Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто
- 30% recurring commission
- Выплаты в USDT
- Вывод каждую неделю
- Комиссия до 5 лет за каждого referral
Примеры работ
1. Диффузия золота.
2. Стекло боросиликатное - диффузия бора.
3. Стекла растворимые - диффузия сурьмы.
4. Структуры кремниевые - геттерирование с помощью пленки SI02 с одновременной диффузией никеля.
_ 17. Оператор диффузионных процессов
4-й разряд
Характеристика работ. Окисление и диффузия примесей в германий, кремний и арсенид галлия с применением твердых, жидких и газообразных диффузантов. Отжиг ионно-легированных слоев. Ведение процесса дрейфа ионов лития в пластины кремния. Одновременное проведение двух процессов окисления или диффузии. Дозирование легирующих элементов. Подготовка газораспределительного пульта к работе. Сборка и наладка отдельных узлов газовой системы (определение точки росы и содержания кислорода в технологических газах). Наблюдение за температурой и другими режимами и регулирование их. Определение неисправностей в работе оборудования. Измерение электрических параметров р-п переходов, резисторов и характеристик микросхем.
Должен знать: устройство установок с высокочастотным нагревом, установок дрейфа, водородной, вакуумной и силитовых печей; устройство, назначение и условия применения контрольно-измерительных приборов (термопар, гальванометров, осциллографов, вакуумметров и др.); методы измерения температурного профиля диффузионной печи; основные свойства полупроводниковых материалов (германий, арсенид галлия, кремний); свойства газов (водород, азот, кислород); основные свойства диффузантов; режимы процесса; способы и методы контроля; элементарный расчет параметров диффузионных слоев; основные свойства оксидных пленок, р-п, п-п переходов; методы их получения и контроля.
Примеры работ
1. Диффузия мышьяка, сурьмы.
2. Диффузия фосфора из треххлористого фосфора, оксихлорена и из легированных пленок.
3. Диффузия бора из нитрида бора и трибромида бора.
4. Диффузия бора и золота, фосфора и золота (одновременное проведение процесса).
5. Кремний - окисление в парах HCL.
6. Пластины кремния - термическое окисление в печах типа СДО 125/3-12.
_ 18. Оператор диффузионных процессов
5-й разряд
Характеристика работ. Ведение сложных процессов диффузии и окисления в диффузионных печах различных типов (в том числе с программным управлением) с применением твердых, жидких и газообразных диффузантов. Составление программ проведения процесса. Введение легирующих присадок в кремний, германий, арсенид галлия. Обслуживание печей непрерывного действия, водородной, вакуумной установок. Измерение электро-параметров БИС, СБИС и транзисторных структур. Проведение элементарного расчета параметров диффузионных слоев. Анализ экспериментальных данных по результатам измерений параметров диффузионных слоев, окисных пленок. Контроль и корректировка режимов технологических процессов диффузии, окисления, отжига ионно-легированных слоев. Сборка, вакуумирование и отпайка кварцевых ампул с мышьяком, сурьмой, бором и их соединениями в качестве лигатуры. Сборка газовой системы и проверка ее герметичности. Определение неисправностей в работе оборудования и их устранение.
Должен знать: электрические и газовые схемы обслуживаемого оборудования, правила его наладки на заданный режим; правила настройки и регулирования приборов для контроля процесса; очистительную систему для газов, поступающих в установку, правила определения режимов работы; влияние характеристик диффузионных слоев на параметры получаемых приборов.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Диффузия цинка в парах мышьяка или фосфора в тройные соединения.
2. Пластины кремния - диффузия бора, фосфора, мышьяка в печах с программным управлением типа СДО-125/3-15.
3. Пластины кремния - окисление при повышенном давлении; создание скрытых слоев; легирование сурьмой и мышьяком в печах с программным управлением.
4. Пластины кремния - создание подзатворного диэлектрика и контроль его параметров.
_ 19. Оператор диффузионных процессов
6-й разряд
Характеристика работ. Ведение сложных процессов диффузии, окисления с применением твердых, жидких и газообразных диффузантов. Обслуживание печей и установок любого типа, в т. ч. и с программным управлением. Обработка экспериментальных данных, построение графиков, таблиц по статистическим данным. Проведение расчета концентрационного профиля, поверхностной концентрации, типа проводимости слоев. Самостоятельное задание режимов, самостоятельная работа на полярископе и лазерном элипсометре, определение плотности поверхностных состояний по вольт-емкостным характеристикам при изготовлении канальных БИС. Расчет и экспериментальное определение профиля распределения примеси. Работы на автоматических диффузионных установках - налаживание, корректировка режимов в процессе работы и контроль.
Должен знать: конструкцию, способы и правила проверки на точность оборудования и устройств различных типов для проведения процесса диффузии; теорию процессов диффузии и окисления; влияние различных параметров на характеристики диффузионных слоев; способы и методы определения годности переходов; физико-химические свойства применяемых материалов; расчеты, связанные с проведением процессов диффузии.
Требуется среднее профессиональное образование.
_ 20. Оператор диффузионных процессов
7-й разряд
Характеристика работ. Ведение сложных высокотемпературных процессов диффузии из опытном оборудовании и оборудовании с микропроцессорным программным управлением с применением различных типов диффузантов. Ведение процесса окисления кремниевых пластин пирогенным способом. Расчет необходимых пропорций кислорода и водорода в их смеси. Одновременное проведение трех процессов окисления или диффузии. Выбор способа формирования диэлектрика в зависимости от назначения и требований к нему. Получение р-п переходов и контроль их вольт-амперных характеристик на измерителе Л2-56. Сбор и обработка информации с помощью компьютера. Анализ причин возникновения брака на операциях высокотемпературных обработок и принятие мер по его устранению.
Должен знать: устройство и принцип работы обслуживаемого оборудования; назначение и условия применения контрольно-измерительного оборудования (спектрофотометры MPVSD, "Suzfscan", ЛЭФ-ЗМ); назначение окисных пленок и диффузионных слоев и требования к ним; факторы, определяющие скорость роста окислов; механизмы диффузии в полупроводниках; виды брака из термодиффузионных операциях, причины его возникновения и способы устранения; способы получения р-п переходов и методы определения их годности.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Изолирующий окисел - пирогенное окисление.
2. Диффузия фосфора в поликремний - легирование затвора.
_ 21. Оператор по наращиванию эпитаксиальных слоев
3-й разряд
Характеристика работ. Ведение процесса наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев с определенными параметрами на установках эпитаксиального наращивания. Подготовка оборудования к работе, проверка оборудования на герметичность, загрузка и разгрузка подложек. Контроль и корректировка режима процесса наращивания. Проверка качества применяемых подложек, материалов. Ведение процесса газового травления. Замер температуры оптическим пирометром. Заправка испарителей SiCL4. Снятие и установка кварцевой оснастки на оборудовании различных типов. Проведение профилактики газовой системы. Замена баллонов.
Должен знать: устройство важнейших частей, принцип действия установок эпитаксиального наращивания и контрольно-измерительных приборов; свойства химикатов, применяемых для наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев; реакции, происходящие на поверхности подложки в процессе наращивания; влияние примесей на качество эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев; способы градуирования ротаметров; методы измерения и регулирования температуры процесса наращивания испарителей, охлаждения реактора; правила работы с баллонами, магистральными газами и газовыми смесями.
Примеры работ
Эпитаксиальные, поликристаллические, диэлектрические, металлические слои - наращивание однослойных структур.
_ 22. Оператор по наращиванию эпитаксиальных слоев
4-й разряд
Характеристика работ. Ведение процесса наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев всех типов. Корректировка процесса наращивания по результатам контрольного процесса. Расчет скорости наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев. Расчет концентрации легирующей примеси. Карбидизация графитовых нагревателей (пьедесталов). Приготовление растворов SICL4 с определенной концентрацией легирующей примеси. Определение неисправностей в установках.
Должен знать: устройство и способы подналадки оборудования различных типов; методы наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев и их свойства; свойства полупроводниковых материалов; свойства газов; методы измерения основных электрофизических и структурных параметров эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических структур; устройство, назначение и условия применения приборов для контроля процесса, системы газораспределения и водяного охлаждения; влияние концентрации легирующей примеси на параметры эпитаксиальных структур, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев; основы электротехники в пределах выполняемой работы.
Примеры работ
Эпитаксиальные, поликристаллические, диэлектрические и металлические слои - наращивание структур со скрытыми слоями.
_ 23. Оператор по наращиванию эпитаксиальных слоев
5-й разряд
Характеристика работ. Ведение процессов наращивания многослойных эпитаксиальных структур, диэлектрических слоев. Наращивание сверхтонких поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев. Устранение разброса параметров слоев различными методами. Замена стаканов и настройка индукторов по температурному режиму на установках, использующих ВЧ-нагрев. Настройка температурного режима процесса на установках, использующих инфракрасные и другие виды нагрева. Задание режимов на электронной системе управления технологическим процессом.
Должен знать: электрическую и газовую схему обслуживаемого оборудования, способы ее проверки, основные неисправности и методы их устранения; режимы и правила проведения процессов для получения сложных и многослойных эпитаксиальных структур, поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев; правила настройки и регулировки приборов для контроля процесса, основы теории процесса эпитаксиального наращивания; правила работы с электродной системой управления технологическим процессом.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Структуры многослойные эпитаксиальные - наращивание с заданными параметрами.
2. Структура многослойная диэлектрик-полупроводник - наращивание.
3. Слои тонкие эпитаксиальные - наращивание.
_ 24. Оператор по наращиванию эпитаксиальных слоев
6-й разряд
Характеристика работ. Самостоятельное ведение процессов получения эпитаксиальных, диэлектрических, поликристаллических и металлических слоев любого назначения на оборудовании различных типов. Проведение процессов, стимулированных плазмой, и процессов с использованием газообразных, жидкостных и твердых источников. Проведение экспериментальных и опытных работ по наращиванию слоев. Самостоятельная корректировка режимов в процессе работы. Расчет концентрации легирующей примеси, расчет скорости потоков паров и газов, температурных режимов. Задание и корректировка режимов на электронной системе управления технологическим процессом.
Должен знать: конструкцию, способы и правила наладки различных типов оборудования; правила работы с электронной системой управления технологическим процессом; методы прецизионной обработки полупроводниковых материалов; методы расчета концентрации легирующей примеси; особенности процессов диффузии и наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев; конструкцию полупроводниковых приборов и твердых схем на основе эпитаксиальных структур; основы теории полупроводников; физические и химические основы технологических процессов наращивания.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Многослойные эпитаксиальные структуры - наращивание с различными заданными параметрами.
2. Локальная эпитаксия - наращивание.
_ 25. Оператор плазмохимических процессов
4-й разряд
Характеристика работ. Ведение процесса травления полупроводниковых материалов, снятия фоторезиста, высаживания двуокиси кремния на различных типах плазмохимического оборудования. Ионно-плазменное нанесение пленок Fe2O3. Загрузка и выгрузка пластин кремния, стеклопластин, жидкокристаллических индикаторов. Определение неисправностей в работе установок и принятие мер по их устранению. Корректировка режимов плазмохимической обработки по контрольным измерениям. Регистрация и поддержание режимов плазмохимической обработки с помощью контрольно-измерительной аппаратуры. Контроль толщины нанесенной пленки, замер линейных размеров элементов микросхем с помощью микроскопа. Определение качества обработки пластин с помощью микроскопа и измерительных приборов.
Должен знать: устройство плазмохимических установок различных моделей, принцип их действия; кинематику, электрические и вакуумные схемы; правила настройки на точность обслуживаемого оборудования, устройство, назначение и применение контрольно-измерительных приборов и инструментов; назначение процесса откачки и роль плазмообразующих сред в процессе обработки пластин; способы и методы контроля степени вакуума; основные свойства и характеристики плазмообразующих сред; основы процесса плазмохимического травления; оценку стойкости фоторезистивных масок к воздействию газоразрядной плазмы; основные законы электротехники и вакуумной техники.
Примеры работ
1. Кремниевые пластины - плазмохимическое высаживание SiO2 путем разложения и взаимодействия моносилана с кислородом в плазме высокочастотного разряда, определение толщины пленки SiO2 после нанесения по таблицам цветности.
2. Мезо-структуры с фоторезистом - ионно-плазменное напыление диэлектрических пленок.
3. Пластины - удаление фоторезиста на плазмохимических установках.
4. Пластины кремния - плазмохимическое травление двуокиси кремния, лежащего на алюминии.
5. Стеклопластины - ионно-плазменное нанесение Fе2О3.
Индикаторы жидкокристаллические - удаление полиамида на плазмохимических установках.
_ 26. Оператор плазмохимических процессов
5-й разряд
Характеристика работ. Ведение процесса плазмохимической очистки пластин и материалов, нанесение двуокисных пленок на различных типах плазмохимического оборудования. Нанесение антиэмиссионных и эмиссионных покрытий ионно-плазменным или плазмо-дуговым методом. Напыление молибдена, алюминия ионно-плазменным методом. Подготовка и настройка оборудования на заданный режим работы. Согласование нагрузок генератора высокой частоты. Выявление причин неисправностей в вакуумных системах. Выявление причин отклонения скорости плазмохимической обработки от заданной и их устранение. Корректировка режимов проведения процесса по результатам контрольных измерений. Контроль толщины микрослоев после обработки на микроинтерферометрах различных типов.
Должен знать: системы подачи и натекания газов; основные процессы, происходящие при диссоциации в плазме молекул химически активных рабочих газов; основы плазмохимического осаждения; свойства пленок, подвергающихся плазмохимической обработке; физические и химические основы технологических процессов в плазме; методы определения глубины травления; методы определения толщины окислов; устройство и настройку интерферометров.
Примеры работ
1. Пластины кремниевые - ионно-плазменное напыление молибдена, алюминия с добавками меди и кремния; травление, высаживание пленки SiO2 плазмохимическим методом, замер величины заряда, пробивного напряжения на ПНХТ, контроль толщины пленки на интерферометре, контроль качества поверхности на микроскопе.
2. Пластины ситалловые - плазмохимическое осаждение пленки нитрида бора.
3. Пленки нитрида бора - плазмохимическое травление.
4. Фотошаблоны и пластины кремния - ионно-плазменное и плазмохимическое травление.
_ 27. Оператор плазмохимических процессов
6-й разряд
Характеристика работ. Проведение процессов плазмохимической очистки, травления полупроводниковых материалов, металлов, металлических систем с использованием реагентов различных видов с заданной избирательностью травления. Определение скорости плазмохимического травления материалов. Самостоятельный подбор режимов очистки, травления, различных видов пленок в процессе фотолитографии в различных плазмообразующих средах. Отработка режимов плазмохимической обработки пластин с заданной точностью и соотношением скоростей травления. Оценка влияния плазменных обработок на параметры полупроводниковых приборов.
Должен знать: конструкцию вакуумных и газовых систем; устройство и принцип работы ионных источников, плазмотронов и реакционноразрядных камер, методы их настройки и регулировки; теорию плазмохимических процессов осаждения пленок, по обработке и травлению поверхности полупроводниковых пластин и материалов; влияние качества обработки поверхности на характеристики полупроводниковых приборов; правила определения режима работы плазмохимического оборудования различных типов для получения заданных параметров пленок; основы теории плазмохимической обработки.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
Кремниевые пластины - плазмохимическое травление Si3N4, Al2O3, ванадия.
_ 28. Оператор плазмохимических процессов
7-й разряд
Характеристика работ. Проведение процессов плазмохимической очистки и травления полупроводниковых материалов на экспериментальном и опытном оборудовании. Проведение многостадийных процессов травления. Плазмохимическое травление многослойных структур. Анизатропное травление поликремния. Сборка и разборка внутрикамерного устройства и его чистка. Отыскание течей вакуумных систем и принятие мер к их устранению.
Должен знать: конструкцию экспериментального и опытного оборудования для проведения плазмохимических процессов; правила ведения плазмохимического травления многослойных структур и ведения многостадийных процессов; методы отыскания течей в вакуумных системах и способы их устранения и предупреждения.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Кремниевые пластины - плазмохимическое травление AL/SL; ASI/TIW.
2. Кремниевые пластины - плазмохимическое травления ФСС, БФСС, SiO2 селективно к SI, ПКК при формировании контактов.
_ 29. Оператор микросварки
4-й разряд
Характеристика работ. Ведение процесса разварки внутренних межсоединений на установках с ручным совмещением инструмента под микроскопом. Установка и закрепление на рабочем столике арматуры, полупроводниковых приборов, кассет с загруженными приборами для разварки. Термокомпрессирование выводов к триодам, диодам, твердым схемам с контактными площадками на установках термокомпрессии. Разводка и сварка под микроскопом выводов триодов и диодных блоков сложных микросхем. Промывка, зачистка, прочистка сварочного инструмента. Заправка проволоки в сварочный инструмент. Замер диаметра "шарика", высоты петли с помощью оптических приборов.
Должен знать: устройство, принцип действия и правила работы на установках микросварки и термокомпрессии; основные сведения по сварке, виды и назначение свариваемых соединений; технические требования, предъявляемые к узлам и деталям, подлежащим сварке; основы электро - и радиотехники.
Примеры работ
1. ГИМ СВЧ - сварка соединений между контактными площадками на платах, сварка экранов.
2. Индикаторы цифро-знаковые (твердые схемы) - сборка методом термокомпрессии с большим числом выводов на установках типа ЭМ-439; "Контакт-ЗА".
3. Микросборки тонкопленочные - сварка соединений между выводами навесных элементов и контактными площадками плат, сварка соединений между платой и корпусом.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 |


