Биполярные транзисторы. Справочные данные (стр. 1 )

Справочные данные

Биполярные транзисторы

Наименование КТ 104 p – n – p	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б,мА	Iэ, мА	f,кГц
1.Транзисторы малой мощности Диапазон средних частот
Обратный ток коллектора, мкА КТ104А, КТ104Г КТ104Б, КТ104В при Тс=+100°С: КТ104А, КТ104Г КТ104Б, КТ104В при Тс=-60°С: КТ104А, КТ104Г КТ104Б, КТ104В	IКБО			1 1 15 15 1 1	30 15 20 10 30 15
Обратный ток эмиттера, мкА при Тс=+100°С: при Тс=-60°С:	IЭБО			1 10 1		10 5 10
Граничное напряжение транзистора (Тс=-60…+100°С), В КТ104А, КТ104Г КТ104Б, КТ104В	UКЭО гр	30 15							5 10
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В: КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г	UКЭ нас			0,5 0,5			10 10	2 1
Напряжение насыщения база – эмиттер, В: КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г	UБЭ нас			1 1			10 10	2 1
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом: КТ104А, КТ104Г КТ104Б, КТ104В	h11б	120 120			30 15				1 1
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: КТ104А КТ104Б КТ104В КТ104Г при Тс=+100°С: КТ104А КТ104Б КТ104В КТ104Г при Тс=-60°С: КТ104А КТ104Б КТ104В КТ104Г	h21Э	9 20 40 15 9 20 30 15 6 12 25 10		36 80 160 60 80 240 380 180 36 80 160 60	5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5				1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Предельная частота коэффициента передачи тока, МГц	fh21 б	5			5				1
Емкость коллекторного перехода( при f=465 кГц), пФ	СК			50	5
Емкость эмиттерного перехода( при f=465 кГц), пФ	СЭ			10		0,5
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (при f=3 МГц), нс	τК			3	5				1
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 60…+ 75°С): IК max – постоянный ток коллектора, мА..……………………………………………………………………………………...………...50 UКЭ max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при UЭБ =0,5В или при RБ ≤10 кОм), В: КТ104А, КТ104Г…………………………………………………………………………………………………………………...........30 КТ104Б, КТ104В…………………………………………………………………………………………………………………...........15 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт……………………………………...………………………..………150 UКБ max - постоянное напряжение коллектор-база, В: КТ104А, КТ104Г………………………………………...…………………………………………………………….………………...30 КТ104Б, КТ104В……………………………………………..……………………………………………………..…………………...30 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:.……………..……………………………………………………………………...30
Наименование КТ 201 p – n – p	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б,мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА КТ201А, КТ201Б КТ201В - КТ201Д при Тс=+125°С: КТ201А, КТ201Б КТ201В - КТ201Д	IКБО			1 1 10 10	20 10 20 10
Обратный ток эмиттера, мкА КТ201А, КТ201Б КТ201В - КТ201Д	IЭБО			3 3		20 10
Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала	h21б			3*10-3	5				1
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21Э|	1			5				10	104
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ201А КТ201Б, КТ201,В КТ201Д КТ201Г при Тс=+125°С: КТ201А КТ201Б, КТ201,В КТ201Д КТ201Г при Тс=-60°С: КТ201А КТ201Б, КТ201В, КТ201Д КТ201Г	h21Э	20 30 70 20 30 70 8 16 20 10		60 90 210 100 150 315 60 90 210 90	1 1 1 1 1 1 1 1 1 1		5 5 5 5 5 5 5 5 5 5
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при х. х., мкСм:	h22б			2	5				1	1
Коэффициент шума, дБ КТ201Д	KШ			15	1				0,2	1
Емкость коллекторного перехода, пФ	CК			20	5					104
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 60…+ 125°С): IК max – постоянный ток коллектора, мА……………………………………………...………………………………………………….20 UКЭ max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при RБ ≤ 2 кОм), В: КТ201А, КТ201Б ………………………………………………………………………………………………………………...……...30 КТ201В ─ КТ201Д……………………………………………………………………………………………………………………...15 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт: при Тс=-60…+90°С……...……………………………..............................................................................................................................150 при Тс=+125°С……………………………………......................................................................................................................................60 UКБ max - постоянное напряжение коллектор-база, В: КТ201А, КТ201Б………………………………………………………………………………………………………………………...20 КТ201В - КТ201Д……………………………………………………………………………………………………………………....10 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В: КТ201А, КТ201Б…………………………………………………………………………………………………………………..……20 КТ201В - КТ201Д……………………………………………………………………………………………………………..………..10
Наименование КТ 202 p – n – p	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б,мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА	IКБО	0,002		1	UКБ max
Обратный ток эмиттера, мкА	IЭБО			1		10
Граничное напряжение транзистора, В КТ202А, КТ202Б, КТ202Д, КТ202В, КТ202Г	UКЭО гр	15 30							5 2,5
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В:	UКЭ нас			0,5				1	10
Напряжение насыщения база – эмиттер, В:	UБЭ нас	0,77	0,82	1				1	10
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом:	h11б	32	38	100		5			1	1
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: КТ202А, КТ202В, КТ202Б, КТ202Г КТ202Д	h21Э	15 40 100	40 80 160	70 160 300	5 5 5		1 1 1			1 1 1
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	fгр	5			5		1
Время рассеивания, мкс	tрас			4	2		5	1
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Cэ			10		0,5				104
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк			25	5					3*103
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 60…+ 85°С): IК max – постоянный ток коллектора, мА………………………..………………………………………….…………………………….10 UКЭ max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В: КТ202А, КТ202Б, КТ202Д………………………………………………………………………………………………...………........15 КТ202В, КТ202Г……………………………………………………………………………………………….....................................30 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт…………………………………………………………………...........15 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В……………………………………………………………………………………...10
Наименование КТ 203 p – n – p	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б,мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА КТ203А КТ203Б КТ203В при Тс=+125°С: КТ203А КТ203Б КТ203В при Тс=-60°С: КТ203А, КТ203Б КТ203В	IКБО	0,005 0,015 0,02 0,05 0,001 0,008		1 1 1 15 15 15 1 1 1	60 30 15 30 15 10 60 30 15
Обратный ток эмиттера, мкА КТ203А КТ203Б КТ203В	IЭБО			1 1 1		30 150 10
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер(IБ =4 мА), В: КТ203Б КТ203В	UКЭ нас			1 0,5			20 20
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом: КТ203А КТ203Б КТ203В	h11б			300 300 300	50 30 15				1 1 1	1 1 1
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: КТ203А КТ203Б КТ203В при Тс=+125°С: КТ203А КТ203Б КТ203В при Тс=-60°С: КТ203А, КТ203Б КТ203В	h 21Э	9 30 30 9 30 30 7 10 15		150 200 230 400 150 200	5 5 5 5 5 5 5 5 5				1 1 1 1 1 1 1 1 1	1 1 1 1 1 1 1 1 1
Предельная частота коэффициента передачи тока, МГц	fh 21б	5			5				1
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк			10	5					104
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 60…+ 125°С): IК max – постоянный ток коллектора, мА…..……………………………………………………………………………………………..10 UКЭ max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В: при Тс=-60…+75°С: КТ203А…………………………………………………………………………………………………………………………………..60 КТ203Б…………………………………………………………………………………………………………………………………..30 КТ203В ……………………………………………………………………………………………….....................................................15 при Тс=+125°С: КТ203А…………………………………………………………………………………………………………………………………..30 КТ203Б…………………………………………………………………………………………………………………………………...15 КТ203В…………………………………………………………………………………………………………………………………..10 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт………………………………………………………………………...15 при Тс=-60…+75°С……...............…...…………………………............................................................................................................150 при Тс=+125°С………………………….………………..........................................................................................................................60 UКБ max - постоянное напряжение коллектор-база, В: при Тс=-60…+75°С КТ203А…………………………………………………………………………………………………………………………………..60 КТ203Б…………………………………………………………………………………………………………………………………...30 КТ203В ……………………………………………………………………………………………………….........................................15 при Тс=+125°С: КТ203А…………………………………………………………………………………………………………………………………..30 КТ203Б…………………………………………………………………………………………………………………………………...15 КТ203В…………………………………………………………………………………………………………………………………..10 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В: КТ203А…………………………………………………………………………………………………………………………………..30 КТ203Б…………………………………………………………………………………………………………………………………...15 КТ203В ……………………………………………………………………………………………………….........................................10
Наименование КТ 206 n – p - n	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б,мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА То же при Тс=+85°С	IКБО			1 10	UКБ max UКБ max
Обратный ток эмиттера, мкА	IЭБО			1		UЭБ max
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21Э|	1			2				5	10
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: КТ206А КТ206Б при Тс=+85°С: КТ206А КТ206Б при Тс=-60°С: КТ206А, КТ206Б	h 21Э	30 70 30 70 10 25		90 210 220 450 90 210	1 1 1 1 1 1		5 5 5 5 5 5
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк			20	5					10
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 60…+ 85°С): IК max – постоянный ток коллектора, мА.………………………………………………………………………………………………...20 UКЭ max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при RБ ≤ 3 кОм), В: КТ206А ………………………………………………………………………………………………………….....……........................20 КТ206Б…….. ………………………………………………………………………………………………………..……….................12 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт:………………………………………………………..………………15 UКБ max - постоянное напряжение коллектор-база, В: КТ206А ………………………………………………………………………………………………………...……..............................20 КТ206Б…….. ……………………………………………………………………………………………………………........................12 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В: КТ206А ………………………………………………………………………………………………………...……..............................20 КТ206Б…….. ……………………………………………………………………………………………………………........................12
Наименование КТ 207 p – n – p	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б,мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА КТ207А КТ207Б КТ207В	IКБО	10-6 10-6 10-6	10-5 10-5 10-5	0,05 0,05 0,05	60 30 15
Обратный ток эмиттера, мкА КТ207А КТ207Б КТ207В	IЭБО			1 1 1	30 15 10
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом:	h11б			300	5				1	1
Статический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: КТ207А КТ207Б КТ207В	h 21Э	9 30 30	50 50 150	100 150 200	5 5 5				1 1 1	1 1 1
Предельная частота коэффициента передачи тока, МГц	fh 21б	5			5				1
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк			10	5					1000
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В: КТ207А, КТ207Б КТ207В	UКЭ нас			1 0,5			10 10	1 1
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 45…+ 85°С): IК max – постоянный ток коллектора, мА…………………………………………………………………….…………………………...10 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт:………………………………………………..………………………15 UКБ max, UКЭ max - постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер, В: КТ207А……………………………………………………………………………………………………………..……………………60 КТ207Б…………………………………………………………………………………………………………………...………………30 КТ207В………………………………………………………………………………………………………………………..…………15 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В: КТ207А……………………………………………………………………………………………………………...……………..………30 КТ207Б………………………………………………………………………………………………………………………………...…15 КТ207В…………………………………………………………………………………………………………………………………..10
Наименование КТ 340 n – p - n	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б,мА	Iэ, мА	f,кГц
Диапазон высоких частот
Обратный ток коллектора, мкА КТ340А, КТ340В, КТ340Д КТ340Б при Тс=+85°С: КТ340А, КТ340В, КТ340Д КТ340Б	IКБО			1 1 10 10	15 20 15 20
Обратный ток эмиттера, мкА	IЭБО			100		5
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В: КТ340Б КТ340В	UКЭ нас			0,3 0,4			50 200	5 20
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21Э|	3			5				10	100
Статический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: КТ340А, КТ340Б КТ340В КТ340Д	h 21Э	100 100 35 40		300 - - -	1 1 2 1		10 10 200 10
Время рассеивания, мкс КТ340Б, КТ340В	tрас			15			5	1
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Cэ			7		5				10
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк			3,7	5					10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (при f=3 МГц), нс КТ340А КТ340Д	τК			60 150	5 5		5 5			10 10
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = -10…+ 85°С): IК max – постоянный ток коллектора, мА ………………………………………………………………………………………………...50 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт:…………..…………………………………………………………..150 UКБ max - постоянное напряжение коллектор-база, В: КТ340А, КТ340В, КТ340Д…………………………………………………..………………………………………………………...15 КТ340Б ……………………………………………………………………………..…….……………………………………………...20 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:……………………………………..………………………………………………..5 UКЭ max - постоянное напряжение и коллектор-эмиттер, В: КТ340А, КТ340В, КТ340Д…………………………………………………………………..………………………………………...15 КТ340Б ……………………………………………………………………………………………...…………………………………...20
Наименование КТ342 n – p - n	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б,мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА КТ342А КТ342Б КТ342В	IКБО	5*10-6 5*10-6 5*10-6		0,05 0,05 0,05	25 20 10
Обратный ток эмиттера, мкА	IЭБО			30		5
Обратный ток коллектор - эмиттер (RБ≤10 кОм), мкА КТ342А КТ342Б КТ342В	I КЭ R			30 30 30	30 25 10
Граничное напряжение транзистора, В КТ342А КТ342Б КТ342В	UКЭО гр	25 20 10							5 5 5
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В:	UКЭ нас	0,05		0,1			10	1
Напряжение насыщения база – эмиттер, В:	UБЭ нас	0,6		0,9			10	1
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом:	h11б			200	5				1	10-3
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте: КТ342А КТ342Б КТ342В	|h21Э|	2,5 3 3			10 10 10				5 5 5	100 100 100
Статический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: КТ342А КТ342Б КТ342В	h 21Э	100 200 400		250 500 1000	5 5 5				1 1 1
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк	4		8	5					10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, нс: КТ342А КТ342Б КТ342В	τК			200 300 700	5 5 5		1 1 1			5 5 5
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс= - 60…+ 125°С): IК max – постоянный ток коллектора, мА..…………………………………………………………………………...…………………...50 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора (приТс=-60,,+ 125°С), мВт…….……………………………..……………..250 UКБ max - постоянное напряжение коллектор-база, В: КТ342А:……………………………………………………………………………………………………………………..…………...35 КТ342Б:……………………………………………………………..…………………………………………………………..………..30 КТ342В:………………………………………………………………………………………………………..………………….……..25 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:…………………………………………………………………………………..…..5 UКЭ R max - постоянное напряжение и коллектор-эмиттер (RБ ≤ 10 кОм, I К = 30 мкА), В: при Тс=-60…+ 100°С КТ342А…………………………………………………………………………………………………………..………………………30 КТ342Б…………………………………………………………………………………………………………………………..............25 КТ342В ……………………………………………………………………………………………….....................................................10 при Тс=+125°С: КТ342А…………………………………………………………………………………………………………………………………..25 КТ342Б…………………………………………………………………………………………………………………………………...20 КТ342В ……………………………………………………………………………………………….....................................................10
Наименование КТ343 p – n – p	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б,мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА КТ343А, КТ343Б КТ343В при Тс=+85°С: КТ343А, КТ343Б КТ343В при Тс=-40°С: КТ343А, КТ343Б КТ343В	IКБО			1 1 10 10 1 1	10 7 10 7 10 7
Обратный ток коллектор - эмиттер, мкА КТ343А, КТ343Б КТ343В	I КЭ R			100 100	17 9
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В:	UКЭ нас	0.1	0.2	0.3			10	1
Напряжение насыщения база – эмиттер, В:	UБЭ нас	0.78	0.8	0.95			10	1
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте при f = 100 МГц:	|h21Э|	3			5				10
Статический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: КТ343А, КТ343Б КТ343В при Тс=+85°С: КТ343А, КТ343Б КТ343В при Тс=-40°С: КТ343А, КТ343Б КТ343В	h 21Э	30 50 30 50 15 25	55 65	70 90	0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3				10 10 10 10 10 10
Время рассеивания, мкс КТ343А, КТ343Б КТ343В	tрас			10 20			10 10	1 1
Емкость коллекторного перехода при f = 100 МГц, пФ	Cк			6	5
Емкость эмиттерного перехода f = 100 МГц, пФ	Cэ			8		0
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс= - 40…+ 85°С): IК max – постоянный ток коллектора, мА..……………………………………………………………………...………………………...50 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт:…………………………………………………..…………………..150 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:…………………………………………………………………..…………………..4 UКЭ R max - постоянное напряжение и коллектор-эмиттер (RБ ≤ 10 кОм, I КЭ = 100 мкА), В: КТ343А, КТ343Б………………………………………………………………………………………………………………………...17 КТ343В ……………………………………………………………………………………………………………………………...........9
Наименование КТ348 n – p – n	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б,мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА при Тс=+73°С:	IКБО	0,01 0,02		1 10	5 5
Обратный ток эмиттера, мкА	IЭБО			10		3,5
Обратный ток коллектор - эмиттер (RБ≤3 кОм), мкА	I КЭ R			3	5
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В: КТ348А КТ348Б КТ348В	UКЭ нас			0,3 0,3 0,3			10 10 10	1,7 1,0 0,7
Напряжение насыщения база – эмиттер, В: КТ348А КТ348Б КТ348В	UБЭ нас			0,85 0,85 0,85			10 10 10	1 0,6 0,4
Прямое напряжение эмиттер – база, В	UЭБ	0,5			2,5				0,05
Прямой ток базы (RБ≤ 600 кОм),, мкА	IБ	130		460		0,8
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21Э|	5			1		3			20
Статический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: КТ348А КТ348Б КТ348В при Тс = + 70°С: КТ348А КТ348Б КТ348В при Тс = - 60°С: КТ348А КТ348Б КТ348В	h 21Э	25 35 80 25 35 80 9 15 25		75 120 250 3* h 21Э, (25°С) 75 120 250	1 1 1 1 1 1 1 1 1				1 1 1 1 1 1 1 1 1
Время рассеивания, мкс	tрас			130	ЕК =3 В		3	IБ1=IБ2=1
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Cэ			22		1				5...10
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк			11	1					5...10
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 60…+ 70°С): IК max – постоянный ток коллектора, мА..………………………………………………………………………………………………..15 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Тс = - 60 + 40°С), мВт:………………………………………………………15 UКБ max - постоянное напряжение коллектор-база, В:…………………………………………………………………………………....5 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:…………………………………………………………………………………….3,5 UКЭR max - постоянное напряжение и коллектор-эмиттер (RБ ≤ 3 кОм), В...……………………………………………………………..5
Наименование КТ349 p – n – p	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б,мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА при Тс=+85°С:	IКБО	0,001 0,001		1 6	10 10
Обратный ток эмиттера, мкА	IЭБО			1		4
Обратный ток коллектор - эмиттер (RБ≤10 кОм), мкА	I КЭ R			1,5	15
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В:	UКЭ нас			0,3			10	1
Напряжение насыщения база – эмиттер, В:	UБЭ нас			1,2			10	1
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21Э|	3			5				10	100
Статический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: КТ349А КТ349Б КТ349В	h 21Э	20 40 120		80 160 300	1 1 1				10 10 10
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Cэ			8		0				10
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк			6	5					10
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 40…+ 85°С): IК, и max – импульсный ток коллектора (tи ≤ 10 мкс, Q ≥ 10), мА …..…………………………………………………………………..40 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Тс = - 40 + 30°С), мВт:……………………………………………………..200 UКБ max - постоянное напряжение коллектор-база, В:…………………………………………………………………………………..20 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:………………………………………………………………………………………4 UКЭR max - постоянное напряжение и коллектор-эмиттер (RБ ≤ 10 кОм), В...…………………………………………………………..15
Наименование КТ350А p – n – p	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б,мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА при Тс=+85°С:	IКБО	0,001 0,05		1 15	10 10
Обратный ток эмиттера, мкА	IЭБО			10	4
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В (tи ≤ 14 мкс, Q ≥ 100)	UКЭ нас			1,0			500	50
Напряжение насыщения база – эмиттер, В (tи ≤ 14 мкс, Q ≥ 100)	UБЭ нас			1,25			500	50
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21Э|				5				10	20
Статический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: при Тс = + 85°С: при Тс = - 40°С:	h 21Э	20 0,9* h21Э, (25°С) 0,5* h21Э, (25°С)		200 2,0* h21Э, (25°С)	1 1 1				500 500 500
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Cэ			100		1				10
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк			70	5					10
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 40.. + 85°С): IК, и max – импульсный ток коллектора (tи ≤ 1 мкс), мА …..…………………………………………………………………………...600 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Тс = - 40 + 30°С), мВт:……………………………………………………..200 UКБ max - постоянное напряжение коллектор-база, В:…………………………………………………………………………………..20 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:………………………………………………………………………………………4 UКЭR max - постоянное напряжение и коллектор-эмиттер (RБ ≤ 10 кОм), В...…………………………………………………………..15
Наименование КТ361 p – n – p	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б,мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА при Тс = + 100°С: при Тс = - 60°С:	IКБО	0,002 0,1 0,0001	0,5 3 0,005	1 25 1	10 10 10
Обратный ток эмиттера, мкА	IЭБО	0,001	0,1	30		5
Обратный ток коллектор - эмиттер (RБ≤10 кОм), мкА	I КЭ R			1	UКЭ R max
Граничное напряжение транзистора, В КТ361А, КТ361Б КТ361В, КТ361Д КТ361Г, КТ361Е	UКЭО гр			15 30 25					5 5 5
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В: КТ361А ─ КТ361Г КТ361Д ─ КТ361Ж КТ361И ─ КТ361К	UКЭ нас	0,14 0,15	0,2 0,45	0,4 1			20 20	2 2
Напряжение насыщения база – эмиттер, В:	UБЭ нас	0,8	0,85	1			20	2
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом:	h11б			40	10		1			10-3
Выходная полная проводимость транзистора в режиме малого сигнала при х. х., См:	h22б			4* 1100-7			1			10-3
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21Э|	2.5	6	8	10				5	100
Статический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: КТ361А, КТ361Д КТ361Б, КТ361Г КТ361Е, КТ361Ж КТ361К КТ361В КТ361И при Тс = + 100°С: КТ361А, КТ361Д КТ361Б, КТ361Г КТ361Е КТ361В КТ361Ж, КТ361К КТ361И при Тс = - 60°С: КТ361А, КТ361Д КТ361Б, КТ361Г КТ361Е КТ361В КТ361Ж, КТ361К КТ361И	h 21Э	20 50 40 250 20 50 20 50 250 10 15 10 25 100	50 110 50	90 350 160 250 500 300 700 90 350 160 350	10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10				1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
Емкость коллекторного перехода, пФ: КТ361А, КТ361Б КТ361Ж, КТ361И КТ3610В ─ КТ361Е КТ361К	Cк			9	10 10					10 10
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, нс: КТ361А, КТ361Б КТ361Г, КТ361К КТ3610В, КТ361Е КТ3610Ж, КТ361И КТ361Д	τК	80 100 80	120 150 120	500 1000 250	10 10 10				5 5 5	5 5 5
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 60…+ 100°С): IК, и max – импульсный ток коллектора (tи ≤ 1 мкс), мА …..………………………………………………………………………….....50 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт: при Тс = - 60…+ 35°С:…………………………………………….………………………………………………………………………………..150 при Тс = + 100°С:………………………………………………………………………………………………………………………………………………………….30 UКБ max - постоянное напряжение коллектор-база, В; UКЭ max - постоянное напряжение и коллектор-эмиттер, В: при Тс = - 60…+ 35°С: КТ361А………………………………………………………………………………………………………………………..................25 КТ361Б…………………………………………………………………………………………………………………………………...20 КТ361В, КТ361Д……………………………………………………………………………………………………………………...40 КТ361Г, КТ361Е……………………………………………………………………………………………………………………....35 КТ361Ж…………………………………………………………………………………………………………………….....................10 КТ361И………………………………………………………………………………………………………………………..................15 КТ361К………………………………………………………………………………………………………………………..................60 при Тс = + 100°С: КТ361А………………………………………………………………………………………………………………………..................20 КТ361Б………………………………………………………………………………………………………………………..................15 КТ361В, КТ361Д……………………………………………………………………………………………………………………...35 КТ361Г, КТ361Е……………………………………………………………………………………………………………………....30 КТ361Ж…………………………………………………………………………………………………………………….......................8 КТ361И………………………………………………………………………………………………………………………..................12 КТ361К………………………………………………………………………………………………………………………..................50 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:………………………………………………………………………………………4
Наименование ГТ402 p – n – p	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б, мА	Iэ, мА	f,кГц
2.Транзисторы средней мощности Диапазон низких частот
Обратный ток коллектора, мкА	IКБО			25	10
Постоянное напряжение насыщения эмиттер - база, В:	UЭБО			0,35				2
Статический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: ГТ402А, ГТ402В, ГТ402Д, ГТ402Ж ГТ402Б, ГТ402Г, ГТ402Е, ГТ402И при Тс = + 550°С: ГТ402А, ГТ402В, ГТ402Д, ГТ402Ж ГТ402Б, ГТ402Г, ГТ402Е, ГТ402И при Тс = - 60°С: ГТ402А, ГТ402В, ГТ402Д, ГТ402Ж ГТ402Б, ГТ402Г, ГТ402Е, ГТ402И	h 21Э	30 60 30 60 10 20		80 150 160 300 80 150	1 1 1 1				3 3 3 3
Предельная частота коэффициента передачи тока, МГц	fh21 б	1			1				3
Линейность h 21Э для ГТ402А─ ГТ402Г: h 21Э (при IЭ = 3 мА) h 21Э (при IЭ = 30 мА) h 21Э (при IЭ = 3 00мА)	Кi	0,7		1,4 1,7	1 1
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 40…,+ 55°С): IК max – импульсный ток коллектора, А ……………...…..…………………………………………………………………………....0,5 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт: для корпуса 1…………..………………………………………………………………………………………………………………..0,6 для корпуса 1………………..…………………………………………………………………………………………………………..0,6 UКЭ R max - постоянное напряжение и коллектор-эмиттер (RБ ≤ 200 кОм), В ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402Д, ГТ402Е.….……………………………………………………………………………………………....25 ГТ402В, ГТ402Г, ГТ402Ж, ГТ402И.….……………………………………………………………………………………………....40
Наименование ГТ403 p – n – p	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б, мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403Ю ГТ403В ─ ГТ403Д, ГТ402Е ГТ403Ж, ГТ403И при Тс = +70°С:	IКБО			50 50 70 800	45 60 80 UКБ max
Обратный ток эмиттера, мкА ГТ403А ─ ГТ403В, ГТ403Е ГТ403Ю ГТ403Д при Тс = +70°С: ГТ403А ─ ГТ403Г, ГТ403Е ГТ403Ж, ГТ403И, ГТ403Ю ГТ403Д	IЭБО			50 50 70 800 800		20 30 20 20 30
Обратный ток коллектор - эмиттер, мкА: ГТ403А ─ ГТ403Е, ГТ403Ю ГТ403Ж, ГТ403И	I КЭО			5 6	UКЭ max UКЭ max
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В:	UКЭ нас			0,5			0,5	0,05
Напряжение насыщения база – эмиттер, В:	UБЭ нас			0,8			0,15	0,05
Плавающее напряжение эмиттер – база (при Тс = +70°С), В:	UЭВ пл			0,3	UКБ max
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ (f = 300 Гц): ГТ403А, ГТ403В, ГТ403Ж ГТ403Б, ГТ403Г, ГТ403Д ГТ403Ю	h 21Э	20 45 30		60 150 60	5 5 5		0,1 0,1 0,1
Изменение коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ относительно температуры 20°С (f = 300 Гц), % при Тс = +70°С: ГТ403А ─ ГТ403Д, ГТ403Ж ГТ403Ю при Тс = - 55°С: ГТ403А ─ ГТ403Д, ГТ403Ж ГТ403Ю	Δh 21Э /h 21Э	-50 -50		+100 +50	5 5		0,1 0,1
Статический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: ГТ403Е, ГТ403И	h 21Э	30		50	5		0,45
Изменение статического коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ относительно температуры 20°С, % при Тс = +70°С: ГТ403Е, ГТ403И при Тс = - 55°С: ГТ403Е, ГТ403И	Δh 21Э /h 21Э	-40 -40		+50 +50	5 5		0,45 0,45
Предельная частота коэффициента передачи тока, кГц ГТ403А ─ ГТ403В, ГТ403Ж ГТ403Е, ГТ403И, ГТ403Ю ГТ403Г, ГТ403Д	fh21 б			8 6	5 5		0,1 0,1
Крутизна вольт-амперной характеристики обратного тока коллектора, мкСм: ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403Ю ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д ГТ403Е ГТ403Ж, ГТ403И	YКБО			50 50 50	60 80 100
Крутизна вольт-амперной характеристики обратного тока коллектора - эмиттер, мкСм:	YКЭО			250	UКЭ = UКЭ max
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 55…+70°С): IК max – импульсный ток коллектора (tи ≤ 1 мкс), мА …..………………………………………………………………………….....1.25 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора (без теплоотвода), мВт:…………………………………………………..0,6 UКБ max - постоянное напряжение коллектор-база, В: ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403Ю……………………………………………………………………………………………………………45 ГТ403В ─ ГТ403Е………………………………………………………………………………………………………………………60 ГТ403Ж, ГТ403И …………………………………………………………………………………………………………………….....80 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В: ГТ403А ─ ГТ403Г, ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И, ГТ403Ю ………………………………………………………………………….20 ГТ403Д …………………………………………………………………………………………………………………………………..30 UКЭ max - постоянное напряжение и коллектор-эмиттер, В: ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403Ю……………………………………………………………………………………………………………30 ГТ403В ─ ГТ403Е………………………………………………………………………………………………………………………45 ГТ403Ж, ГТ403И …………………………………………………………………………………………………………………….....60
Наименование ГТ404 p – n – p	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б, мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА	IКБО			2	10
Обратный ток эмиттера, мкА	IЭБО			25		10
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: ГТ404А, ГТ404В, ГТ404Д, ГТ404В ГТ404Б, ГТ404Г, ГТ404Е, ГТ404И	h 21Э	30 60		80 150	1 1				3 3
Предельная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОБ, МГц	fh21 б	1			1				3
Коэффициент линейности h 21Э (IЭ = 3 мА) _____________________________ h 21Э(IЭ = 300 мА) ГТ402А─ ГТ402Г	Кi	0,6		1,5	1
Прямое напряжение эмиттер - база, В:	UЭБ пр			0,3			0		2
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 40…,+ 55°С): IК max – импульсный ток коллектора, мА …..…………………………………………………………………………..........................0,5 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт для корпуса 1…………..……………………………………………………………………………………………………………….600 для корпуса 1………………..………………………………………………………………………………………………………….300 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:……………………………………………………………………………………..20 UКЭ max - постоянное напряжение и коллектор-эмиттер (RБ ≤ 200 Ом), В: ГТ404А, ГТ404Б, ГТ404Д, ГТ404Е………………………………………………………………………………………………...25 ГТ404В, ГТ404Г, ГТ404Ж, ГТ404И………………………………………………………………………………………………...40
Наименование КТ601А n – p – n	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б, мА	Iэ, мА	f,кГц
Диапазон высоких частот
Обратный ток коллектора (RБ ≤ 100 кОм), мкА при Тс = - 40…+ 25°С: при Тс = + 85°С:	IКБО			500 50 200	100 50 50
Обратный ток эмиттера, мкА	IЭБО			50		2
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21Э|	2		11,5	20				10	20
Статический коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала в схеме с ОЭ: при Тс = + 85°С: при Тс = - 40°С:	h 21Э	16 16 10		300	20 20 20				10 10 10
Емкость коллекторного перехода, пФ:	Cк			15	20					2
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, нс:	τК			600	50				6	2
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 40…+ 85°С): IК, и max – импульсный ток коллектора, мА …..………………………………………………………………………….........................30 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт: с теплоотводом при Тк = - 40 + 55°……………………………………………………………………………………………………..500 без теплоотвода при Тс = - 40 + 55°……………………………………………………………………………………………………..200 UКБ max - постоянное напряжение коллектор-база, В:…………………………………………………………………………………100 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:………………………………………………………………………………………2 UКЭR max - постоянное напряжение и коллектор-эмиттер (RБ ≤ 100 кОм), ...………………………………………………………….100 UКБ max - постоянное напряжение и коллектор - база, ...……………………………………………………………………………….100
Наименование КТ602 n – p – n	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б, мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА при Тс = - 40…+ 25°С: при Тс = + 85°С:	IКБО			70 1000	120 100
Обратный ток эмиттера, мкА	IЭБО			50		5
Обратный ток коллектор - эмиттер (RБ = 10 кОм), мкА: при Тс = - 40…+ 25°С: при Тс = + 85°С:	I КЭО			100 1000	100 80
Граничное напряжение транзистора ( tи=5 мкс ), В	UКЭО гр	70							50	0,1
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В:	UКЭ нас		3				50	5
Напряжение насыщения база – эмиттер, В:	UБЭ нас		3				50	5
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ602А КТ602Б при Тс = + 85°С: КТ602А КТ602Б при Тс = - 40°С: КТ602А КТ602Б	h 21Э	20 50 16 40 5 12		80 220 240 80	10 10 10 10 10 10				10 10 10 10 10 10
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21Э|	1,5			10		25			100
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Cэ	15		25		0				2
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк	3,5		4	50					2
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, нс:	τК			300	10		10			2
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 40…+ 120°С): IК max – постоянный ток коллектора, мА …..………………………………………………………………………….........................75 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, мВт: при Тк ≤ 25 ± 10°С ………………………………………………………………………………………………………………………2,8 при Тк = + 85°С °………………………………………………………………………………………………………………………...0,65 UКБ max - постоянное напряжение коллектор-база, В: при Тп = - 40… + 70°С …………………………………………………………………………………………………………………...120 при Тп = + 120С …………………………………………………………………………………………………………………..............60 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:………………………………………………………………………………………5 UКЭR max - постоянное напряжение и коллектор-эмиттер (RБ ≤ 1 кОм), В: при Тп = - 40… + 70°С …………………………………………………………………………………………………………………...100 при Тп = + 120С …………………………………………………………………………………………………………………..............50
Наименование КТ603 n – p – n	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б, мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА при Тс = - 40…+ 25°С: КТ603А, КТ603Б, КТ603И КТ603В, КТ603Г КТ603Д, КТ603Е при Тс = + 85°С: КТ603А, КТ603Б, КТ603И КТ603В, КТ603Г КТ603Д, КТ603Е	IКБО	10 5 1		30 15 10 100 50 10	24 12 8
Обратный ток эмиттера, мкА КТ603А ─ КТ603НН КТ603И	IЭБО			3 3		3 4
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В: КТ603А ─ КТ603НН КТ603И	UКЭ нас	0,25 0,15		1 1,2			150 350	15 50
Напряжение насыщения база – эмиттер, В: КТ603А ─ КТ603НН КТ603И	UБЭ нас	0,3 0,5		1,5 1,3			150 350	15 50
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21Э|	2			10		30			100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: КТ603А, КТ603В КТ603Б, КТ603Г КТ603Д КТ603Е КТ603И при Тс = + 85°С: КТ603А, КТ603В КТ603Б, КТ603Г КТ603Д КТ603Е КТ603И при Тс = - 45°С: КТ603А, КТ603В КТ603Б, КТ603Г КТ603Д КТ603Е КТ603И	h 21Э	10 60 20 60 20 10 60 20 60 30 4 20 8 20 8		80 200 80 200 80 80 200					150 150 150 150 350 150 150 150 150 350 150 150 150 150 350
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк	8 (10)		15	10					5
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Cэ	25 (35)		40		0				5
Время рассеивания, мкс	tрас			100			150	15
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, нс:	τК			400	10		30			5
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 45…+ 85°С): IК max – постоянный ток коллектора (Тп = - 40… + 120°С), мА …..……………………………………………………………………..300 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Тс = + 24…+ 50°С), мВт:……………………………………………...........0,5 UКБ max - постоянное напряжение коллектор-база, В: при Тп = - 45… + 70°С КТ603А, КТ603Б, КТ603И……………………………………………………………………………………………………………...30 КТ603В, КТ603Г…………………………………………………………………………………………………………………...........15 КТ603Д, КТ603Е…………………………………………………………………………………………………………………...........10 при Тп = + 120°С: КТ603А, КТ603Б, КТ603И……………………………………………………………………………………………………………...15 КТ603В, КТ603Г…………………………………………………………………………………………………………………..........7,5 КТ603Д, КТ603Е………………………………………………………………………………………………………………….............5 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:……………………………………………………………………………………..10 при Тп = - 45… + 120°С КТ603А ─ КТ603Е………………………………………………………………………………………………………………………..3 при Тп = - 45… + 700°С КТ603И……………………………………………………………………………………………………………………………………4 при Тп = + 120°С КТ603И……………………………………………………………………………………………………………………………………3 UКЭR max - постоянное напряжение и коллектор-эмиттер (RБ ≤ 1 кОм), В: при Тп = - 45… + 70°С КТ603А, КТ603Б, КТ603И……………………………………………………………………………………………………………...30 КТ603В, КТ603Г…………………………………………………………………………………………………………………...........15 КТ603Д, КТ603Е…………………………………………………………………………………………………………………...........10 при Тп = + 120°С КТ603А, КТ603Б, КТ603И……………………………………………………………………………………………………………...15 КТ603В, КТ603Г…………………………………………………………………………………………………………………..........7,5 КТ603Д, КТ603Е………………………………………………………………………………………………………………….............5
Наименование КТ625А, КТ625М n – p – n	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б, мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора (при Тс = - 45…+ 85°С), мкА :	IКБО			30	60
Обратный ток эмиттера, мкА	IЭБО			100		4
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В:	UКЭ нас			1,2			500	50
Напряжение насыщения база – эмиттер, В:	UБЭ нас			1,5			500	50
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21Э|	2			10		50			10
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ (tи ≤30 мкс, Q≥50):	h 21Э	20		200	1		500
Время рассеивания, нс	tрас			60			500	50
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Cэ			90		0				10
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк			9	10					10
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. ср. Тс = - 45.. + 85°С): IК max – постоянный ток коллектора, А ………………...…..…………………………………………………………………………...1,0 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Тс = - 45 + 70°С), Вт:………………………………………………………..1,0 UКБ max - постоянное напряжение коллектор-база, В:…………………………………………………………………………………..60 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:………………………………………………………………………………………4 UКЭR max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RБ = 5 кОм), В...…………………………………………………………….40
Наименование КТ802А n – p – n	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б, мА	Iэ, мА	f,кГц
3.Транзисторы большой мощности Диапазон средних частот
Обратный ток коллектора, мА: при Тс = - 25…+ 25°С при Тс = + 100°С	IКБО			60 200	150 150
Обратный ток эмиттера, мкА	IЭБО	2		35		3
Обратный ток коллектор – эмиттера (RБ =0), мА	IКЭК	1		15	120
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В:	UКЭ нас	1		5			5	0,5
Напряжение насыщения база – эмиттер, В:	UБЭ нас	1		3	10		5
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (f = 10 МГц)	|h21Э|	1		4,5	10		0,5
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Тс = 25…100°С при Тс = - 25С	h 21Э	15 14	30	35	10 10		2 2
Статическая крутизна прямой передачи в схеме с ЭО, А/В	Y21Э	1,5			10		5
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре корпуса Тк = - 25.. + 100°С): IК max – постоянный ток коллектора, А ………………...…..…………………………………………………………………………......5 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Тк = - 25 + 25°С), Вт:………………………………………………………..50 UКБ max - постоянное напряжение коллектор-база, В:…………………………………………………………………………………150 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:………………………………………………………………………………………3 UКЭ, и max - импульсное напряжение коллектор-эмиттер (RБ = 0, tи ≤10 мкс, Q≥0,5), В...…………………………………………….130
Наименование КТ805А, КТ805Б n – p – n	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б, мА	Iэ, мА	f,кГц
Импульсный обратный ток коллектор – эмиттера (RБ =10),мА: КТ805А КТ805Б при 100°С: КТ805А КТ805Б	IКЭ R, и			60 60 70 70	160 135 160 135
Обратный ток эмиттера, мкА	IЭБО			100		5
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В: КТ805А КТ805Б	UКЭ нас			2,5 5			5 5	0,5 0,5
Напряжение насыщения база – эмиттер, В: КТ805А КТ805Б	UБЭ нас			2,5 5			5 5	0,5 0,5
Модуль коэффициента передачи тока (f = 10 МГц)	|h21Э|	2			10		1
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Тк = - 60°С	h 21Э	15 5		50	10 10		2 2
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре корпуса Тк = - 60.. + 100°С): IК max – постоянный ток коллектора, А ………………...…..…………………………………………………………………………......5 I Б max – постоянный ток базы, А ………………...…..………………………………………………………………………….................2 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Тк ≤ 50°С), Вт:……………………………………………………………...30 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:………………………………………………………………………………………5 UКЭR max - импульсное напряжение коллектор-эмиттер (tи ≤500 мкс с фронтом нарастания tф ≥15 мкс и RБ = 10 Ом), В: КТ805А…………………………………………………………………………………………………………………………………160 КТ805Б…………………………………………………………………………………………………………………………………135
Наименование КТ814 p – n – p	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б, мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА: при Тк = - 40…+ 25°С при Тк = + 100°С	IКБО		0,4 3	50 1000	40 40
Граничное напряжение транзистора ( tи ≤ 300 мкс, Q > 100 ), В: КТ814А КТ814Б КТ814В КТ814Г	UКЭО гр	25 40 60 80							50 50 50 50
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В:	UКЭ нас		0,2	0,6			500	50
Напряжение насыщения база – эмиттер, В:	UБЭ нас		0,9	1,2			500	50
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом:	h11Э		300	800	5				5	0,8
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ КТ814А, КТ814Б, КТ814В КТ814Г при Тк = + 100°С: КТ814А, КТ814Б, КТ814В КТ814Г при Тк = - 40°С: КТ814А, КТ814Б, КТ814В КТ814Г	h 21Э	40 30 40 30 30 20	70 70		2 2 2 2 2 2				150 150 150 150 150 150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	fгр	3			5				30	1000
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Cэ		60	75	0,5					465
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк		40	60	5					465
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре корпуса Тк = - 40.. + 100°С): IК max – постоянный ток коллектора, А ………………...…..…………………………………………………………………………...1,5 I Б max – постоянный ток базы, А ………………...…..…………………………………………………………………………..............0,5 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт:…………………………………………………………….....................10 То же без теплоотвода………………………………………………………………………………………………………………….1,0 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:………………………………………………………………………………………5 UКЭО max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер (IБ=0), В: КТ814А…………………………………………………………………………………………………………………………………..25 КТ814Б…………………………………………………………………………………………………………………………………..40 КТ814В…………………………………………………………………………………………………………………………………..60 КТ814Г…………………………………………………………………………………………………………………………………..80 UКЭR max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RБ ≤ 100 Ом), В: КТ814А…………………………………………………………………………………………………………………………………..40 КТ814Б…………………………………………………………………………………………………………………………………..50 КТ814В…………………………………………………………………………………………………………………………………..70 КТ814Г………………………………………………………………………………………………………………………………….100
Наименование КТ815 n – p – n	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б, мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА: при Тк = - 40…+ 25°С при Тк = + 100°С	IКБО		0,06 5	50 1000	40 40
Граничное напряжение транзистора ( tи ≤ 300 мкс, Q > 100 ), В: КТ815А КТ815Б КТ815В КТ815Г	UКЭО гр	25 40 60 80							50 50 50 50
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В:	UКЭ нас		0,2	0,6			500	50
Напряжение насыщения база – эмиттер, В:	UБЭ нас		0,9	1,2			500	50
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала, Ом:	h11Э		300	800	5		5			0,8
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ КТ815А, КТ815Б КТ815В КТ815Г при Тк = - 40°С: КТ815А, КТ815Б КТ815В КТ815Г	h 21Э	40 30	70 70 30 20		2 2 2 2		150 150 150 150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	fгр	3			5				30
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Cэ		60	75		0,5				465
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк		40	60	5					465
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре корпуса Тк = - 40.. + 100°С): IК max – постоянный ток коллектора, А ………………...…..…………………………………………………………………………...1,5 I Б max – постоянный ток базы, А ………………...…..…………………………………………………………………………..............0,5 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт: при Тк = 25°С …...…………………………………………………....10 то же без теплоотвода при Тк = 25°С …….………………………………………………………………………………………….1,0 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:………………………………………………………………………………………5 UКЭ max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В: КТ815А…………………………………………………………………………………………………………………………………..25 КТ815Б…………………………………………………………………………………………………………………………………..40 КТ815В…………………………………………………………………………………………………………………………………..60 КТ815Г…………………………………………………………………………………………………………………………………..80 UКЭR max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RБ ≤ 100 Ом), В: КТ815А…………………………………………………………………………………………………………………………………..40 КТ815Б…………………………………………………………………………………………………………………………………..50 КТ815В…………………………………………………………………………………………………………………………………..70 КТ815Г………………………………………………………………………………………………………………………………….100
Наименование КТ816 p – n – p	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б, мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА: при Тс = 150°С	IКБО		0,2 90	100 3000	UКБ=UКЭmax
Граничное напряжение транзистора ( tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 ), В: КТ816А КТ816Б КТ816В КТ816Г	UКЭО гр	25 45 60 80					100 100 100 100
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В:	UКЭ нас		0.33	0,6			1000	100
Напряжение насыщения база – эмиттер, В:	UБЭ нас		0,92	1,5			1000	100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Тс = + 150°С: при Тс = - 60°С:	h 21Э	25 25 15	40 40 35		2 2 2				1000 1000 1000
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	fгр	3			10				250	1
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Cэ		115			0,5				1
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк		60		10
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре корпуса Тк = -60... + 100°С): IК max – постоянный ток коллектора, А ………………...…..…………………………………………………………………………......3 I Б max – постоянный ток базы, А ………………...…..…………………………………………………………………………………….1 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт:.…………………………………………………………………………25 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:………………………………………………………………………………………5 UКЭ max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В: КТ816А…………………………………………………………………………………………………………………………………..25 КТ816Б…………………………………………………………………………………………………………………………………..40 КТ816В…………………………………………………………………………………………………………………………………..60 КТ816Г…………………………………………………………………………………………………………………………………..80 UКЭR max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RБ ≤ 100 Ом), В: КТ816А…………………………………………………………………………………………………………………………………..40 КТ816Б…………………………………………………………………………………………………………………………………..45 КТ816В…………………………………………………………………………………………………………………………………..60 КТ816Г………………………………………………………………………………………………………………………………….100
Наименование КТ817 n – p – n	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б, мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мкА: при Тс = 150°С	IКБО		0,1 40	100 3000	UКБ=UКЭmax UКБ=UКЭmax
Граничное напряжение транзистора ( tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 ), В: КТ817А КТ817Б КТ817В КТ817Г	UКЭО гр	25 45 60 80					100 100 100 100
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В:	UКЭ нас		0,15	0,6			1000	100
Напряжение насыщения база – эмиттер, В:	UБЭ нас		0,83	1,5			1000	100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Тс = + 25°С: при Тс = + 150°С: при Тс = - 60°С:	h 21Э	25 25 15	30 45 25		2 2 2				1000 1000 1000
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	fгр	3			10				250
Емкость эмиттерного перехода, пФ	Cэ			115		0,5				1
Емкость коллекторного перехода, пФ	Cк			60	10					1
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре корпуса Тк = -60... + 100°С): IК max – постоянный ток коллектора, А ………………...…..…………………………………………………………………………......3 I Б max – постоянный ток базы, А ………………...…..…………………………………………………………………………………….1 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт: при Тк ≤ 25°С ……………………………………………………………………………………………………………………………25 при Тк ≤ 25°С (без теплоотвода)…………………………………………………………………………………………………............1 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:………………………………………………………………………………………5 UКЭО max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер (IБ=0), В: КТ817А…………………………………………………………………………………………………………………………………..25 КТ817Б…………………………………………………………………………………………………………………………………..45 КТ817В…………………………………………………………………………………………………………………………………..60 КТ817Г…………………………………………………………………………………………………………………………………..80 UКЭR max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RБ ≤ 1000 Ом), В: КТ817А…………………………………………………………………………………………………………………………………..40 КТ817Б…………………………………………………………………………………………………………………………………..45 КТ817В…………………………………………………………………………………………………………………………………..60 КТ817Г………………………………………………………………………………………………………………………………….100
Наименование КТ818 p – n – p	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б, мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мА: при Тс = 100°С	IКБО			1 10	40 40
Граничное напряжение транзистора ( tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 ), В: КТ818А КТ818Б КТ818В КТ818Г	UКЭО гр	25 40 60 80							0,1 0,1 0,1 0,1
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В: То же в другом режиме	UКЭ нас			2,0 4,1			5 15		0,5 3
Напряжение насыщения база – эмиттер, В:	UБЭ нас			3,0			5		0,5
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Тс = + 25°С: КТ818А, КТ818В КТ818Б КТ818Г при Тс = + 100°С: КТ818А, КТ818В КТ818Б КТ818Г при Тс = - 40°С: КТ818А, КТ818В КТ818Б КТ818Г	h 21Э	15 20 12 15 20 12 10 15 7	20 20 20 27 27 27 15 15 15		5 5 5 5 5 5 5 5 5				5 5 5 5 5 5 5 5 5
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ при f =1 МГц, МГц	fгр	3			5				0,5
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре корпуса Тк = -40... + 100°С): IК max – постоянный ток коллектора, А: В корпусе ТО-220...…..…………………………………………………………………………............................................................10 В корпусе КТ-25.....…..…………………………………………………………………………............................................................15 I Б max – постоянный ток базы, А ………………...…..…………………………………………………………………………………….3 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт: при Тк ≤ 25°С В корпусе ТО-220...…..…………………………………………………….........................................................................................60 В корпусе КТ-25.....…..………………………………………………………...................................................................................100 при Тк ≤ 25°С (без теплоотвода) В корпусе ТО-220...…..……………………………………………………........................................................................................1,5 В корпусе КТ-25...…..……………………………………………………….........................................................................................2 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:………………………………………………………………………………………5 UКЭО max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер (IБ=0), В: КТ818А…………………………………………………………………………………………………………………………………..25 КТ818Б…………………………………………………………………………………………………………………………………..40 КТ818В…………………………………………………………………………………………………………………………………..60 КТ818Г…………………………………………………………………………………………………………………………………..80 UКЭR max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RБ ≤ 1000 Ом), В: КТ818А…………………………………………………………………………………………………………………………………..40 КТ818Б…………………………………………………………………………………………………………………………………..50 КТ818В…………………………………………………………………………………………………………………………………..70 КТ818Г…………………………………………………………………………………………………………………………………...90
Наименование КТ819 n – p – n	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б, мА	Iэ, мА	f,кГц
Обратный ток коллектора, мА: при Тк = - 40…+ 25°С при Тк = + 100°С	IКБО			1 10	40 40
Граничное напряжение транзистора ( tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 ), В: КТ819А КТ819Б КТ819В КТ819Г	UКЭО гр	25 40 60 80							0,1 0,1 0,1 0,1
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В: То же в другом режиме	UКЭ нас		0,5	2 4,0			5 15	0,5 3
Напряжение насыщения база – эмиттер, В:	UБЭ нас		1,4	3			5	0,5
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ КТ819А, КТ819В КТ819Б КТ819Г при Тс = + 100°С: КТ819А, КТ819В КТ819Б КТ819Г при Тс = - 40°С: КТ819А, КТ819В КТ819Б КТ819Г	h 21Э	15 20 12 15 20 12 10 15 7	30 30 30 60 60 60 25 25 25		5 5 5 5 5 5 5 5 5				5 5 5 5 5 5 5 5 5
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	fгр	3			5				0,5
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре окр. среды Тс = -40... + 100°С): IК max – постоянный ток коллектора, А: В корпусе ТО-220...…..…………………………………………………………………………............................................................10 В корпусе КТ-25.....…..…………………………………………………………………………............................................................15 I Б max – постоянный ток базы, А ………………...…..…………………………………………………………………………………….3 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт: В корпусе ТО-220...…..……………………………………………………............................................................................................60 В корпусе КТ-25.....…..………………………………………………………......................................................................................100 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:………………………………………………………………………………………5 UКЭО max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В: КТ819А…………………………………………………………………………………………………………………………………..25 КТ819Б…………………………………………………………………………………………………………………………………..40 КТ819В…………………………………………………………………………………………………………………………………..60 КТ819Г…………………………………………………………………………………………………………………………………..80 UКЭR max - постоянное напряжение коллектор-эмиттер (RБ ≤ 1000 Ом), В: КТ819А…………………………………………………………………………………………………………………………………..40 КТ819Б…………………………………………………………………………………………………………………………………..50 КТ819В…………………………………………………………………………………………………………………………………..70 КТ819Г…………………………………………………………………………………………………………………………………...90
Наименование КТ 902А n – p – n	Обозначение	Значения	Режимы измерения
min	типовое	max	Uк, В	Uэ, В	I к, мА	I Б,мА	Iэ, мА	f,кГц
Диапазон высоких частот
Обратный ток коллектора, мА: при Тк = + 125°С при Тк = - 60°С	IКБО			10 20 20	70 70 70
Обратный ток эмиттера, мА	IЭБО			100
Обратный импульсный ток коллектор – эмиттер (RБ ≤ 50 Ом ), мА	IЭКЭR, и			60	110 (имп)					5* 10-5
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В:	UКЭ нас			2,0			2	0,4
Прямое напряжение база – эмиттер, В	UБЭО			2,0	10		2
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте	|h21Э|	3,5			10		1			10
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	h 21Э	15			10		2
Выходная мощность (для 90% приборов), Вт	PВЫХ	20			ЕК=28В					10
Коэффициент усиления по мощности (PВЫХ ≥20 Вт, для 90% приборов), дБ	КуР	7			ЕК=28В					10
Максимально допустимые параметры (гарантируются при температуре корпуса Тк = - 60... + 125°С): IК max – постоянный ток коллектора, А:………………………………………………………..................................................................5 I Б max – постоянный ток базы, А ………………...…..…………………………………………………………………………………….2 PК max– постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт:.................................................................................................................30 UЭБ max - постоянное напряжение эмиттер-база, В:………………………………………………………………………………………5 UКЭR, и max - импульсное напряжение коллектор-эмиттер (RБ ≤ 50 Ом, tи ≤ 15мкс), В:…….............................................................110

Справочные данные полупроводниковых диодов