Физика полупроводниковых приборов (стр. 3 )

1	2	3	4	5	6
2.4	Многокристальные модули на основе электрохимического процесса окисления вентильных металлов (МКМ-А)	5	8		13
3	Сборка и испытания МКМ
3.1	Сборка МКМ	2			2
3.2	Основные электрофизические и конструктивно-технологические характеристики МКМ	2	4		6
3.3	Перспективы развития и применения различных технологий МКМ	2			2

СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

Часть 1. ОСНОВЫ КРЕМНИЕВОЙ ТЕХНОЛОГИИ

Раздел 1. ВВЕДЕНИЕ. ТРЕБОВАНИЯ К ПРОИЗВОДСТВУ ИС

Общая характеристика производства микросхем. Основные термины и понятия. Классификация и общая характеристика микросхем. Техническая документация на микросхему.

Раздел 2. КРИСТАЛЛОЗАГОТОВКА

Тема 2.1. ВХОДНОЙ КОНТРОЛЬ

Ориентация слитка по кристаллографической плоскости резки. Определение плотности дислокаций. Контроль удельного сопротивления, времени жизни неравновесных носителей, диффузионной длины.

Тема 2.2. АБРАЗИВНАЯ ОБРАБОТКА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА

Абразивные материалы. Резка слитка на пластины: полотнами, проволокой, алмазным диском с внешней и внутренней алмазной кромкой. Шлифовка. Полировка. Химико-механическая полировка. Скрайбирование, включая лазерное; ультразвуковая резка. Дефектообразование при механических обработках полупроводниковых материалов. Структура нарушенного слоя после абразивной обработки. Контроль качества после этапов абразивной обработки.

Тема 2.3. ХИМИЧЕСКАЯ ПОДГОТОВКА ПЛАСТИН

Общие требования к качеству поверхности полупроводниковых пластин. Виды поверхностных загрязнений и основные источники загрязнения в производственных условиях. Химические реактивы для обезжиривания, полирующего и селективного травления и отмывки. Обезжиривание. Травление. Отмывка. Сушка. Контроль качества пластины после этапов химподготовки. Основные опасности при работе с технологическими химреактивами и требования правил техники безопасности.

Тема 2.4. ТРАНСПОРТИРОВКА И МЕЖОПЕРАЦИОННОЕ ХРАНЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Межоперационные сроки хранения. Освежение пластин после длительного хранения. Тара и оснастка для хранения и транспортировки пластин и химреактивов: материалы, оптимальные формы и конструкции.

Раздел 3. БАЗОВЫЕ МЕТОДЫ СОЗДАНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СЛОЕВ

Тема 3.1. ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ ВЫРАЩИВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ

Терминология, основы процесса эпитаксии. Газофазная эпитаксия кремния хлоридным и силановым методом: реактивы, типы реакторов, химические реакции, технологический маршрут, режимы, дефекты слоев, автоэпитаксия, контрольные точки. Локальная эпитаксия. Гетероэпитаксия. Молекулярно-лучевая эпитаксия. Контрольные точки. Основные правила техники безопасности.

Тема 3.2. ПОЛУЧЕНИЕ ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ

3.2.1. Высокотемпературная диффузия.

Элементы теории высокотемпературной диффузии: механизмы диффузии в твердом теле, коэффициент диффузии и его температурные зависимости, erf-распределение, уравнения Фика. Особенности диффузии в планарной технологии. Способы проведения диффузии: в замкнутом объеме, в потоке газа-носителя, из жидкого, твердого и планарного источника, диффузия в вакууме. Дефекты и контроль параметров диффузионных слоев. Основные правила техники безопасности.

3.2.2. Ионное легирование.

Элементы теории ионного легирования: внедрение примеси в твердое тело электрическим полем, длина свободного пробега, эффект каналирования, радиационные дефекты, распределение концентрации легирующей примеси. Базовая структура установки ионного легирования. Типы ионных источников, масс-сепаратор, ускоритель, сканирующее устройство, приемная камера, основные контрольные устройства ионного пучка. Отжиг радиационных дефектов: высокотемпературный, ламповый, лазерный. Контроль параметров ионно-легированных слоев. Основные правила техники безопасности при работе с высоковольтной аппаратурой в условиях мощных излучений.

Тема 3.3. ПОЛУЧЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ

3.3.1. Высокотемпературное окисление кремния.

Модель и кинетика окисления кремния. Окисление в сухом кислороде. Окисление во влажном кислороде. Окисление в цикле сухой-влажный-сухой кислород. Предокислительная обработка пластин в хлорсодержащих средах. Основные дефекты и контроль качества окисного слоя.

3.3.2. Низкотемпературные и плазмохимические окислы кремния.

Основные газохимические реакции. Аппаратура и технологические режимы.

3.3.3. Анодные окислы кремния.

Основные электрохимические реакции. Аппаратура и технологические режимы.

3.3.4. Легированные окислы, боро - и фосфоросиликатные стекла.

3.3.5. Плазменное окисление.

3.3.6. Окисление под давлением.

3.3.7. Получение пленок нитрида кремния.

Тема 3.4. ПОЛУЧЕНИЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК

3.4.1. Метод термовакуумного напыления.

3.4.2. Распыление ионной бомбардировкой.

Раздел 4. МИКРОЛИТОГРАФИЯ

Тема 4.1. ФОТОЛИТОГРАФИЯ

4.1.1. Общая структура процесса контактной фотолитографии. Позитивные и негативные фоторезисты. Подготовка поверхности технологического слоя: кремний, диоксид кремния, металл, фосфоросиликатное стекло. Контроль качества подготовки поверхности.

4.1.2. Нанесение фоторезиста на технологический слой. Сушка фоторезиста. Экспонирование, совмещение рисунка, экспонирование, проявление, задубливание.

4.1.3. Травление технологического слоя.

Химическое жидкостное травление. Травление диоксида кремния, нитрида кремния, металлов.

4.1.4. Жидкостное и плазмохимическое удаление фоторезиста.

4.1.5. Взрывная фотолитография.

4.1.6. Фотолитография на микрозазоре.

4.1.7. Проекционная фотолитография.

4.1.8. Ограничения фотолитографии по разрешающей способности.

Тема 4.2. ПРОИЗВОДСТВО ФОТОШАБЛОНОВ

4.2.1. Основные термины и понятия. Генерация изображения. Маршруты изготовления фотошаблонов. Мультипликация. Рабочие копии. Защита фотошаблонов.

4.2.2. Цветные фотошаблоны.

4.2.3. Контроль параметров фотошаблонов. Основные виды дефектов и их определение. Ретушь и корректировка фотошаблонов.

Тема 4.3. ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ЛИТОГРАФИЯ

Тема 4.4. РЕНТГЕНОВСКАЯ ЛИТОГРАФИЯ

Тема 4.5. “CУХОЕ” ТРАВЛЕНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО СЛОЯ

Тема 4.6. КОНТРОЛЬ РАЗМЕРОВ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗОБРАЖЕНИЯ

Тема 4.7. ЭЛЕКТРОННО-ВАКУУМНАЯ ГИГИЕНА И ТЕХНИКА БЕЗОПАСНОСТИ ПРИ ПРОВЕДЕНИИ ЛИТОГРАФИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ

Раздел 5. РЕСУРСОСБЕРЕЖЕНИЕ ПРИ ПРОВЕДЕНИИ БАЗОВЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ

Тема 5. 1. ОСНОВНЫЕ ЭНЕРГОПОКАЗАТЕЛИ ТЕРМИЧЕСКИХ

И ВАКУУМНЫХ ПРОЦЕССОВ

Потребляемые мощности установок и отдельных узлов вакуумно - термического оборудования. Пути снижения энергопотребления при проведении термических и вакуумных процессов.

Тема 5.2. ХИМПОДГОТОВКА И ФОТОЛИТОГРАФИЯ

Усредненные нормы расхода химреактивов на единицу продукции. Основные пути снижения расхода химреактивов.

Тема 5.3. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ГАЗЫ В БАЗОВЫХ ПРОЦЕССАХ СОЗДАНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СЛОЕВ

Обоснование норм расхода технологических газов при проведении окисления, термодиффузии и эпитаксии. Основные возможности снижения расхода технологических газов.

Тема 5.4. КРИСТАЛЛОЗАГОТОВКА И ОБРАБОТКА ПОДЛОЖЕК

Топология как объект снижения материалоемкости. Пути снижения отходов кремния при механической обработке кристаллов.

Часть 2. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ИС

Раздел 1. ВВЕДЕНИЕ. БЛОК ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ СОЗДАНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИС

Тема 1.1. ВВЕДЕНИЕ

Общие закономерности проектирования технологических маршрутов изготовления ИС. Взаимосвязь этапов технологического процесса. Себестоимость технологических процессов. Блочный характер технологического маршрута изготовления ИС (блоки: изоляции, активной структуры, металлизации, сборки, испытаний).

Тема 1.2. ПРОЦЕССЫ ИЗОЛЯЦИИ БИПОЛЯРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ИС

Особенности формирования «скрытых слоёв». Электрические методы изоляции, основные этапы формирования элементов. Методы полной диэлектрической изоляции, этапы формирования. Комбинированные методы изоляции. Метод локального окисления. Дефекты структуры элементов ИС, пути их устранения. «Щелевая изоляция» элементов ИС. Преимущества, недостатки и применение методов в конкретных изделиях.

Тема 1.3. ПРОЦЕССЫ ИЗОЛЯЦИИ МОП-ЭЛЕМЕНТОВ ИС

Изоляция «охранными кольцами». КНД, КНИ, КНС - основные структуры полной диэлектрической изоляции. Этапы формирования элементов. Причины, сдерживающие широкое применение методов. Методы локального окисления LOKOS, LOPOS. Этапы формирования.

Раздел 2. БЛОК ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ СОЗДАНИЯ АКТИВНОЙ СТРУКТУРЫ ЭЛЕМЕНТОВ ИС

Тема 2.1. СТРУКТУРА БИПОЛЯРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ИС

«Пристеночные» методы формирования элементов. Методы самосовмещения и самоформирования транзисторных структур ИС, способы реализации. Формирование супертонких базовых и эмиттерных слоев. Технологические процессы реализации различных схемотехнических элементов. Особенности создания транзисторной структуры с диодом Шоттки.

Тема 2.2. СТРУКТУРА МОП - ЭЛЕМЕНТОВ ИС

Технологические процессы производства n-МОП ИС. Этапы формирования элементов. Особенности проведения технологических процессов подзатворного окисления и нанесения материала затвора при формировании n-МОП-структур. ИС на КМОП-структурах. Основные этапы формирования. Методы создания n-, p-карманов. Технологический процесс с двумя «карманами». Тиристорный эффект (защелкивание) в КМОП-структурах. Конструкторско-технологические методы управления пороговым напряжением в КМОП-транзисторах. Низкопороговые КМОП ИС.

Раздел 3. БЛОК МЕТАЛЛИЗАЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИС

Тема 3.1. ОДНОСЛОЙНАЯ, МНОГОСЛОЙНАЯ И МНОГОУРОВНЕВАЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК АЛЮМИНИЯ

3.1.1. Роль и проблемы металлизации элементов ИС. Алюминиевая однослойная металлизация. Методы формирования, свойства, преимущества и недостатки алюминиевой металлизации.

3.1.2. Пленки поликристаллического кремния (ППК). Методы получения, свойства и сфера применения ППК.

3.1.3. Металлизация тугоплавкими металлами. Особенности многоуровневой металлизации. Силициды металлов для затворов и межкомпонентных соединений в МОП ИС. Отказы, вызванные металлизацией. Методы планаризации кристаллов. Тенденция развития металлизации.

Тема 3.2. МЕТАЛЛИЗАЦИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ИС НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК МЕДИ

Конструктивно-технологические особенности создания межсоединений ИС на основе пленок меди. Методы получения пленок меди. Селективный метод осаждения пленок меди.

Раздел 4. БЛОК СБОРКИ И ИСПЫТАНИЙ ИС

Тема 4.1. ПРОЦЕССЫ СБОРКИ КРИСТАЛЛОВ В КОРПУС

4.1.1.Основные этапы блока сборки кристаллов ИС. Разделение пластины на кристаллы: скрайбирование, сортировка, контроль. Монтаж кристаллов эвтектикой и компаундным клеем.

4.1.2.Способы соединений проволокой: термокомпрессия и ультразвуковая сварка. Металлургическое взаимодействие золота с алюминием. Автоматизированное соединение на ленточных носителях. Технологический процесс сборки методом перевернутого кристалла.

Тема 4.2. ГЕРМЕТИЗАЦИЯ КРИСТАЛЛОВ ИС

4.2.1.Типы корпусов и технология их производства. Керамические корпуса. Корпуса на основе тугоплавкой керамики и герметизации стеклом. Производство прессованных пластмассовых корпусов.

4.2.2.Герметизация. Бескорпусная герметизация. Защита корпуса от a -частиц. Вопросы, связанные с применением корпусов: тепловые характеристики герметизированных приборов, соединение корпусов печатным монтажом.

Тема 4.3. БЛОК ИСПЫТАНИЙ ИС

Классификация испытаний микросхем. Электрические параметры и методы их измерения. Климатические испытания. Механические испытания. Радиационные испытания. Методы испытаний микросхем на надежность и сохранность. Методы прогнозирования надежности микросхем по результатам измерений и испытаний.

Раздел 5. МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ И АНАЛИЗА ЭЛЕМЕНТОВ ИС

Тема 5.1. ЭКСПРЕССНЫЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН ПО МАРШРУТУ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИС

Контрольные точки в технологическом маршруте изготовления биполярных и МОП-элементов ИС. Методы пооперационного контроля кремниевых пластин. Тестовые структуры (ТС) как инструмент оценки качества ИС. Методы проверки ТС на пластине.

Тема 5.2 МЕТОДЫ АНАЛИЗА СТРУКТУРЫ ЭЛЕМЕНТОВ ИС

Электрофизические и тепловые методы анализа элементов ИС. Оптические методы анализа полупроводниковых структур: интерференционный, спектральный, микроскопический, поляризованный. Методы растровой электронной микроскопии: методы отраженных электронов, вторичной электронной эмиссии, ОЖЕ-спектроскопии. Методы электронной микроскопии: дифракционный, Кикучи-линий, метод реплик.

Раздел 6. ТИПОВЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МАРШРУТЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИС

Тема 6.1. КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ИС

6.1.1.Процессы формирования ТТЛШ-элементов. КБИП-элементы, основные этапы их изготовления. Технологические маршруты изготовления СВЧ ИС

6.1.2.Технологические методы формирования запоминающих устройств на основе n-МОП-элементов. Конструктивно-технологические особенности создания ИС на КМОП - и БиКМОП-элементах. Основные этапы их формирования.

Тема 6.2. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ИС

Часть 3. ТЕХНОЛОГИЯ МНОГОКРИСТАЛЬНЫХ МОДУЛЕЙ

Раздел 1. ВВЕДЕНИЕ. ОСНОВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ МКМ

Тема 1.1. ВВЕДЕНИЕ

Понятие о МКМ. Основные разновидности.

Тема 1.2. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ОСНОВАНИЯ МКМ

1.2.1. Назначение оснований. Свойства и характеристики.

1.2.2. Материалы, используемые при изготовлении оснований МКМ. Специфика их изготовления.

Тема 1.3. МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ОСНОВАНИЯ МКМ

1.3.1. Необходимость разработки и применения.

1.3.2. Диэлектрические покрытия металлических оснований.

1.3.3. Алюминиевые основания как наиболее перспективные. Электрохимический процесс формирования диэлектрического слоя на алюминиевом основании.

1.3.4. Характеристики металлических оснований.

Тема.1.4. ПАССИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ МКМ

1.4.1. Пленочные резисторы, конструкции, методы получения и характеристики, методы корректировки номиналов, методы контроля сопротивления при формировании резистивных пленок.

1.4.2. Пленочные конденсаторы, конструкции, материалы, методы получения, характеристики, специфика применения.

1.4.3. Пленочные индуктивности.

Раздел 2. КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ

ОСОБЕННОСТИ МКМ

Тема 2.1. МНОГОКРИСТАЛЬНЫЕ МОДУЛИ НА ОСНОВЕ

ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ (MKM-L)

2.1.1.Технология MKM-L как более высокая версия технологии гибридных интегральных микросхем на основе печатных плат.

2.1.2. Конструктивно-технологические особенности МКМ-L.

2.1.3.Основные характеристики.

2.1.4. Области применения. Перспективы развития.

Тема 2.2. МНОГОКРИСТАЛЬНЫЕ МОДУЛИ

НА КЕРАМИЧЕСКИХ ОСНОВАНИЯХ (MKM-С)

2.2.1. Технология МКМ-С как новый этап развития технологии МКМ на керамических основаниях.

2.2.2. Конструктивно-технологические особенности изготовления керамических оснований, толстопленочной многоуровневой системы межсоединений и пассивных элементов.

2.2.3. Основные характеристики.

2.2.4. Области применения. Перспективы развития.

Тема 2.3. МНОГОКРИСТАЛЬНЫЕ МОДУЛИ НА ОСНОВЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК (MKM-D)

2.3.1.Технология MKM-D как дальнейшее развитие технологии высокоинтегрированных МКМ на основе тонких пленок.

2.3.2. Конструктивно-технологические особенности. Предельные возможности технологии.

2.3.3. Частотные характеристики.

2.3.4. Перспективы развития.

Тема 2.4. МНОГОКРИСТАЛЬНЫЕ МОДУЛИ НА ОСНОВЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ОКИСЛЕНИЯ ВЕНТИЛЬНЫХ МЕТАЛЛОВ (МКМ-А)

2.4.1.Технология МКМ-А как принципиально новая технология гибридных интегральных микросхем на основе электрохимического процесса окисления вентильных металлов, преимущественно алюминия.

2.4.2. Конструкция и технологические особенности создания многоуровневых систем межсоединений. Локальное окисление металлов. Маскирование в технологии МКМ-А.

2.4.3. Методы формирования пассивных элементов и ме­тоды их встраивания в объем многоуровневой системы межсоединений.

2.4.4. Особенности монтажа бескорпусных активных элементов в технологии МКМ-А.

2.4.5. Характеристики и перспективы развития технологии.

Раздел 3. СБОРКА И ИСПЫТАНИЯ МКМ

Тема 3.1. СБОРКА МКМ

3.1.1.Монтаж активных и пассивных элементов. Пайка припоями, стек­лами и металлическими сплавами.

3.1.2.Основное оборудование для сборки. Корпусирование.

Тема 3.2. ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МКМ

3.2.1. Плотность межсоединений. Плотность сборки.

3.2.2. Удельная рассеиваемая мощность. Предельная рабочая частота синусоидального и цифрового сигналов.

3.2.3. Многопараметрическая характеристика как интегральный метод сравнения различных технологий.

3.2.4. Выход годных. Стоимость и себестоимость изготовления МКМ.

Тема 3.3. ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ РАЗЛИЧНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ МКМ

ПРИМЕРНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ТЕМ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ

Часть 1

1. Окисление кремния в цикле сухой-влажный-сухой кислород.

2. Высокотемпературное легирование кремния бором и фосфором.

3. Ионное легирование кремния бором и фосфором.

4. Химическое травление технологических слоев.

5. Газофазная эпитаксия кремния.

6. Взрывная литография.

7. Получение алмазоподобных пленок.

8. Химическое удаление фоторезиста.

Часть 2

1. Исследование процессов изготовления КМОП ИС на тестовых структурах.

2. Исследование процессов изготовления n-МОП ИС на тестовых структурах.

3. Исследование процессов изготовления СВЧ ИС на тестовых структурах.

4. Исследование процессов изготовления ТТЛШ ИС на тестовых структурах.

5. Измерения основных параметров базовых тестовых структур.

6. Исследование процессов изготовления БиКМОП ИС на тестовых структурах.

Часть 3

1. Технология электрохимического окисления в производстве МКМ. Плотные и пористые оксиды.

2. Диэлектрические основания для МКМ.

3. Многоуровневая система металлизации МКМ.

4. Технология поверхностного монтажа компонентов в производстве МКМ.

5. Тестовые структуры для контроля электрических свойств металлизации МКМ.

6. Особенности технологии сборки МКМ.

ПРИМЕРНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ТЕМ КУРСОВЫХ РАБОТ

1. Разработать маршрутную технологию блока изоляции ИС на ТТЛШ - элементах (5 вариантов).

2. Разработать маршрутную технологию блока изоляции ИС на n-МОП - элементах (5 вариантов).

3. Разработать маршрутную технологию блока изоляции ИС на КМОП-элементах (5 вариантов).

4. Разработать маршрутную технологию блока изоляции ИС на БиКМОП-элементах (5 вариантов).

5. Разработать маршрутную технологию блока активной структуры ИС на ТТЛШ - элементах (5 вариантов).

6. Разработать маршрутную технологию блока активной структуры ИС на n-МОП элементах (5 вариантов).

7. Разработать маршрутную технологию блока активной структуры ИС на КМОП-элементах (5 вариантов).

8. Разработать маршрутную технологию блока активной структуры ИС на БиКМОП-элементах (5 вариантов).

9. Разработать маршрутную технологию блока металлизации ИС на ТТЛШ-элементах (5 вариантов).

10. Разработать маршрутную технологию блока металлизации ИС на n-МОП-элементах (5 вариантов).

11. Разработать маршрутную технологию блока металлизации ИС на КМОП-элементах (5 вариантов).

12. Разработать маршрутную технологию блока металлизации ИС на БиКМОП-элементах (5 вариантов).

ЛИТЕРАТУРА

1. Готра микроэлектронных устройств: Справочник. – М.: Радио и связь, 1991.

2. Микролитография: Принципы, методы, материалы. – М.: Мир, 1990.

3. Родионов в производстве интегральных микросхем. –Мн.: Дизайн ПРО, 1998.

4. , и др. Химическая обработка в технологии ИМС. – Полоцк.: ПГУ, 2001.

5. Технология СБИС: В 2 кн.; Пер. с англ. / Под ред. С. Зи. – М.: Мир,1986.

6. Gise Peter. Modern Semiconductor Fabrication Technology; University San Jose, 1998.