ФГУП "НИИФП им. "

Российское агентство по системам управления

Москва, Зеленоград,
проезд 4806, дом 6

Тел.: (0Факс: (0

e-mail: *****@***ru web: www. *****

ФГУП "НИИФП им. " учреждено в 1964 году. На сегодняшний день в его штате 350 сотрудников (среди них 70 имеют ученую степень). В 3-х научно-производственных корпусах института сосредоточено современное технологическое и диагностическое оборудование для проведения разработок в области микро - и наноэлектроники, микроэлектромеханики. Одно из важнейших направлений исследований в институте - создание сверхпроводниковой элементной базы электроники. Разработки по этому направлению ведутся с 1974 года. За четверть века накоплен значительный практический опыт по разработке элементной базы на основе эффекта Джозефсона:

· создана технологическая линия, позволяющая оперативно проводить новые разработки сверхпроводниковых тонкопленочных структур;

· отработана технология получения любых типов джозефсоновских переходов.

Крупнейшие достижения института - разработки и исследования цифровых и аналоговых сверхпроводниковых интегральных схем:

· элементы сверхбыстродействующих АЦП,

· многоканальные магнитометрические и градиентометрические системы,

· сверхпроводниковые СВЧ ИС,

· ИС эталона напряжения,

· ИС ИК диапазона длин волн.

Наряду с разработкой ИС джозефсоновских схем на низкотемпературных сверхпроводниках, создается задел по формированию тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) и схем на их основе.

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

В настоящее время НИИФП совместно с ЗАО "Компэлст" активизировали работы по дальнейшему развитию сверхпроводниковой технологии и элементной базы на ее основе. Начаты работы по изучению и формированию джозефсоновских переходов типа SINIS, теоретически разработанных (НИИЯФ МГУ). Совместно с МПГУ проводятся работы по созданию приемных NbN элементов терагерцовой области частот на основе эффекта разогрева электронов. По заказу Госстандарта России совместно с ВНИИМ им. выполнен эскизный проект и изготавливаются тестовые образцы джозефсоновских ИС для решения метрологических задач (создание отечественной элементной базы эталонов электрических величин). В настоящее время координирующую роль по этим работам взял на себя ВНИИМС.

АДМИНИСТРАЦИЯ

Директор института –

, д. т.н.

Тел.: (0

Факс: (0

e-mail: *****@***ru

Ученый секретарь - , д. ф.-м. н.

Тел.: (0

 
 
ПОдразделение и
ведущие специалисты

Отдел 83

Тел.: (0

Факс: (0

e-mail: *****@***ru

главный технолог, начальник отдела

, к. ф.-м. н.

начальник лаборатории

, к. ф.-м. н.

начальник лаборатории

начальник лаборатории

ведущий инженер

ведущий инженер

инженер технолог 1категории

КООПЕРАЦИИ


им.

Физический факультет МГУ

НИИЯФ МГУ

Теоретический анализ свойств джозефсоновских переходов и сверхпроводниковых ИС на их основе; расчет и проектирование сверхпроводниковых ИС.

МПГУ,
Москва

Радиометры ТГц диапазона на основе сверхпроводниковых наноструктур.

ВНИИМС,
Москва

Эталон Вольта на основе цепочек джозефсоновских переходов.

ВНИИФТРИ, Менделеево Московской обл.

Компараторы тока на ПТ-сквидах и цепочки джозефсоновских переходов для эталона Вольта.

ЗАО
"Компэлст"

Системы измерения температуры и

теплая электроника для сверхпроводниковых приборов.

ВАЖНОЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
И ДИАГНОСТИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА

Технологическое оборудование для формирования джозефсоновских переходов и сверхпроводящих контактов

Вакуумные установки

Тип, марка

Год приобретения

Функциональные возможности

УВН-75П-1

1976 г.

Нанесение тонких пленок Nb, Mo, Ti, a-Si с предварительной ионной очисткой поверхности пластин.

UTS-500

1981 г.

SCR-650

1991 г.

"Магна"

УРМ 3.279.011

1977 г.

Нанесение SiO2, Al2O3, ZrO2

 

УВН-71 Р-3

1970 г.

Нанесение V, Cu, Al

 

 
 
Оборудование для формирования рисунка и химической обработки пластин (проектные топологические нормы 2 мкм)

Наименование

Тип, марка

Год приобретения

§ Установка для проведения фотолитографических работ

"ЛАДА"
Электроника-125

1985 г.

§ Установки совмещения и экспонирования.

ЭМ-5006

ЭМ-5006А

1988 г.

§ Установка ионно-химического травления

УРМ 3.279.029

1975 г.

§ Установка плазменной обработки пластин

"Плазма 600".

1981 г.

Контрольно-измерительное оборудование:

Наименование

Тип, марка

Год приобретения

§ Оптический микроскоп

NU-2E

1984 г.

§ Автоматический эллипсометр

AutoEL-4

1991 г.

§ электронный микроскоп

STEREO-SCAN360

1991 г.

§ Атомно-силовой микроскоп

SOLVER

2000 г.

§ Измеритель проводимости пленок

ИУС-1

Оборудование для скрайбирования, резки и сборки кристаллов - "Алмаз", ЭМ-225 (год приобретения - 1977 г.).

Измерительный стенд для межоперационного контроля и электрофизических исследований в технологии (контроль зависимости R(T) и ВАХ – изготовлен в 1985 г.).

Оборудование для проектирования топологии сверхпроводниковых ИС

Тип, марка

Год приобретения

Функциональные возможности

ЭВМ IBM PC (PentiumII)

2001 г.

Иерархическая система проектирования "Pult 3.1"

РЕЗУЛЬТАТЫ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
ЗА ПОСЛЕДНИЕ 5 ЛЕТ

1997 г.

, ,

Электрофизические свойства и структура тонких эпитаксиальных пленок молибдена и ниобия.

Тезисы докладов. III Международная научно-техническая конференция “Микроэлектроника и информатика” 1997 г. Москва, Зеленоград. с. 51-59, 173

1998 г.

, ,

Просранственно-селективный метод формирования металлических кластеров.

Тезисы докладов. Всероссийская научно-техническая конференция «Микро - и наноэлектроника 98», Звенигород 1998

,

Аппаратно-программный комплекс для исследования электрофизических характеристик туннельно-кластерных наноструктур.

Тезисы докладов. Всероссийская научно-техническая конференция «Микро - и наноэлектроника 98», Звенигород, 1998

 
 
2000 г.

, ,

Высокостабильный монокристаллический молибденовый терморезистор в интегральном исполнении.

Тезисы докладов. Всероссийская конференция “Сенсор-2000” с. 239. Санкт-Петербург 21-23 июня 2000 г.

, ,

Электрофизические характеристики молибденового термоанемометра

Тезисы докладов. Всероссийская конференция “Сенсор-2000”. Санкт-Петербург 21-23 июня 2000 г.

РАЗРАБОТКИ, ИМЕЮЩИЕ ПРИКЛАДНОЙ ПОТЕНЦИАЛ

ПРИБОРЫ И УСРОЙСТВА

1. НТСП магнитометрические и градиентометрические ИС на основе
ПТ-сквидов.

§ Разрешение по магнитному полю - Т/Гц1/2

§ Динамический диапазон - дБ

§ Рабочий ток -мкА.

Область применения – прецизионные измерительные системы.

Состояние разработок - изготовлены и испытаны НТСП ИС на основе многопетлевых ПТ-сквидов.

2. Многоканальные магнитометрические системы на основе НТСП
ПТ-сквидов.

§ Разрешение по магнитному полю - Т/Гц1/2

§ Динамический диапазон - дБ

§ Рабочий ток -мкА.

Область применения – медицина, геология, геофизика, НЧ-связь.

Состояние разработок - проведены лабораторные испытания 3-х канальной магнитометрической системы.

3. ИС цепочек джозефсоновских переходов для стандарта напряжения.

§ Число переходов - до 1000

§ Критический ток - до 500 мкА

§ Рабочая частота -ГГц.

Область применения – эталоны Вольта.

Состояние разработок - Изготовлены и испытаны ИС с числом переходов до 100.

4. Терморезистивные датчики на основе монокристаллических Mo пленок.

§ Рабочий диапазон -К

§ Точность градуировки - 0,1 - 0,01 К

§ Воспроизводимость 0,01 К.

Область применения – Термометрические измерительные системы на диапазон температурК.

Состояние разработок - Изготовлены и испытаны терморезистивные датчики для НПО"Химавтоматика", ВНИИФТРИ.