Конференция стран СНГ по росту кристаллов (стр. 2 )

9.30-11.00	Пленарная сессия
9.30-10.05	«Восстановление условий роста кристаллов по данным о распределении примеси» (ФГБУН Институт кристаллографии им. РАН, Москва)
10.05-10.40	«Улучшение функциональных характеристик сверхпроводящих монодоменных ПТ-YBCO материалов за счет создания двойниковой наноструктуры в процессе насыщения кислородом» (Институт сверхтвердых материалов им. НАН Украины, Киев)
10.40-11.00	Перерыв
	Устные доклады
11.00-13.00	Секция А	Секция В
	(1) Фундаментальные проблемы образования и роста кристаллов. (2) Функциональные кристаллические материалы: рост и физические свойства	(1) Низкоразмерные структуры (гибридные структуры, поверхностные слои и пленки, жидкие кристаллы и др. (2) Нанокристаллы и наносистемы: формирование, строение и свойства
	11.00-11.15	А(2)1	11.00-11.15	В(2)7
11.15-11.30	А(2)2	11.15-11.30	В(2)8
11.30-11.45	А(2)3	11.30-11.45	В(2)9
11.45-12.00	А(2)4	11.45-12.00	В(2)10
12.00-12.15	А(2)5	12.00-12.15	В(2)11
12.15-12.30	А(2)6	12.15-12.30	В(2)12
12.30-12.45	А(2)7	12.30-12.45	В(2)13
13.00-14.30	Обед
14.30-15.40	Пленарная сессия
14.30-15.05	«Нанодиагностика органических и биоорганических тонких пленок на основе спектрально-селективных рентгеновских методов» (ФГБУН Институт кристаллографии им. РАН, Москва)
15.05-15.40	«Сапфир в медицине» (Институт монокристаллов НАН Украины, Харьков)
15.40-16.00	Перерыв
16.00-17.30	Устные доклады
	Секция А	Секция В
	16.00-16.15	А(2)8	16.00-16.15	В(2)14
16.15-16.30	А(2)9	16.15-16.30	В(2)15
16.30-16.45	А(2)10	16.30-16.45	В(2)16
16.45-17.00	А(2)11	16.45-17.00	В(2)17
17.00-17.15	А(2)12	17.00-17.15	В(2)18
17.15-17.30	А(2)13	17.15-17.30	В(2)19

4 ОКТЯБРЯ, ЧЕТВЕРГ

9.30-11.00	Пленарная сессия
9.30-10.05	«Структурная характеризация и сертификация наночастиц и тонких пленок» (ФГБУН Институт кристаллографии им. РАН, Москва)
10.05-10.40	«Проблемы получения, исследования и использования монокристаллов CdTe и твердых растворов на их основе» (Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы)
10.40-11.00	Перерыв
11.00-13.00	Устные доклады
	Секция А	Секция С
	(1) Фундаментальные проблемы образования и роста кристаллов. (2) Функциональные кристаллические материалы: рост и физические свойства	(1) Современные методы характеризации и сертификации кристаллических материалов. (2) Инновационные разработки в области создания и применения кристаллических материалов
	11.00-11.15	А(2)14	11.00-11.15	С(1)1
11.15-11.30	А(2)15	11.15-11.30	С(1)2
11.30-11.45	А(2)16	11.30-11.45	С(1)3
11.45-12.00	А(2)17	11.45-12.00	С(1)4
12.00-12.15	А(2)18	12.00-12.15	С(1)5
12.15-12.30	А(2)19	12.15-12.30	С(1)6
12.30-12.45	А(2)20	12.30-12.45	С(1)7
13.00-14.30	Обед
14.30-15.40	Пленарная сессия
14.30-15.05	«Физико-технологические основы оптимизации солнечных элементов на основе CdS/CdTe» (Национальный технический университет «ХПИ», Харьков)
15.05-15.40	«Оптика наноструктур металл-диэлектрик – от дифракционных решеток к метаматериалам» (ФГБУН Институт кристаллографии им. РАН, Москва))
15.40-17.10	Устные доклады
	Секция А	Секция С
	15.40-15.55	А(2)21	15.40-15.55	С(2)1
15.55-16.10	А(2)22	15.55-16.10	С(2)2
16.10-16.25	А(2)23	16.10-16.25	С(2)3
16.25-16.40	А(2)24	16.25-16.40	С(2)4
16.40-16.55	А(2)25	16.40-16.55	С(2)5
16.55-17.10	А(2)26	16.55-17.10	С(2)6
17.10-17.30	Перерыв
17.30-19.00	Стендовая сессия: Р64А–Р93А, Р94В–Р121В, Р122С–Р131С

5 ОКТЯБРЯ, ПЯТНИЦА