32 бит (18 или 36 - с паритетом), один банк для Pentium собирается из четырех или двух микросхем.

Рис. 5.26. Расположение выводов микросхем асинхронной статической памяти: а — в корпусах DIР-28, организация 8Кx8 (выводы 1 и 26 не используются), 16Кх8 (вывод 1 не используется), 32Кх8; б – в корпусах DIР-32, организация 64Кх8 (вывод 2 не используется). 128Кх8

Для системных плат с процессором Pentium широко распространены модули СОАST (Cache On А Stick) -- «кэш на палочке». Это небольшой модуль с двусторонним печатным разъемом (рис. 5.27 и табл. 5.23-5.25), устанавливаемыми в специальный слот. Модуль содержит собственно кэш-память необходимой разрядности (асинхронную Asynс. SRAM, синхронную пакетную Sync Burst SRAM или конвейерную РВ SRAM), на нем же может быть установлена и асинхронная память тегов. Модуль может использоваться и как расширение кэша, запаянного на системной плате. Аналогичные модули применяются и в других компьютерных платформах (например, в Роwег РС), но у них может не совпадать порядок следования адресов пакетного цикла синхронной памяти (у Роwег РС — последовательный) со специфическим порядком чередования, принятым для процессоров х86 Intel и совместимых с ними (порядок адресов задается логическим уровнем на одном из выводов микросхем Burst SRAM). В результате снижения цен на микросхемы статической памяти кэш фиксированного размера (чаще — максимального для конкретного чипсета) стали запаивать на системную плату, не применяя дополнительных модулей и разъемов.

Таблица 5.23. Назначение выводов кэш-модуля СОАST 3.0-160 pin

Контакт

Цепь

Контакт

Цепь

Контакт

Цепь

Контакт

Цепь

1

VSS

41

DQ58

81

VSS

121

DQ59

2

ТDQ0

42

DQ56

82

ТDQ1

122

DQ57

3

ТDQ2

43

VSS

83

ТDQ7

123

VSS

4

ТDQ6

44

DQ54

84

ТDQ5

124

DQ55

5

ТDQ4

45

DQ52

85

ТDQЗ

125

DQ53

6

RSVD

46

DQ50

86

RSVD

126

DQ51

7

VСС

47

DQ48

87

RSVD

127

DQ49

8

TWE#

48

VSS

88

RSVD

128

VSS

9

САDS#/СААЗ

49

DQ46

89

CADV#/CAА4

129

DQ47

10

VSS

50

DQ44

90

VSS

130

DQ45

11

CWE4#

51

DQ42

91

COE#

131

DQ43

12

СWE6#

52

VСС

92

CWE5#

132

RSVD

13

СWE0#

53

DQ40

93

CWE7#

133

DQ41

14

СWЕ2#

54

DQ38

94

CWE1#

134

DQ39

15

VСС

55

DQ36

95

RSVD

135

DQ37

16

ССS#/САВ4

56

VSS

96

CWE3#

136

VSS

17

GWE#

57

DQ34

97

САВ4

137

DQ35

18

ВWЕ#

58

DQ32

98

САLЕ

138

DQ33

19

VSS

59

DQ30

99

VSS

139

DQ31

20

АЗ

60

VСС

100

RSVD

140

RSVD

21

А7

61

DQ28

101

А4

141

DQ29

22

А5

62

DQ26

102

А6

142

DQ27

23

А11

63

DQ24

103

А8

143

DQ25

24

А16

64

VSS

104

А10

144

VSS

25

VСС

65

DQ22

105

RSVD

145

DQ23

26

А18

66

DQ20

106

А17

146

DQ21

27

VSS

67

DQ18

107

VSS

147

DQ19

 

28

А12

68

VСС

108

А9

148

RSVD

 

29

А13

69

DQ16

109

А14

149

DQ17

 

30

А05Р#

70

DQ14

110

А15

150

DQ15

 

31

ЕСS1#/СS#

71

DQ12

111

RSVD

151

DQ13

 

32

ЕСS2#

72

VSS

112

PD0

152

VSS

 

33

РD1

73

DQ10

113

PD2

153

DQ11

 

34

РDЗ

74

DQ8

114

РD4

154

DQ9

 

35

VSS

75

DQ6

115

VSS

155

DQ7

 

36

СLС1

76

VСС

116

СLК0

156

RSVD

 

37

VSS

77

DQ4

117

VSS

157

DQ5

 

38

DQ62

78

DQ2

118

DQ63

158

DQ3

 

39

VСС

79

DQ0

119

RSVD

159

DQ1

 

40

DQ60

80

VSS

120

DQ61

160

VSS

 

Таблица 5.24. Сигналы модулей СОАST 3.0

Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2