Технология тонкопленочных микросхем (стр. 28 )

3. Какой тип столкновений имеет место при ионном распылении? Расчеты сделать по теории Пиза.

№варианта	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Расп. материал	Cu	Cu	Al	Si	Au	Ni	Pt	Cu	Ti	Mo
Ионы	H2	Hg	Ar	Ar	Ar	He	Ar	O2	Ar	Ar
Эн. ионов, кэВ	1	10	5	100	5	10	10	1	5	5

4. Рассчитать время напыления пленок в центре подложки. Принять для ИПР скорость конденсации равной скорости распыления.

№варианта	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Материал	Ag	Al	Cu	Mo	Au	Pt	Ti	W	Cr	Ta
Метод напыления	Исп.	Исп.	Исп.	ИПР	ИПР	ИПР	Исп.	ИПР	Исп.	ИПР
Ск-ть исп., кг/м2с	7,8×10-3	1,5×10-3	5×10-3				4,2×10-3		3,2×10-3
Толщина пленки, мкм	1	0,7	1	0,3	0,5	0,5	0,3	0,1	0,1	0,3
Тип испарителя	повер.	точен.	повер.				точен.		точен.
Площ. исп., см2	1	0.5	1				0,8		0.8
Расстояние h, см	8	10	8				11		12
Коэф. расп., ат/ион				1.68	2,45	1,81		1,83		1,1
Плотн. ион. тока на мишени, А/см2				15	10	10		10		15

5. Выбрать резистивный материал для изготовления тонкопленочных резисторов

№варианта	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
R,Ом	200	1000	1000	800	1200	1400	2500	3000	2000	3000
Кф	2	5	2	3	3	2	2	2	20	10

6. Рассчитать погрешность изготовления тенкопленочного резистора (по ширине), используя прямую контактную маску. Ошибка воспроизвеления толщины 5%; ошибка экспонирования 0,5 мкм; ошибка проявления 1 мкм.

№варианта	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
bр,мкм	30	40	50	60	70	80	90	100	110	120
d,мкм	0,2	0,2	0,2	0,15	0,15	0,1	0,1	0,1	0,1	0,1
, мкм	0,5	0,5	0,5	1	1	1	1	1,5	1,5	1,5

7. Рассчитать техмаршрут изготовления фрагмента тонкопленочной интегральной микросхемы, стсоящей из указанных элементов.

Вариант Параметры	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Резисторы	Cr		Ti			Mo	Ta		Cr	W
Контакты, проводники	Al		Al	Al		Al	Au		Al	Al
Обкладки		Ta, Au			Al			Al
Конденсаторы, диэлектрик		Ta2O5			SiO			TiO2	Al2O3
Индуктивности				Cr-Cu-Ni
Способы получения пленок	ТИ	ИПР	ТИ	ТИ	ТИ	ТИ	ИПР	ТИ	ТИ	ИПР
Фоторезисты	Позит.	Негат.	Позит.	Негат.	Позит.	Негат.	Позит.	Негат.	Позит.	Негат.
Метод получения рисунка - контактные маски	прямые	прямые и обраные	прямые	прямые и обратные	прямые и обратные	прямые	прямые	прямые и обратные	прямые	прямые

ТИ – термическое испарение;

ИПР – ионно – плазменное распыление.

8. Определить размеры платы для отдельной ИМС, если на стандартной подложке из ситалла одновременно формируются идентичные тонкопленочные схемы в указанном количестве:

1) 80; 2) 12; 3) 24; 4) 48; 5) 20;

6) 32; 7) 40; 8) 36; 9) 60; 10) 30.

ЛИТЕРАТУРА

1.  , , Горбунов . Физические и технологические основы, надежность. - М.: Высшая школа, 1986. -464с.

2.  Парфенов микросхем. - М.: Высшая школа, 1986. -315с.

3.  Радионов в производстве интегральных микросхем. - Минск: Дизайн ПРО, 1998. -95с.

4.  Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 кн.: Учеб. пособие для ПТУ. Кн.8. Литографические процессы / , . - М.: Высшая школа, 1990. -120с.

5.  , Радионов микросхемы для приборостроения и вычислительной техники. - М.: Машиностроение, 1976. -328с.

6.  Данилина технологии производства СБИС. - Томск: ТМЦ ДО, 2000. -99с.

7.  Технология тонких пленок. Справочник под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. - М.: Сов. радио, 1977. Т.1. -662с.

8.  , Смирнов -плазменные технологии в производстве СБИС. - Томск: Томск. ун-т систем управления и радиоэлектроники. 2000. -140с.

9.  , Киреев травление микроструктур. - М.; Сов. радио, 1979. -104с.

10.  , Морозов гибридных интегральных схем СВЧ. – М., Высшая школа, 1980. – 285с.

11.  Фурман оптические покрытия. – Л., Машиностроение. – 1977. – 264с.

12.  Кокс Дж. Т., Просветляющие покрытия для видимой и инфракрасной областей спектра. - Вкн.: Физика тонких пленок, М.: Мир, 1967. Т.2 - с. 186 – 253

13.  Мадден и исследование отражающих покрытий для вакуумного ультрафиолетового излучения. Вкн.: Физика тонких пленок – М.: Мир. – 1967. Т.1 - с. 152 – 223

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

Основные физические постоянные

Постоянные	Символ	Значение	Единицы СИ
Элементарный заряд	е	1,6
Число Авогадро		6,02
Масса покоя электрона		9,1	кг
Постоянная Планка	h	6,62	Джּс
Атомная единица массы	а. е.м.	1,66	10-27 кг
Газовая постоянная	R	8,3
Постоянная Больцмана	k	1,38
Первый радиус Бора		5,67
Диэлектрическая проницаемость вакуума		8,85

СООТНОШЕНИЯ МЕЖДУ ЕДИНИЦАМИ ИЗМЕРЕНИЯ

1 Дж = 0,24 кал; 1 кал = 4,19 Дж