2.7. Нелинейные искажения.

Нелинейные искажения возникают вследствие нелинейности характеристик усилительного элемента. За счет появления кратных гармоник происходит изменение формы выходного сигнала. Нелиней­ные искажения оцениваются коэффициентом гармоник, определяемым по формуле

, (2.17)

где I1 и In - амплитуда токов 1-й и n-й гармоник.

Другим показателем, характеризующим нелинейные искажения, является коэффициент интермодуляционных искажений Кн. При подаче на вход усилителя двух напряжений с частотами f1 и f2 на выходе появятся составляющие с частотами f1, f2, f2-f1 и f2+f1. Коэффициент интермодуляционных искажений определяется отношением амплитуды составляющей разностной частоты к амплитуде выходного напряжения с частотой f1,

Кн = Uf2 –f1/Uf1 (2.18)

Для усилителей звуковоспроизводящей аппаратуры высшего класса допускаются КГ = 0,5-1%, а в усилителях среднего ка­чества КГ=3-5 %.

2.8. Переходная характеристика.

Переходной характеристикой называют зависимость мгновенного значения выходного напряжения усилителя от времени при подаче на вход единичного импульса. Переходная характеристи­ка является основной характеристикой импульсного усилителя. По этой характеристике определяются основные количественные показатели: время установления ty, спад плоской вершины сп, выброс переднего фронта d (рис. 2.7).

Рис. 2.7. Переходная характеристи­ка.

Время установления ty определяется как интервал времени, в течение которого нормированная переходная характеристика h (t) меняется от уровня 0,1 до уровня 0,9, т. е. ty =t0,9 - t0,1. Спад плоской вершины сп характеризуется искажением переходной характеристики, который определяется сп=1-h(tи), где tи- длительность усиливоемого импульса. Выброс переднего фронта d появляется при наличии в схеме индуктивных элементов и определяется превышением h (t) над единичным уровнем.

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

Лекция №3

Основы построения электронных усилителей

3.1. Принципы построения усилительных устройств.

Усилительные устройства состоят из отдельных каскадов, представляющих элементарные ячейки (рис.2.2.). Каждый отдельный каскад электронного усилителя может быть построен с использованием электронных ламп, полевых или биполярных транзисторов. Транзистор или электронная лампа в усилительной схеме работают в активном режиме. Как известно, активный режим соответствует определенному постоянному напряжению на управляющем электроде, обеспечивающему работу усилительного элемента на линей­ном участке характеристики. Это напряжение называют напряжением смещения.

При построении усилительного каскада составляют входную и выход­ную цепи. Входная цепь содержит источник сигнала, элемент связи и элементы для подачи напряжения смещения на управляющий электрод. Выходная цепь содержит основной источник питания, за счет которого происходит усиление сигнала, и нагрузочное сопротивление Rн, на котором проис­ходит выделение усиленного напряжения.

3.2. Построение усилительного каскада на электронной лампе.

Принципиальная схема двухкаскадного усилителя на электронных лампах приведена на рис.3.1.

Рис.3.1. Принципиальная схема усилителя на электронной лампе.

Принцип работы электронной лампы основан на термоэлектронной эмиссии электронов накаленным катодом. Ток анода управляется напряжением на управляющей сетке. С целью обеспечения нужного режима работы, необходимо, преж­де всего, правильно подать питающие напряжения на электроды усили­тельного элемента.

В усилителях небольшой мощности все цепи анодов или коллек­торов обычно питаются от одного общего источника питания - выпря­мителя, сети постоянного тока, аккумуляторной батареи и т. д.

Источник анодного питания для ламповых усилителей имеет нап­ряжение 150¸300 В. При этом потенциал анода усилительных ламп лежит в пределах 120¸200 В.

Входная цепь усилителя содержит входные клеммы, элемент связи С1, сопротивление утечки R1 и элемент подачи смещения Rк. Постоянное отрицательное напряжение во входной цепи, кото­рое определяет режим работы усилительного элемента, называют нап­ряжением смещения. Наиболее распространенным способом подачи сме­щения на управляющую сетку лампы является получение его на резис­торе Rк, включенном в цепь катода. Падение напряжения, вызванное прохождением через этот резистор анодного тока и тока экрани­рующей сетки , равное , определяет потенциал управляющей сетки. Падение напряжения на R1=0, поскольку ток в цепи управляющей сетки отсут­ствует. Такой способ подачи отрицательного смещения на сетку на­зывают катодным смещением или автоматическим смещением. Элемент связи C1 иначе называют разделительной емкостью, поскольку эта емкость разделяет переменную и постоянную состовляющие напряжения. Сопротивление Rк шунтируется емкостью Cк, которая замыкает переменную составляющую выходного тока.

В многокаскадных усилителях коллекторные или анодные цепи обычно подключают параллельно к общему источнику питания, и для ослабления паразитной связи каскадов через этот источник все анодные цепи ламп, за исключением последней, как и цепи коллекто­ров транзисторных усилителей, защищают развязывающими фильтрами .

Наиболее простым и экономичным способом подачи положительно­го потенциала на экранирующую сетку относительно катода являет­ся через гасящий резистор Rэ, сопротивление которого рассчитывают по формуле:

. (3.1)

Питание цепей накала электронных ламп производят как пос­тоянным, так и переменным током. Выходная цепь каждого каскада содержит сопротивление нагрузки Rн, источник питания Eп. В усилительном каскаде источник сигнала Uвх малой мощности управляет током в выходной цепи, создаваемым источником питания.

Таким об­разом, за счет энергии источника питания Еп на выходных зажимах получаем усиленное напряжение Uвых=ЕпiвыхRн, причем выходное напряжение является функцией усиливаемого сигнала. Схему, приведенную на рис.3.1., называют однотактной или нессиметричной. В этой схеме входная и выходная цепи нессиметричны относительно общей точки. Другими словами, однотактный усилитель имеет несимметричный вход и выход.

Усилители могут быть построены по двухтактной схеме, содер­жащей два усилительных элемента, работающих на общую нагрузку. Двухтактные каскады представляют собой как бы два одинаковых однотактных каскада, объединенных общим проводом и источником пита­ния, работающими со сдвигом фаз на 180°. Особенности построения этих схем подробнее рассмотрены в разделе "Выходные усилители".

3.3. Построение усилительных каскадов на полевых транзисторах.

В полевых транзисторах перенос тока осуществляется основными носителями, а управле­ние током происходит за счет воздействия поперечного электричес­кого поля, создаваемого усиливаемым напряжением, приложенным к управляющему электроду - затвору. Полевые транзисторы обладают рядом преиму­ществ: низкой входной проводимостью, широким диапазоном рабочих температур и простотой изготовления. Принцип действия полевых транзисторов заключается в изменении сопротивления канала, через который перемещаются носители заряда от истока к стоку. По спосо­бу образования канала и изменения его ширины эти транзисторы мож­но разделить на три группы. К первой относятся транзисторы с уп­равляющим р-n-переходом, у которых ширина канала модулируется за счет изменения запирающего напряжения на р-n-переходе канал-зат­вор. Остальные две группы составляют транзисторы с изолированным затвором, отделенным от канала тонким слоем диэлектрика. Они имеют структуру металл - диэлектрик - полупроводник и называются МДП-транзисторами. Ко второй группе относятся МДП-транзисторы со встроенным каналом, а к третьей - индуцированным каналом.

Полярность смешения на затворе для транзисторов первой группы должна быть отрицательной, для третьей группы - положительной. Транзис­торы второй группы могут работать при любом смещении на затворе. Подложку часто замыкают на исток. При использовании транзисторов с каналом n-типа соответственно меняются полярности питающих нап­ряжений.

Рис.3.2. Характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом каналом n-типа:

а - выходная; б-проходная.

Ток затвора у всех типов полевых транзисторов очень мал. Значение этого тока в транзисторах с управляющим р-n-переходом не превышает долей микроампера, а в МДП-транзисторах - долей пикоампера.

Усилительные свойства полевого транзистора, как и электронных ламп, характеризуются крутизной тока стока S проходной характеристики (рис.3.2,б). Выход­ная характеристика полевого транзистора при малых значениях нап­ряжения стока Uс имеет омический участок. На этом участке харак­теристики полевые транзисторы могут быть использованы как управ­ляемые резисторы (рис.3.2,а). При дальнейшем увеличении Uс насту­пает насыщение тока, сопротивление канала становится очень большим. Ток стока будет зависеть только от U3.

Вывод от подложки в МДП-транзисторах может быть использован как дополнительный управляющий электрод, так как напряжение на подложке влияет на ток стока. Принципиальная схема усилителя на полевом транзисторе с каналом n-типа приведена на рис.3.3.

Рис.3.3. Принципиальная схема усилителя на полевом транзисторе

В усилителях на полевых транзисторах используется способ автоматического смещения (элементы Rи, Си). Остальные элементы схемы имеют те же назначения, что и в усилителях на электронной лампе.

3.4. Работа электронной лампы и полевого транзистора в схеме АЭУ.

Рассмотрим принцип работы усилителей, приведенных на рис.3.1., 3.3. В этих схемах напряжение усиливаемого сигнала приложено между управляющим электродом и общим электродом последовательно с постоянным напряжением смещения . В выход­ную цепь включены нагрузочное сопротивление и источник пита­ния Е. До момента t1 считаем, что Uвх=0. Следовательно, в выходной цепи усилителя протекает только постоянная составляющапя тока Iс0 (см. рис.3.4.2) Потенциал стока определяется выражением Uco=E-IcoRн

Под действием переменного напряжения входного сигнала в выходной цепи происходит изменение тока . При положительной полярности Uвх мгновенное значение Uз уменьшается, вследствие чего транзистор приоткрывается, ток выходной цепи увеличивается. Этот ток соз­дает на резисторе падение напряжения URн(t)=iвых(t)Rн, пе­ременная составляющая которого представляет собой усиленное нап­ряжение сигнала.

Практически усиленное выходное напряжение обычно снимается с резистора и источника питания. Это вызывается необходимостью заземления одного из электродов усилительного эле­мента, а также стремлением использовать общий источник для пита­ния цепей выходных каскадов. В этом случае выходное напряжение определяется следующим выражением

. (3.2)

При увеличении выходное напряжение уменьшается. Следовательно, переменные напряжения на входе и на выходе в усилителях с общим катодом и истоком оказываются противофазными (рис.3.4). Действительно, при возрастании мгновенного входного напряжения выходной ток увеличивается, падение напряжения URн возрастает и вы­ходное напряжение уменьшается. Таким образом, рассматриваемые схемы меняют фазу усиливаемого сигнала на 180°.

Рис.3.4. Графики напряжений и токов в цепях усилителя: 1 – на управляющем электроде; 2- ток в выходной цепи; 3 – напряжения в выходной цепи.

3.5. Особенности построения усилительных каскадов на биполярных транзисторах.

Принципиальная схема уси­лительного каскада на биполярном транзисторе с общей базой приве­дена на рис.3.5.

Рис.3.5. Принципиальная схема уси­лительного каскада на биполярном транзисторе с общей базой.

Усилительная схема представляет собой линейный четырехполюс­ник с двумя входными и двумя выходными клеммами. Поскольку тран­зистор имеет только три вывода, то один из них является общим для входной и выходной цепей усилителя. Обычно этот вывод соединяет­ся с корпусом усилителя. Транзисторные усилители могут быть пос­троены с общим эмиттером, с общим коллектором и с общей базой. Ламповые усилители бывают с общим катодом, с общим анодом и с об­щей сеткой. Наиболее часто усилительные схемы строятся с общим эмиттером или с общим катодом, что позволяет получить высокий коэффициент усиления и хорошие характеристики усилителя.

Биполярные транзисторы по сравнению с электронными лампами имеют следующие преимущества: малые габариты и вес, небольшую потребляемую мощность, длительный срок службы и др. Однако они имеют и недостатки, к которым относятся: низкие предельные часто­ты, большая температурная зависимость, малое входное сопротивле­ние и небольшая выходная мощность.

Принципиальное отличие транзисторных усилителей объясняется тем, что из-за малого значения входного сопротивления источ­ник сигнала работает в режиме короткого замыкания

, (3.3)

т. е. транзисторный усилитель управляется током. Усилители на электронных лампах и полевых транзисторах управляются напряже­нием

. (3.4)

Принцип работы и основные процессы в биполярных транзисто­рах также отличаются от принципов работы и процессов, протекаю­щих в электронной лампе. Инжекция носителей через эмиттерный пе­реход в область базы осуществляется за счет прямого смещения. В области базы дырки движутся по закону диффузии и достигают кол­лекторного перехода. Только часть дырок успевает рекомбинироваться в области базы, образуя ток в цепи базы. Таким образом, в транзисторе протекает ток эмиттера, ток коллектора и ток базы:

(3.5)

Соотношение (3.5) почти не зависит от и , а определяется законами диффузии и конструкцией транзистора. Основным усилительным параметром биполярного транзистора является коэффициент усиления по току с общей базой (рис. 3.5). В этой схеме входным током является Iэ, а выходным током – Iк.

. (3.6)

При включении транзистора с общим эмиттером (рис.3.6.) током входной цепи является ток базы .

Рис.3.6.Усилительный каскад с общим эмиттером

Источник сигнала меняет потенциальный барьер эмиттерного перехода, что приведет к изменению инжекции, т. е. к изменению и . При этом на нагрузочном сопротивлении в цепи коллек­тора выделяется усиленное напряжение. Коэффициент усиления по току транзистора с общим эмиттером

. (3.7)

В качестве основного источника питания в транзисторных усилителях используются аккумуляторы или выпрямители. По анало­гии с ламповыми схемами коллекторные цепи всех каскадов подклю­чаются к источнику питания параллельно. При этом в цепях питания каждого каскада включают развязывающие фильтры.

Для установления необходимого рабочего режима на базу р-n-р транзистора относительно эмиттера нужно подать небольшое отрица­тельное смещение (0,05 - 0,5 В). Это смещение желательно полу­чить от источника , чтобы исключить второй источник питания Есм.

3.6. Работа биполярного транзистора в усилительном каскаде.

До момента t1 на входных клеммах имеется только напряжение смещения, Uвх =0. Поэтому в выходной цепи протекает только постоянная составляющая I. Потенциал коллектора Uк0 определяется выражением Uк0=Е - IRн. В момент t1 во входную цепь поданы Uвх(t) и Ecм парралельно, которые показаны на рис. 3.7. (график 1). Потенциональный барьер эмиттерного прямосмещенного перехода будет меняться по закону Uвх(t), что приведет к изменению тока инжекции Iэ, следовательно, Iк (график 2).

Если напряжение на эмиттерном переходе уменьшается, то уменьшаются Iэ, Iк и наоборот. Таким образом, источник сигнала Uвх(t) небольшой мощности управляет током выходной цепи. В выходную цепь, кроме основного источника питания, включено нагрузочное сопротивление, следовательно, на этом сопротивлении из-за протекания тока будут происходить падения напряжения постоянной Uк0 и переменной Uвых(t) составляющих. В схеме с общим эмиттером Uвых(t) снимается через разделительную емкость С с коллектора, которое равно Uвых(t) =E-iвых(t)Rн (график 3).

Анализируя графики 1 и 3, приходим к выводу, что усилительный каскад с общим эмиттером меняет фазу усиленного сигнала Uвых(t) на 180о

Рис.3.7. Графики напряжений и токов в усилителях:

а – с p-n-p-транзистором; б – с n-p-n-транзистором

3.7. Схемы межкаскадной связи.

Для передачи сигнала от одного каскада к другому применяют различные схемы, называемые схемами межкаскадной связи. Эти схе­мы одновременно служат для подачи питающих напряжений на электро­ды усилительных элементов, а также для придания усилителю опреде­ленных свойств. Существует три вида схем межкаскадной связи: не­посредственная, резисторная и трансформаторная. Название усили­тельного каскада определяется примененной в нем схемой межкаскад­ной связи.

В каскадах со схемами непосредственной межкаскадной связи называют такие схемы, в которых выходной электрод предыдущего каскада соединяется с входным электродом последующего непосредственно (рис.3.8). Основ­ным достоинством каскадов с непосредственной связью является их способность усиливать сигналы с постоянной составляющей. Недос­татком, нарушающим нормальную работу усилителей, является дрейф нуля. К дополнительным недостаткам каскада с непосредственной связью относится трудность согласования потенциальных уровней вы­ходных и входных цепей. Непосредственную связь используют в уси­лителях постоянного тока и в интегральных микросхемах.

Рис.3.8. Схема с непосредственной связи между каскадами

При резисторной (резисторно-емкостной) связи применяется разделительный конденсатор С1, который преграждает путь постоян­ной составляющей напряжения из выходной цепи на вход следующего каскада (рис. З.3). Резисторные каскады свободны от недостатков каскадов с непосредственной связью: они не обладают дрейфом нуля, передаваемым на следующий каскад, и без затруднения позволяют обеспечить необходимые напряжения на усилительных элементах при питании многокаскадного усилителя от одного источника. Резистор­ные каскады обладают хорошей частотной характеристикой, имеют не­большие нелинейные искажения и находят широкое применение.

Рис.3.9. Схема трансформаторной связи

При трансформаторной межкаскадной связи используется тран­сформатор (рис.3.9). Через первичную обмотку трансформатора, включаемую в выходную цепь усилительного элемента, на выходной электрод подается напряжение питания, а ко вторичной присоеди­няют входную цепь следующего каскада. Переменная составляющая вы­ходного тока, проходя через первичную обмотку, создает на ней напряжение сигнала, трансформирующееся во вторичную обмотку и по­дающееся на вход следующего каскада.

 
 

Лекция №4

Обеспечение и стабилизация режима работы

усилительного элемента по постоянному току.

4.1. Режим работы усилительного элемента.

Различают активный и ключевой режимы работы усилительного элемента (УЭ). Активный режим используется в АЭУ и соответствует определенному постоянному напряжению или току на управляющем электроде. Это постоянное напряжение называется смещением.

Режим работы УЭ при отсутствии сигнала на его входе называют режимом по постоянному току. В некоторых учебниках этот режим называют статическим или режимом покоя. В этом случае в цепях УЭ протекают только постоянные составляющие токов, определяемые рабочей точкой или точкой покоя. Рабочая точка соответсвует заданному смещению.

При наличии Uвх входного сигнала в цепях УЭ появляются переменные составляющие токов и напряжений, что соответствует режиму по переменному току. Последний различается на режим слабого сигнала (предварительные каскады), когда входной сигнал мал, и режим сильного сигнала (выходной каскад), когда на входе большая амплитуда усиливаемого сигнала.

Режим сильного сигнала в свою очередь подразделяется на режимы А, В, АВ и С.

В режиме А рабочая точка выбирается на середине линейного участка проходной характеристики. При этом ток выходной цепи протекает без отсечки (рис.4.1., а). Ток покоя I0 превышает амплитуду выходного тока Iтвых.

Рис.4.1. Работа усилительного элемента:

а – в режиме А; б – в режиме В

Преимуществом режима А является малый коэффициент нелиней­ных искажений, так как рабочая область характеристики располагается на линейном участке. Недостатком режима А является большой ток , т. е. большое потребление энергии от источника питания, что опре­деляет незначительный коэффициент полезного действия. η=Pвых/P0 , где P0=EI0 - потребляемая мощность

В режиме В рабочая точка выбирается на изгибе проходной характеристики. Ток в выходной цепи существует в течение половины периода, т. е. в режиме В имеет место отсечка выходного тока (рис.4.1., б).

При идеальном режиме В угол отсечки 90°. Ток покоя близок к нулю. Однако в действительности из-за нелинейной характе­ристики транзистора Iо оказывается равным 8–10% Imax. Угол отсечки нес­колько превышает 90°. Преимуществом режима В является высокий кпд, недостатком - большой коэффициент нелинейных искажений. Режим В при­меняется в усилителях мощности по двухтактной или симметричной схеме.

Режим С характеризуется углом отсечки меньше 90° , еще большим кпд. Он используется в радиопередающих устройствах.

Ключевым режимом или режимом Д называют такой режим работы усилительного элемента, при котором он во время работы находится только в двух состояниях: в полностью закрытом, когда ток в его выходной цепи отсутствует, или полностью открытом, когда падение напряжения между выходными электродами близко к нулю. В режиме Д можно получить высокий КПД. Ключевой режим применяется в импульсных и цифровых устройствах.

4.2. Цепи подачи смещения.

Подача смещения может быть реализована с помощью дополнительного источника питания Eсм. Этот способ практически не используется, так как применение двух источников питания нерационально.

В каскадах на электронных лампах и полевых транзисторах используется способ автоматического смещения (см. рис.3.1., 3.3). Элементами автоматического смещения в этих схемах являются Rк и Rи. По переменной составляющей эти резисторы зашунтированы Ск и Си. Следовательно, на этих резисторах происходит падение напряжения Uсм=Iа0Rн=IcoRн. Падение напряжения на R1 отсутствует, так как ток, протекающий по этой цепи равен нулю.

Рассмотрим способы подачи смещения в каскадах на биполярных транзисторах. Для установления необходимого рабочего режима на базу р-n-р транзистора относительно эмиттера нужно подать небольшое отрицательное смещение (0,05-0,5 В). Это смещение желательно получить от источника Eк, чтобы исключить второй источник питания.

Первый способ подачи смещения фиксиро­ванным током базы при помощи гасящего сопротивления R1 показан на рис.4.2,а. R1 и образуют делитель напряжения, причем R1>>rэб. Следовательно, ток смещения в цепи базы определяет­ся только номиналом R1

Iб0=Ек/R1

Этот постоянный ток является смещением. Если смещение необходимо выразить напряжением, то оно определяется как па­дение напряжения Uсм=Iбоrэб.

Рис.4.2. Схемы подачи смещения: а – фиксированным током; б – фиксированным напряжением.

Схема проста (мало элементов), однако имеет следующий недос­таток: при смене транзистора требуется индивидуальный подбор R1. Кроме того, изменение обратного тока сильно влияет на режим работы.

Смещение фиксированным напряжением (рис.4.2,б) достигается с помощью делителя R1R2. Для того, чтобы было постоянным и оп­ределялось только падением напряжения на R2, делитель R1R2 дол­жен быть низкоомным, т. е. R2<<rэб.

В этом случае изменение при замене транзисторов почти не влияет на общее сопротивление , так как параллельное соединение определяется наименьшим сопротивлением R2. Следовательно, напряжение смещения определяется , где ток делителя Iд =Е/(R1 + R2).

Сопротивления R1 и R2 в такой схеме можно рассчитать по следующим формулам:

Этот способ не экономичен, однако находит широкое применение, так как остается постоянным при замене транзистора и измене­нии температуры.

4.3. Стабилизация рабочей точки биполярных транзисторов.

Как известно, все параметры биполярного транзистора имеют сильную темпера­турную зависимости. Если не предусмотреть специальные схемы ста­билизации, то рабочая точка в зависимости от температуры будет передвигаться, что может привести к выходу ее за пределы рабочей области характеристики. Так, например, обратный ток коллектора в сильной степени зависит от окружающей температуры:,

где А - коэффициент, зависящий от технологии производства транзистора.

При увеличении температуры на 10°С увеличивается в два раза. Такое явление вызывает изменение коллекторного тока и режима работы. Изменение также может быть вызвано изменением коэффициента усиления и изменением питающих напряжений во времени. Широкое применение находят коллекторная и эмиттерная схемы стабилизации режимов работы транзисторов. Надо отметить, что все схемы стабилизации реализованы с использованием отрица­тельной обратной связи по постоянному току. В схеме коллекторной стабилизации (рис.4.3., а) ток смещения зависит от потенциала коллектора Uк0, который определяется Uк0=Е-IкRн. Если увеличится , то уменьшается ток смешения Iб0=(Е-IкRн)/R1, что приводит к снижению . Процесс автома­тического управления при уменьшении тока коллектора происходит обратным образом. Принцип действия коллекторной стабилизации ос­нован на применении отрицательной обратной связи по напряжению.

Коллекторная стабилизация в случае подачи смещения с помощью делителя объясняется следующим образом: Iд= (Е-IкRн)/(R1 + R2); Uсм= Iд R2

Рис.4.3. Схемы коллекторной стабилизации рабочей точки.

При повышении температуры увеличивается ток коллектора, следовательно, возрастает падение напряжения на сопротивлении нагрузки, вследствие чего уменьшается потенциал коллектора. Это приводит к уменьшению напряжения смещения, следовательно, к уменьшению тока коллектора.

Более высокую стабильность рабочей точки обеспечивает наибо­лее распространенная схема эмиттерной стабилизации (рис. 4.4.).

Напряжение смещения в этой схеме равняется . Принцип действия эмиттерной стабилизации состоит в следующем. До­пустим, за счет повышения температуры в схеме возрастают токи и . При этом растет падение напряжения на , что уменьшает напряжение смещения. Снижение напряжения смещения, в свою оче­редь, ведет к уменьшению токов и . Чтобы исключить обратную связь по переменной составляющей, необходимо зашунтировать большой емкостью .

Рис.4.4. Схема эмиттерной стабилизации рабочей точки

Стабильность рабочей точки повышается при использовании схемы комбини­рованной стабилизации (рис.4.5), в которой объединены оба рас­смотренных способа. Коллекторная стабилизация рабочей точки в этой схеме обеспечивается за счет включения в цепь коллектора элементов развязывающего фильтра. При увеличении температуры увеличивается Iк и падение напряжения IкRф. Вследствие чего уменьшается потенциал точки 1, что приводит к уменьшению напряжения смещения. Следовательно, уменьшается ток коллектора, т. е. происходит стабилизация режима работы транзистора.

Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9