Технология тонкопленочных микросхем (стр. 29 )

1 эВ =

1 м =

Заряд электрона e = СГС =

Газовая постоянная = 1,987

Постоянная Больцмана

Периодическая система элементов

Пери - оды	Ряды	Группы элементов
I	II	III	IV	V	VI	VII	VIII
1	I	1 H 1,008							2 He 4,0
2	II	3 Li 6,94	4 Be 9,01	5 B 10,81	6 C 12,0	7 N 14,01	8 O 16,0	9 F 19,0	10 Ne 20,18
3	III	11 Na 23	12 Mg 24,30	13 Al 26,98	14 Si 28,09	15 P 30,97	16 S 32,06	17 Cl 35,45	18 Ar 40,0
4	IV	19 K 39,10	20 Ca 40,08	21 Sc 44,96	22 Ti 47,90	23 V 50,94	24 Cr 52,0	25 Mn 54,9	26 Fe 55,8	27 Co 58,9	28 Ni 58,7
V	29 Cu 63,55	30 Zn 65,38	31 Ga 69,72	32 Ge 72,5	33 As 74,92	34 Se 79,0	35 Br 79,9	36 Kr 83,8
5	VI	37 Rb 85,5	38 Sr 87,6	39 Y 88,9	40 Zr 91,2	41 Nb 92,9	42 Mo 96,0	43 Tc 98,9	44 Ru 101,0	45 Rh 102,9	46 Pd 106,4
VII	47 Ag 107,9	48 Cd 112,4	49 In 114,8	50 Sn 118,8	51 Sb 121,8	52 Te 127,6	53 I 126,9	54 Xe 131,3
6	VIII	55 Cs 132,9	56 Ba 137,3	La-Lu	72 Hf 178,5	73 Ta 180,9	74 W 183,8	75 Re 186,2	76 Os 190,2	77 Ir 192,2	78 Pt 195,0
IX	79 Au 197	80 Hg 200,6	81 Tl 204,3	82 Pb 207,2	83 Bi 209,0	84 Po (209)	85 At (210)	86 Rn (222)
7	X	87 Fr (223)	88 Ra 226	Ac-(Lr)	104 Ku (261)	105 Ns (261)

Приложение 3

Параметры металлов и полупроводников

Материал	Плотность	Атомная плотность	Условная температура испарения, К	Коэффициенты	Энергия сублимации, Есуб., ЭВ
А	В
Ag	10,49	5,85	1320	10,78	14090	2,7
Al	2,7	6,04	1423	11,11	15630	3,26
Cu	8,96	8,52	1546	10,84	16580	3,56
Mo	10,2	6,39	2800	10,92	30310	6,9
Au	19,32	5,90	1738	10,77	18520	3,92
Pt	21,5	6,61	2360	11,75	27500	5,56
Ti	4,52	5,66	1832	11,1	20110	4,34
W	19,3	6,09	3580	11,36	40260	8,76
Ni	8,9	9,03	1780	11,67	20600	4,41
Cr	7,19	7,64	1478	12,0	17560	3,68
Si	2,42	5,04	1615	12,32	19700	3,91
Ta	16,6	5,52	3340	12,12	40210	8,7
Ge	5,32	4,53	1520	10,12	15150	3,77
Cd	8,65		538	10,9	5800
Fe	7,86		1720	12,53	21960
Zn	6,5		616	11,06	6740