Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто
- 30% recurring commission
- Выплаты в USDT
- Вывод каждую неделю
- Комиссия до 5 лет за каждого referral
1. Список контрольных вопросов предоставляется студентам для ознакомления.
2. Вариант задания формируется из 3 вопросов методом случайной выборки из списка контрольных вопросов по заданной теме и представляется студенту при его готовности пройти тестирование.
3. С момента входа студента в режим тестирования контролируется отведенное для тестирования время (25-30 мин), по истечении которого работа студента прекращается, и он должен отправить набранные за отведенное время ответы преподавателю без возможности их дальнейшей доработки и корректировки.
2. Варианты заданий для самостоятельной подготовки к выполнению лабораторной работы.
Лабораторная работа. Поиск вариантов технических решений модуля обработки методом построения И-ИЛИ-дерева.
Задание: выбрать по согласованию с преподавателем объект разработки, построить граф конструкции и провести его разметку в соответствии с методикой. На лабораторном занятии по построенному графу конструкции с помощью компьютерной программы «Дерево» построить И-ИЛИ-дерево, введя матрицу инциденций. По построенному И-ИЛИ-дереву, введя матрицы соответствий АхР (см. примеры в таблицах 2-6) и ЕхР (см. пример в таблице 7), определить теоретическое множество вариантов конструкции объекта разработки и найти множество рациональных вариантов. Выбрать из найденного множества рациональных вариантов оптимальный, сформулировав критерии отбора.
Таблица 2 – Матрица соответствий АхР для модуля травления материала.
Р1 | Р2 | Р3 | Р4 | -Р5 | Р6 | -Р7 | Р8 | -Р9 | -Р10 | |
А1 | 1 | 1 | 1 | 1 | -1 | 1 | -1 | 1 | -1 | -1 |
А2 | 1 | 1 | 1 | 1 | -1 | 1 | -1 | 1 | -1 | -1 |
А3 | 1 | 1 | 1 | -1 | -1 | |||||
А4 | -1 | |||||||||
А5 | 1 | 1 | -1 | 1 | -1 | -1 | ||||
А6 | 1 | |||||||||
А7 | -1 | -1 |
Таблица 3 – Основные признаки модуля травления материала.
Р1 | Равномерность травления слоя материала |
Р2 | Скорость травления материала |
Р3 | Анизотропия травления |
Р4 | Селективность травления |
Р5 | Уровень привносимой дефектности |
Р6 | Производительность модуля |
Р7 | Уровень радиационного воздействия на обрабатываемые структуры |
Р8 | Степень автоматизации модуля |
Р9 | Интенсивность шумов и вредных излучений |
Р10 | Наличие и концентрация выделяемых вредных веществ |
Таблица 4 – Матрица соответствий АхР для модуля нанесения материала.
Р1 | Р2 | -Р3 | Р4 | -Р5 | Р6 | Р7 | -Р8 | -Р9 | |
А1 | 1 | 1 | -1 | 1 | -1 | 1 | 1 | -1 | -1 |
А2 | 1 | 1 | -1 | 1 | -1 | 1 | 1 | -1 | -1 |
А3 | 1 | -1 | -1 | 1 | 1 | ||||
А4 | -1 | -1 | 1 | ||||||
А5 | 1 | -1 | 1 | -1 | 1 | -1 | -1 | ||
А6 | 1 | ||||||||
А7 | 1 | -1 | -1 |
Таблица 5 – Основные признаки модуля нанесения материала.
Р1 | Равномерность травления слоя материала |
Р2 | Скорость травления материала |
Р3 | Анизотропия травления |
Р4 | Селективность травления |
Р5 | Уровень привносимой дефектности |
Р6 | Производительность модуля |
Р7 | Уровень радиационного воздействия на обрабатываемые структуры |
Р8 | Степень автоматизации модуля |
Р9 | Интенсивность шумов и вредных излучений |
Р10 | Наличие и концентрация выделяемых вредных веществ |
Таблица 6 – Основные цели проектирования модулей.
А1 | Организация производства ИМС высокой степени интеграции |
А2 | Серийное внедрение объектов новой техники |
А3 | Повышение качества обработки микроструктур |
А4 | Снижение уровня привносимой дефектности |
А5 | Повышение эксплуатационных характеристик оборудования |
А6 | Создание автоматизированных производств |
А7 | Обеспечение экологической чистоты и техники безопосности |
Таблица 7. - Матрица ЕхР для вакуумно-плазменного модуля.
ТИП | ЭЛЕМЕНТ | ПРИЗНАКИ | |||||||||
Р1 | Р2 | - Р3 | Р4 | Р5 | Р6 | Р7 | - Р8 | - Р9 | Р10 | ||
Форвак. насосы | П/роторн. | - 1 | 0 | 0 | - 1 | ||||||
П/статор. | - 1 | - 1 | - 1 | - 1 | |||||||
Золотник. | - 1 | 0 | - 1 | - 1 | |||||||
Поршневой | - 1 | 0 | - 1 | - 1 | |||||||
ДВА | 0 | 1 | 0 | - 1 | |||||||
Высоковак. насосы | ДПМН | - 1 | 1 | 1 | - 1 | ||||||
ТМН | 1 | 1 | 0 | 1 | |||||||
КГ | 1 | 1 | 0 | 1 | |||||||
МРН | 1 | - 1 | 1 | 1 | |||||||
Методы нанесения | ТВИ | - 1 | 1 | 0 | 1 | 0 | - 1 | - 1 | 1 | ||
ИПР | 1 | 0 | 0 | 0 | - 1 | 1 | 1 | 0 | |||
ПГС | 1 | - 1 | 1 | - 1 | 0 | 1 | 0 | -1 | |||
Методы ТВИ | Резистивн. | - 1 | 0 | - 1 | 0 | 0 | - 1 | - 1 | 1 | ||
Взрывной | - 1 | 1 | 0 | - 1 | 0 | 1 | - 1 | 1 | |||
Индуктор | - 1 | 0 | - 1 | 0 | 0 | - 1 | - 1 | - 1 | |||
ЭЛИ | - 1 | 1 | 1 | 1 | - 1 | 1 | 1 | -1 | |||
Дуговой | - 1 | 1 | -1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | |||
Лазерный | - 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | - 1 | |||
Методы ИПР | ДРС | - 1 | - 1 | -1 | - 1 | - 1 | 0 | 1 | 0 | ||
ТРС | 0 | 0 | - 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |||
МРС | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | |||
ИЛС | - 1 | - 1 | 1 | - 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | |||
ЭЦР | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | - 1 | - 1 | |||
Осаждение из ПГС | ТЕРМИЧ. | 0 | - 1 | 1 | - 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | - 1 | |
ПХО ПТ | 0 | 0 | 1 | - 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | - 1 | ||
ПХО ВЧ | 1 | 1 | 0 | 0 | - 1 | 1 | 0 | 0 | - 1 | ||
ПХО ЭЦР | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | - 1 | - 1 | - 1 | ||
Тип МРС | Однокатод. | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | ||
Мультикат. | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | |||
Тип разряда | ПТ | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | |||
ВЧ | 1 | 0 | 0 | 0 | - 1 | 1 | 0 | ||||
СВЧ | 1 | - 1 | 1 | - 1 | 1 | 1 | - 1 | ||||
Типы ИИ | КАУФМАН | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | |||
МИИ | - 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | ||||
УЗДП | - 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | ||||
УАС | - 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | ||||
МПИИ | 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | 1 | 0 | ||||
ДП | - 1 | - 1 | 0 | - 1 | - 1 | 1 | - 1 | ||||
ИИП | 0 | - 1 | 0 | - 1 | - 1 | 1 | 1 | ||||
УЗВ | РМ | 1 | 0 | 1 | |||||||
Каретка | 0 | 0 | 1 | ||||||||
Транспортер | - 1 | 1 | 1 | ||||||||
СМИФ | 1 | - 1 | 1 | ||||||||
УК ФВ | Клапан | 1 | 1 | ||||||||
Вентиль | - 1 | 1 | |||||||||
УК ВВ | Угл. затвор | 1 | 1 | ||||||||
Шибер. затв | 1 | 1 | |||||||||
ОЧИСТКА | Нагрев | 0 | - 1 | 1 | 1 | 1 | |||||
ИПО | - 1 | 0 | - 1 | 1 | 1 | ||||||
ИЛО | - 1 | 1 | 0 | 1 | 1 | ||||||
ПХО | 0 | 1 | 0 | 1 | - 1 |
НАГРЕВ | Резистив. | 0 | - 1 | 1 | 1 | 1 | |||||
ИК | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | ||||||
Индуктор | 0 | 0 | 0 | 0 | - 1 | ||||||
Лазер | 0 | 1 | 0 | - 1 | - 1 | ||||||
Эл/лучевой | - 1 | 1 | - 1 | - 1 | - 1 | ||||||
ОХЛ. | Водяное | 0 | 1 | ||||||||
Крио | 1 | 0 | |||||||||
ППО | 0 | 1 | |||||||||
Реактор ПХО | Планарный | - 1 | 1 | ||||||||
Цилиндрич. | 1 | - 1 | |||||||||
Тип ВУ | Столик | - 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | |||||
Карусель | 0 | 0 | - 1 | 0 | - 1 | ||||||
Барабан | 0 | - 1 | 0 | 1 | 0 | ||||||
Планет. мех | 1 | - 1 | - 1 | 0 | - 1 | ||||||
Конвейер | 1 | 1 | - 1 | 1 | 1 | ||||||
Контроль ФВ | Термоп. М. | 1 | |||||||||
Ман. сопр. | 1 | ||||||||||
Мембран. | 1 | ||||||||||
Магн/разр. | 1 | ||||||||||
Контроль ВВ | Эл/ионизац | 1 | |||||||||
Магн/разр. | 1 | ||||||||||
Рад/изотоп. | 1 | ||||||||||
Контроль температ. | Термопарн. | 1 | |||||||||
Термосопр. | 1 | ||||||||||
Пирометр | - 1 | ||||||||||
Контроль процесса нанесения | Кварц. рез. | 1 | |||||||||
Резистивн. | 1 | ||||||||||
Емкостной | 1 | ||||||||||
Лаз. интерф | 1 | ||||||||||
Ионизац. | 1 | ||||||||||
Тип привода | Эл/магнит. | 1 | 1 | ||||||||
Пневматич | 1 | 1 | |||||||||
Пневмоэл. | 1 | 1 | |||||||||
Гидравлич. | 1 | 1 |
ТВИ – термовакуумное испарение; ИПР – ионно-плазменное распыление; ПГС – осаждение из парогазовой смеси; ИЛС – ионно-лучевая система; ЭЦР – СВЧ система с электронным циклотронным резонансом; УЗВ – устройство загрузки-выгрузки; УК – устройство коммутации (ФВ – форвакуумной линии, ВВ – высоковакуумной линии); ВУ – внутрикамерное устройство; РМ – рука-манипулятор; ДВА – двухроторный вакуумный агрегат; ДПМН – диффузионный паромасляный насос; ТМН – турбомолекулярный насос; МРН – магниторазрядный насос; КГ – криогенератор; ППО – полупроводниковый охладитель; ИИ – ионный источник (МИИ – магнетронный, МПИИ – мультипольный, ППИИ - , ИИП - Пеннинга); УАС – ускоритель с анодным слоем; УЗДП – ускоритель с замкнутым дрейфом электронов и протяженной зоной ускорения; ДП – дуоплазматрон; РС – распылительная система (ДРС – диодная, ТРС – триодная, МРС - магнетронная); СМИФ – стандартный механический интерфейс.
3. Промежуточный контроль
3.1. Вопросы к дифференцированному зачету
1. Задачи методологии проектирования. Методы, компоненты и функция проектирования.
2. Методы проектирования технических систем, их специфические особенности и возможности использования для САПР.
3. Классификация типовых задач проектирования. Задачи структурного синтеза и методы их решения в.
4. Классификация типовых задач проектирования. Задачи анализа и методы их решения в.
5. Организация итерационного процесса проектирования на уровне этапов при нисходящем проектировании.
6. Построение моделей проектирования для САПР. Модели на уровне проектных процедур (процедурная модель проектирования) и проектных операций.
7. Типовая функциональная схема процесса проектирования. Определение теоретического множества проектных процедур и операций.
8. Задачи и процедуры на этапе разработки технического предложения. Методы и приемы поиска вариантов технических решений.
9. Приемы, активизирующие мышление при эвристическом подходе.
10. Эвристические методы поиска технических решений.
11. Морфологический анализ как метод поиска технических решений. Основные методы, основанные на морфологическом подходе.
12. Поиск технических решений методом отрицания и конструирования.
13. Поиск технических решений методом “букета проблем”.
14. Логический подход к поиску технических решений. Теория решения изобретательских задач (ТРИЗ). Алгоритм решения изобретательских задач (АРИЗ).
15. Основные законы и принципы ТРИЗ.
16. Приемы разрешения противоречий при решении технических задач.
17. Комбинационный подход к поиску технических решений. Комплексный метод поиска новых технических решений.
18. Комбинационный подход к поиску технических решений. Параметрический метод разрешения противоречий в технике.
19. Поиск технических решений с помощью ЭВМ. Формы представления необходимых данных для поиска технических решений (на примере модуля обработки).
20. Алгоритм выбора вариантов технических систем с помощью дерева технических решений.
4. Электронные модули обеспечения самостоятельной работы слушателей.
Для обеспечения самостоятельной работы студентов разработаны электронные модули, доступные студентам на базе оболочки для создания распределенных обучающих и контролирующих систем (ОРОКС).
1. «Предпроектные исследования и методы поиска технических решений». Учебно-методическая разработка (курс лекций). – 2011, 128 с. – файл СРС1_МЭ_ТРИЗР. doc.
2. «Поиск технических решений методом И-ИЛИ-дерева. Лабораторная работа». – 2011, 6 с. – файл ЛП_МЭ_ТРИЗ. doc.
3. «Поиск технического решения вакуумного модуля методом
И-ИЛИ дерева. Практическое занятие» – 2011, 8 с. – файл ПЗ_МЭ_ТРИЗ. doc.
4. Модуль для подготовки и проведения контрольных работ.
5. «САПР технологического оборудования». Учебно-методическая разработка, 2007, 177 с. - файл СРС1_МЭ_САПР. doc.
6. «Методические средства создания новых технических решений». Учебно-методическая разработка, 2007, 167 с. – файл СРС2_МЭ_САПР. doc.
7. «Лабораторный практикум по курсу САПР технических систем». Учебно-методическая разработка, 2007, 34 с. – файл ЛП_МЭ_САПР. doc.
Задания разработаны проф.
каф. «Микроэлектроника» _________________ ()
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 |
