Технология тонкопленочных микросхем (стр. 17 )

Различные способы ионного и ионно-плазменного осаждения тонких пленок приведены в [8].

4. ЭЛЕМЕНТЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ

МИКРОСХЕМ

4.1  Подложки пленочных ИМС

4.1.1. Материалы подложек

Подложки в технологии изготовления пленочных и гибридных ИМС играют очень важную роль. Подложки являются основанием для группового формирования на них ИМС, главным элементом конструкции ИМС, выполняющим роль механической опоры, обеспечивают теплоотвод и электрическую изоляцию элементов.

Подложка предназначена для нанесения на нее элементов гибридных и пленочных ИМС, межэлементных и межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.

Материал, геометрические размеры и состояние поверхности подложек во многом определяют качество формируемых элементов и надежность функционирования ИМС и микросборок. Различные способы формирования пленочных элементов, монтажа и сборки, а также многообразие выполняемых гибридными ИМС функций диктуют разнообразные и даже противоречивые требования к подложкам. В настоящее время нет такого материала для подложек, который в одинаковой мере удовлетворял бы этим разнообразным требованиям. Для изготовления подложек в основном используют стекло, керамику, ситалл.

Стекло. Для подложек используют боросиликатные и алюмосиликатные стекла. Путем листового проката этих стекол получают достаточно гладкую поверхность, не прибегая к полированию.

Применение щелочных стекол, содержащих окислы Na2O, CaO, ограничено нестабильностью их свойств, поскольку при нагреве в электрическом поле наблюдается интенсивное выщелачивание. К недостаткам подложек из стекла следует отнести малую теплопроводность, что не позволяет применять их при повышенном нагреве. При интенсивном нагреве предпочтительнее кварц и кварцевое стекло. Подложки из стекла имеют аморфную структуру.

Керамика. Исходными материалами являются порошкообразные окислы. Смесь окислов отжигают при 1000 оС и измельчают до однородного размера зерна. Добавляют около 2 % связующего вещества, а затем прессуют или делают в виде ленты, пропуская под режущим инструментом. Ленту высушивают на воздухе для удаления растворителя. Затем из ленты вырезают подложки желаемой формы. Можно сделать отверстия или направляющие кромки. Вырезанные подложки спекают при 1500-1700 оС.

Керамики изготовляются с различным содержанием окислов: алюминиевая керамика - Al2O3 от 96 % до 99,9 %; бериллиевая керамика BeO - 99,5 %. Чем меньше в керамике содержится связующего вещества, тем прочнее керамика. Прочность связующего вещества значительно ниже прочности Al2O3 или BeO, поэтому полученное спеканием изделие при больших нагрузках разрушается по связующему веществу. Увеличение содержания Al2O3 в керамике значительно улучшает ее свойства, а именно, увеличиваются механическая прочность, теплопроводность, улучшаются электрические свойства.

После спекания керамика имеет шероховатую поверхность. Эту поверхность улучшают шлифовкой и полировкой, но это дорого. Для улучшения поверхности керамику покрывают стеклянной глазурью и еще раз отжигают. Керамические подложки имеют поликристаллическую структуру.

Синтетический сапфир - это монокристаллическая окись алюминия. Прокаленный порошок алюмоаммониевых квасцов расплавляют в кислородно-водородном пламени и выращивают монокристаллическую булю, которую разрезают на пластины и полируют.

Ситаллы - стеклокристаллический материал. Ситалл отличается от стекла наличием микрокристаллической фазы, занимающей от 50 до 95 % всего объема. Это резко повышает механическую прочность ситалла и улучшает его электрические свойства. Искусственную кристаллизацию стекла для получения ситалла производят путем введения в шихту катализаторов, способных образовывать зародыши кристаллизации. Если это происходит при фотохимическом процессе, то полученный материал называют фотоситаллом. Например, если в шихту ввести ионы Ag и облучить светом, то серебро восстанавливается до металла, и получаем большое число зародышей кристаллизации, равномерно распределенных во всем объеме. Для изготовления подложек чаще всего используется марка СТ50-1.

Геометрические размеры подложек стандартизированы. Подложки из стекла имеют размеры 50х50, 48х60, 60х96, 100х100 и 96х120 мм, из керамики и ситалла 48х60, 60х96 и 96х120, из сапфира - 24х30 мм. Толщина составляет 0,6-1 мм. Деление подложек с ИМС на части, кратные двум и трем, дает нормализованный ряд типоразмеров плат.

В последнее время для изготовления гибридных БИС и микросборок применяют гибкие подложки из полимерных материалов. Наибольшее распространение получили полиимидные пленки толщиной 40-50 мкм, которые допускают двустороннюю обработку и вакуумное нанесение тонких пленок для создания двухслойной разводки, а также травления отверстий для создания металлизированных переходов между слоями. Основными преимуществами гибких подложек являются способность изгибаться и свертываться в трех плоскостях, принимать форму корпуса сложной конструкции, а также малые толщины и масса, ударопрочность.

Наиболее перспективными для гибридных БИС и микросборок являются металлические подложки (платы), поверхность которых покрывают относительно тонким (40-60 мкм) слоем диэлектрика. Для этих целей используют алюминиевые пластины с анодированной поверхностью, стальные пластины, покрытые стеклом или полиимидным лаком, и др. Металлические подложки существенно улучшают теплоотвод от компонентов, обеспечивают необходимую жесткость конструкции гибридных ИМС и микросборок.

4.1.2. Свойства подложечных материалов

Шероховатость поверхности. Состояние поверхности подложки оказывает существенное влияние на структуру наносимых пленок и параметры пленочных элементов. Большая шероховатость поверхности подложки, наличие на ней микронеровностей уменьшают толщину пленок, вызывают локальное изменение электрофизических свойств пленок и тем самым снижают воспроизводимость параметров пленочных элементов и их надежность. Поэтому подложки для тонкопленочных ИМС должны иметь минимальную шероховатость, быть без пор и трещин. Так, при нанесении тонких пленок толщиной до 100 нм допустимая высота микронеровностей не должна превышать 25 нм, что соответствует 14-му классу чистоты поверхности подложек.

Толстые пленки наносят толщиной до 50 мкм, поэтому подложки для толстопленочных ИМС могут иметь микронеровности до 2 мкм, что соответствует восьмому классу чистоты (не хуже).

Шероховатость поверхности подложек зависит от материала подложек и способов их обработки (табл.4.1).

Таблица 4.1

Шероховатость подложек

Материал подложки	Стекла, сапфир	Глазурованные и полированные керамики, ситалл	Свежеотожженная керамика 99,5 % Al2O3	Керамика 96 % Al2O3
Высота неровностей, мкм	0,025	0,05	1	1,5
Класс чистоты	14	13-14	10	9

Для стекол наблюдаются случайные неровности, обусловленные нерегулярностями вытягивания. Они малы. Такой же характер носит поверхность глазурованной керамики и полированного сапфира. Высота неровностей для мелкозернистой керамики (96 % Al2O3) составляет 1,5 мкм и на длине 20 мкм - два пика, а для керамики 99,5 % Al2O3 амплитуда пиков меньше (1 мкм), но на той же длине умещается уже три пика. Керамику можно полировать и, если размеры зерен малы, обработанная поверхность может быть столь же гладкой, как поверхность стекла. Однако это сильно увеличивает стоимость подложек.

Плоскостность необходима для качественной работы установок совмещения. На четкость линий в фотолитографии особенно влияет волнистость поверхности. Если при экспонировании поверхность фоторезиста не приведена в совершенный контакт с фотошаблоном, то свет будет попадать на периферию непрозрачных участков, и четкость будет ухудшаться. И керамикам, и стеклам присуща волнистость поверхности, причем для керамик положение еще больше осложняется из-за искривления в процессе отжига, а также при операции глазурования.

Для подложек с большим радиусом кривизны R допустимы отклонения от плоскостности 50 мкм/см, при малом R недопустимы отклонения даже 10 мкм/см. Характерные отклонения от плоскостности для различных материалов подложек представлены в табл.4.2.

Таблица 4.2

Отклонения от плоскостности

Материал подложки	Полированные поверхности	Стекло	Керамики, ситалл
Отклонения, мкм/см	<1	40	50

Теплопроводность. Материал подложки должен обладать хорошей теплопроводностью, что позволяет избежать возникновения в микросхеме местного перегрева, вызывающего изменение характеристик или даже разрушения пленок. Подложка, изготовленная из материала с высокой теплопроводностью, обеспечивает выравнивание температурного градиента по всей поверхности, а также отвод тепла от микросхем. Стекла имеют очень малую теплопроводность. Из подложечных материалов высокой теплопроводностью обладает керамика на основе бериллия. Теплопроводность подложечных материалов представлена в табл.4.3. Теплопроводность меди взята за единицу.

Таблица 4.3

Теплопроводность материалов

Материал подложки	Стекла, ситалл	Керамика на основе Al2O3	Керамика на основе BeO	Медь
Теплопроводность, отн. ед.	0,002-0,005	0,05	0,2	1

Термическое расширение характеризуется температурным коэффициентом линейного расширения (ТКЛР). Коэффициент термического расширения типичных подложечных материалов меньше, чем у металлов. Кроме того, обычно применяют многослойные металлические композиции, поэтому при подгонке ТКЛР пленки и подложки приходится искать некоторое компромиссное решение (табл.4.4).