Конференция стран СНГ по росту кристаллов (стр. 4 )

3 ОКТЯБРЯ УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ

12.15	А(2)6	, , , . Нелинейно-оптические композитные материалы на основе кристаллов KDP c инкорпорированными наночастицами металлоксидов
12.30	А(2)7	, , Получение и некоторые свойства смешанных кристаллов K2NixCo(1-x)(S04)2·6H2O

Секция В
(1) Низкоразмерные структуры (гибридные структуры, поверхностные слои и пленки, жидкие кристаллы и др.) (2) Нанокристаллы и наносистемы: формирование, строение и свойства
11.00	В(2)7	, . Исследование физико-механических свойств монокристаллов LiF в микро - и субмикрообьёмах методами динамического нано-индентирования
11.15	В(2)8	, . Cтруктурно-фазовое состояние нанослоев оксидов редкоземельных металлов на SiO2 темплатах
11.30	В(2)9	, , . Синтез, структура и оптические свойства монодисперсных сферических наночастиц Y2O3 – ZnO, Eu2O3
11.45	В(2)10	, , . Структурно-морфологические характеристики композитных нано-порошков Y2O3/ZnO на основе мезопористых сферических частиц оксида иттрия
12.00	В(2)11	, , . Структура и термическая стабильность многослойных периодических композиций C/Si
12.15	В(2)12	, , . Фотоэлектри-ческие свойства гетероструктуры p-SiC/p-Si
12.30	В(2)13	, , . Условия формирования высокотвердых нано-систем на основе вакуумно-дуговых нитридных покрытий

13.00-14.30 обед

ВЕЧЕРНЯЯ СЕССИЯ

3 ОКТЯБРЯ УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ

14.30-15.40 ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ

14.30-15.05	«Нанодиагностика органических и биоорганических тонких пленок на основе спектрально-селективных рентгеновских методов» (ФГБУН Институт кристаллографии им. РАН, Москва)
15.05-15.40	«Проблемы получения, исследования и использования монокристаллов CdTe и твердых растворов на их основе» (Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы)

15.40-17.10 заседание секций

Секция А
(1) Фундаментальные проблемы образования и роста кристаллов. (2) Функциональные кристаллические материалы: рост и физические свойства
15.40	А(2)8	, , Х. Желинкова, М. Желинек. Спектроскопические и генерационные свойства двухвалентного железа в кристаллах ZnMgSe
15.55	А(2)9	Samoylov A. M., Belenko S. V., Siradze B. A., Dontsov A. I., Ievlev V. M. The synthesis of GayPb1-y layers with predicted chemical composition by modified “hot wall” epitaxy technique
16.10	А(2)10	, , Анизотропия деформационных процессов монокристаллов корунда различного структурного совершенства
16.25	А(2)11	c, , . Эпитаксиальный рост и оптическое поглощение ионов Ni2+ и Ni3+ в гадолиний-галлиевых гранатовых пленках
16.40	А(2)12	Belenko S. V., Samoylov A. M., Siradze B. A., Toreev A. S., Ievlev V. M. The real microstructure of PbTe films prepared by modified HWE technique on Si (100) and BaF2 (100) substrates
16.55	А(2)13	, Условие температурной устойчивости площади межфазной границы «расплав-кристалл» в поле аксиального температурного градиента и новые методы выращивания

3 ОКТЯБРЯ УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ

Секция В
(1) Низкоразмерные структуры (гибридные структуры, поверхностные слои и пленки, жидкие кристаллы и др.) (2) Нанокристаллы и наносистемы: формирование, строение и свойства
15.40	В(2)14	, П. Дзява, , А. Резка, Т. Стори, A. Ю. Сипатов. Рост нитевидных нанокристаллов висмута из композитных тонких пленок
15.55	В(2)15	A. Ю. Сипатов, , П. Дзява, А. Резка, М. Шот, Л. Ковальчик, Т. Стори. Квантовые точки PbTe на основе эпитаксиальных гетероструктур
16.10	В(2)16	, . Столкновения частиц с малым числом степей свободы
16.25	В(2)17	, , O. М. Вовк, . Эффекты фазового разделения в полимерных нанокомпозитах с полупроводниковыми нанокристаллами
16.40	В(2)18	, . Люминесценция твердых смесей ксенона и криптона с молекулярным дейтерием
16.55	В(2)19	, , . Активные среды на основе наноструктурированных SiO2 матриц с инкорпорированными молекулами красителей

4 ОКТЯБРЯ УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ

УТРЕННЯЯ СЕССИЯ

09.30-10.40 ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ

9.30-10.05	«Структурная характеризация и сертификация наночастиц и тонких пленок» (ФГБУН Институт кристаллографии им. РАН, Москва)
10.05-10.40	«Сапфир в медицине» (Институт монокристаллов НАН Украины, Харьков)

10.40-11.00 перерыв

11.00-12.45 заседание секций

Секция А
(1) Фундаментальные проблемы образования и роста кристаллов. (2) Функциональные кристаллические материалы: рост и физические свойства
11.00	А(2)14	, , . Температура равновесия кристаллов и растворов KDP, ADP+KDP как функция их предварительной магнитной обработки
11.15	А(2)15	, . Филаментация и коническая эмиссия в нелинейных боратных кристаллах LBO, CBO, CLBO, BBO, SBO в поле фемтосекундной накачки
11.30	А(2)16	, , , , . Структура и сверх-проводящие свойства кристаллов FeSe
11.45	А(2)17	, , . Влияние гетеровалентных примесей на оптические свойства кристаллов ниобата бария-стронция
12.00	А(2)18	, , Оптическое поглощение в ближнем ИК диапазоне в монокристаллах Zn1-xMgxSe:TM2+
12.15	А(2)19	, , Особенности морфологии и распределения газовых включений в монокристаллических лентах сапфира, выращенных способом Степанова
12.30	А(2)20	, , Рост и исследование сцинтилляционных кристаллов SrI2, SrAlF5, легированных редкоземельными элементами

4 ОКТЯБРЯ УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ

Секция С
(1) Современные методы характеризации и сертификации кристаллических материалов. (2) Инновационные разработки в области создания и применения кристаллических материалов
11.00	С(1)1	. Компьютерное моделирование роста кристаллов кремния и сапфира
11.15	С(1)2	, Современное оборудование компании «ТЕРМО ТЕХНО» для проведения исследований в области материаловедения
11.30	С(1)3	, Пироэлектрическая дефектоскопия нестехиометричных кристаллов типа вюрцита: CdSe
11.45	С(1)4	, , , . Изучение условий формирования вертикально ориентированных стержней монокристаллического ZnO
12.00	С(1)5	Ковалёв С. И., Лясникова М. С., Волошин А. Э., Крамаренко В. А., Баскакова С. С., Шишков В. А., Дымшиц Ю. М., Задорожная Л. А., Устройства для кристаллизации белков в космосе
12.15	С(1)6	, , . Динамических анализ процесса кристаллизации метода Киропулоса
12.30	С(1)7	, , . Управление дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния во время их роста и изготовления приборов на их основе

13.00-14.30 обед

ВЕЧЕРНЯЯ СЕССИЯ

14.30-15.40 ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ

14.30-15.05	«Физико-технологические основы оптимизации солнечных элементов на основе CdS/CdTe» (Национальный технический университет «ХПИ», Харьков)
15.05-15.40	«Оптика наноструктур металл-диэлектрик – от дифракционных решеток к метаматериалам» (ФГБУН Институт кристаллографии им. РАН, Москва))

4 ОКТЯБРЯ УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ

15.40-17.10 заседание секций

Секция А
(1) Фундаментальные проблемы образования и роста кристаллов. (2) Функциональные кристаллические материалы: рост и физические свойства
15.40	А(2)21	. Корреляции некоторых кристаллохимических свойств кристаллов семейства лангасита и параметров ячейки
15.55	А(2)22	Связь длин химических связей и величины пъезоэлектрической константы d11 кристаллов семейства лангасита
16.10	А(2)23	, . Влияние температуры ТО в водороде на характер взаимодействия водорода с кристаллами ZnSe(X)
16.25	А(2)24	, , Кристаллизация поликристаллических слоев селенида цинка
16.40	А(2)25	, , . Механизм взаимодействия Al2O3 и SiO2 в процессе химико-механического полирования сапфира диоксидом кремния
16.55	А(2)26	, , . Исследование характеристик нарушенного приповерхностного слоя сапфира при механической и химико-механической обработке

Секция С
(1) Современные методы характеризации и сертификации кристаллических материалов. (2) Инновационные разработки в области создания и применения кристаллических материалов
15.40	С(2)1	, , Ш-о., Оптимизация температурных условий при выращивании крупногабаритных кристаллов сапфира методом ГНК
15.55	С(2)2	. Выращивание крупных монокристаллов алмаза в области предельно высоких температур роста
16.10	С(2)3	, , . Получение шихты селенида цинка в водных растворах
16.25	С(2)4	, . О возможности растить кристаллы из расплава с повышенными скоростями
16.40	С(2)5	, . Особенности физических свойств монокристаллической матрицы Zn1-xMgxSe для активных элементов перестраиваемых лазеров среднего ИК диапазона

4 ОКТЯБРЯ УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ

16.55

С(2)6

, , . Выращивание кристаллов CsI методом Киропулоса с системой управления параметрами роста

17.10-17.30 перерыв

17.30-19.00 Стендовая сессия: Р64А–Р93А, Р94В–Р121В, Р122С–Р127С

5 ОКТЯБРЯ УСТНЫЕ ДОКЛАДЫ

УТРЕННЯЯ СЕССИЯ

09.30-11.15 ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ

9.30-10.05	«Радиационно-индуцированное создание кристаллических композитных наноструктур произвольной геометрии» (НИЦ "Курчатовский институт", Москва)
10.05-10.40	«Фотоника хиральных жидких кристаллов» (ФГБУН Институт кристаллографии им. РАН, Москва)
10.40-11.15	«Современные проблемы и достижения в области выращивания кристаллов полупроводников» (, Москва)

11.15-11.30 перерыв

11.00-12.45 заседание секций

Секция А, В
(1) Фундаментальные проблемы образования и роста кристаллов. (2) Функциональные кристаллические материалы: рост и физические свойства
(1) Низкоразмерные структуры (гибридные структуры, поверхностные слои и пленки, жидкие кристаллы и др. (2) Нанокристаллы и наносистемы: формирование, строение и свойства
11.30	А(2)27	, , Получение, строение и электропроводные свойства новых тройных фосфатов Na4MIIMIII(PO4)3 семейства NASICON
11.45	А(2)28	, , , Явецкий Р. П. Люминесцентные свойства монокристаллов CsI:Men+ (Me=Eu2+, Y3+, Mg2+)
12.00	А(2)29	, , -о., , Получение модифицированных подложек сапфира для эпитаксии нитридных гетероструктур
12.15	В(2)20	, , , . Наноразмерные модификации диоксида титана со структурами анатаза и h-TiO2, сочетающие высокую фотоактивность и эффективную адсорбцию