Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто
- 30% recurring commission
- Выплаты в USDT
- Вывод каждую неделю
- Комиссия до 5 лет за каждого referral
5.3.2. Применение статической памяти для кэширования ОЗУ
Самое распространенное применение статической памяти — кэширование ОЗУ. На микросхемах статической памяти обычно строится внешний кэш, в котором используется архитектура прямого отображения или наборно-ассоциативная (см. п. 5.1.3). Функции кэш-контроллера выполняет чипсет. Микросхемы хранения данных кэша организуются в банки, число микросхем в банке должно соответствовать разрядности системной шины процессора. Банк должен заполняться микросхемами одного объема, требуемое быстродействие микросхем зависит от частоты системной шины. Банков может быть и несколько, количество заполненных банков и организация установленных микросхем, определяющие объем кэш-памяти (VCACHE). задаются джамперами или определяются автоматически.
Для хранения тегов обычно используется отдельная микросхема асинхронной SRAM — Таg SRAM, а для более чем 8-битного тега — пара микросхем. Здесь асинхронная память используется как для асинхронного, так и для синхронного кэша. Ее объем может и превышать минимально необходимый для установленной кэш-памяти. Требуемое быстродействие определяется тактовой частотой системной шины. Необходимый объем памяти тегов (количество ячеек) можно вычислить, разделив объем установленной кэш-памяти на длину строки кэша, определяемой чипсетом. Длина строки обычно равна количеству байт, передаваемых за один стандартный пакетный цикл (4х4=16 байт для 1486, 4х8=32 байта для Pentium).
Максимальный объем кэшируемой памяти (мсаснев) ограничен как архитектурными особенностями чипсета и системной платы, так и объемом установленной кэш-памяти данных и разрядностью памяти тегов. Для обычных 8-битных тегов он не может превышать 256хVCACHE. так, для VCACHE=256 Кб мсаснеD = 64 Мб. Увеличение кэшируемого объема требует увеличения объема кэш-памяти или (и) разрядности тегов (конечно, в рамках поддержки чипсетом).
Для кэша с обратной записью (WВ) необходима еще и память для хранения признака «чистоты» строки. Признак может храниться в отдельной микросхеме Dirtу SRAM или занимать один бит в Таg SRAM. Обратная запись во вторичном кэше применяется не всегда (она появилась несколько позже начала выпуска процессоров класса 486), ее реализация сложнее, чем сквозной.
Микросхемы асинхронной памяти обычно исполняются в DIР-корпусах с 8 битной организацией (рис. 5.26), которые вставляются в специальные «кроватки». системной платы (иногда припаиваются). При установке микросхем с 28 выводами в «кроватку» с 32 контактами свободными оставляют контакты 1, 2, 31 и 32. Банк собирается из 4 штук для процессоров 386-DХ и 486, 8 штук — для Pentium. Микросхемы синхронной памяти обычно имеют разрядность 16 или 32 бит (18 или 36 - с паритетом), один банк для Pentium собирается из четырех или двух микросхем.

Рис. 5.26. Расположение выводов микросхем асинхронной статической памяти: а — в корпусах DIР-28, организация 8Кx8 (выводы 1 и 26 не используются), 16Кх8 (вывод 1 не используется), 32Кх8; б – в корпусах DIР-32, организация 64Кх8 (вывод 2 не используется). 128Кх8

Для системных плат с процессором Pentium широко распространены модули СОАST (Cache On А Stick) -- «кэш на палочке». Это небольшой модуль с двусторонним печатным разъемом (рис. 5.27 и табл. 5.23-5.25), устанавливаемыми в специальный слот. Модуль содержит собственно кэш-память необходимой разрядности (асинхронную Asynс. SRAM, синхронную пакетную Sync Burst SRAM или конвейерную РВ SRAM), на нем же может быть установлена и асинхронная память тегов. Модуль может использоваться и как расширение кэша, запаянного на системной плате. Аналогичные модули применяются и в других компьютерных платформах (например, в Роwег РС), но у них может не совпадать порядок следования адресов пакетного цикла синхронной памяти (у Роwег РС — последовательный) со специфическим порядком чередования, принятым для процессоров х86 Intel и совместимых с ними (порядок адресов задается логическим уровнем на одном из выводов микросхем Burst SRAM). В результате снижения цен на микросхемы статической памяти кэш фиксированного размера (чаще — максимального для конкретного чипсета) стали запаивать на системную плату, не применяя дополнительных модулей и разъемов.
Таблица 5.23. Назначение выводов кэш-модуля СОАST 3.0-160 pin
Контакт | Цепь | Контакт | Цепь | Контакт | Цепь | Контакт | Цепь | |
1 | VSS | 41 | DQ58 | 81 | VSS | 121 | DQ59 | |
2 | ТDQ0 | 42 | DQ56 | 82 | ТDQ1 | 122 | DQ57 | |
3 | ТDQ2 | 43 | VSS | 83 | ТDQ7 | 123 | VSS | |
4 | ТDQ6 | 44 | DQ54 | 84 | ТDQ5 | 124 | DQ55 | |
5 | ТDQ4 | 45 | DQ52 | 85 | ТDQЗ | 125 | DQ53 | |
6 | RSVD | 46 | DQ50 | 86 | RSVD | 126 | DQ51 | |
7 | VСС | 47 | DQ48 | 87 | RSVD | 127 | DQ49 | |
8 | TWE# | 48 | VSS | 88 | RSVD | 128 | VSS | |
9 | САDS#/СААЗ | 49 | DQ46 | 89 | CADV#/CAА4 | 129 | DQ47 | |
10 | VSS | 50 | DQ44 | 90 | VSS | 130 | DQ45 | |
11 | CWE4# | 51 | DQ42 | 91 | COE# | 131 | DQ43 | |
12 | СWE6# | 52 | VСС | 92 | CWE5# | 132 | RSVD | |
13 | СWE0# | 53 | DQ40 | 93 | CWE7# | 133 | DQ41 | |
14 | СWЕ2# | 54 | DQ38 | 94 | CWE1# | 134 | DQ39 | |
15 | VСС | 55 | DQ36 | 95 | RSVD | 135 | DQ37 | |
16 | ССS#/САВ4 | 56 | VSS | 96 | CWE3# | 136 | VSS | |
17 | GWE# | 57 | DQ34 | 97 | САВ4 | 137 | DQ35 | |
18 | ВWЕ# | 58 | DQ32 | 98 | САLЕ | 138 | DQ33 | |
19 | VSS | 59 | DQ30 | 99 | VSS | 139 | DQ31 | |
20 | АЗ | 60 | VСС | 100 | RSVD | 140 | RSVD | |
21 | А7 | 61 | DQ28 | 101 | А4 | 141 | DQ29 | |
22 | А5 | 62 | DQ26 | 102 | А6 | 142 | DQ27 | |
23 | А11 | 63 | DQ24 | 103 | А8 | 143 | DQ25 | |
24 | А16 | 64 | VSS | 104 | А10 | 144 | VSS | |
25 | VСС | 65 | DQ22 | 105 | RSVD | 145 | DQ23 | |
26 | А18 | 66 | DQ20 | 106 | А17 | 146 | DQ21 | |
27 | VSS | 67 | DQ18 | 107 | VSS | 147 | DQ19 |
|
28 | А12 | 68 | VСС | 108 | А9 | 148 | RSVD |
|
29 | А13 | 69 | DQ16 | 109 | А14 | 149 | DQ17 |
|
30 | А05Р# | 70 | DQ14 | 110 | А15 | 150 | DQ15 |
|
31 | ЕСS1#/СS# | 71 | DQ12 | 111 | RSVD | 151 | DQ13 |
|
32 | ЕСS2# | 72 | VSS | 112 | PD0 | 152 | VSS |
|
33 | РD1 | 73 | DQ10 | 113 | PD2 | 153 | DQ11 |
|
34 | РDЗ | 74 | DQ8 | 114 | РD4 | 154 | DQ9 |
|
35 | VSS | 75 | DQ6 | 115 | VSS | 155 | DQ7 |
|
36 | СLС1 | 76 | VСС | 116 | СLК0 | 156 | RSVD |
|
37 | VSS | 77 | DQ4 | 117 | VSS | 157 | DQ5 |
|
38 | DQ62 | 78 | DQ2 | 118 | DQ63 | 158 | DQ3 |
|
39 | VСС | 79 | DQ0 | 119 | RSVD | 159 | DQ1 |
|
40 | DQ60 | 80 | VSS | 120 | DQ61 | 160 | VSS |
|
Таблица 5.24. Сигналы модулей СОАST 3.0
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 |


