Технология тонкопленочных микросхем (стр. 21 )

Строгий расчет индуктивности пленочной катушки достаточно сложен, поэтому чаще прибегают к эмпирическим соотношениям, в которые входят параметры элементов конструкции катушки: ее форма, число и размеры витков при заданных ограничениях на используемые материалы подложек. Так, для плоской спиральной катушки, изготовленной на диэлектрическом основании, с достаточной для практических расчетов точностью при и справедливо соотношение [5]

нГ,

где средний диаметр витка;

число витков катушки;

суммарная ширина проводников;

шаг проводников.

Из формулы следует, что при прочих равных условиях величина индуктивности пропорциональна среднему диаметру витка спирали и квадрату числа витков. Поскольку практически размеры отдельных пленочных элементов не превосходят 1 см2, а число витков спирали ограничено суммой межвитковых емкостей, активным сопротивлением спирали, разрешающей способностью используемого процесса нанесения пленок и получения рисунка, постольку предельная величина индуктивности пленочной катушки на диэлектрической подложке обычно мала. Тонкопленочная индуктивность на основе пленок меди, алюминия диаметром 8 мм имеет индуктивность 3,5 мкГн добротность 50 на частоте 15 МгГц. Покрытие катушки ферромагнитной пленкой увеличивает индуктивность до 100 мкГн.

Увеличение добротности катушек обычно достигается за счет выбора материалов с малым удельным сопротивлением (обычно это медь с подслоем титана или ванадия), использования достаточно толстых (до 30-40 мкм) слоев, использования изоляционных слоев с малыми потерями на рабочих частотах (стекло, ситаллы) и применения профилированных подложек с тем, чтобы витки катушки формировались на выступающих участках основания и тем самым уменьшалась межвитковая емкость.

Использование в пленочных катушках индуктивности слоев толщиной в несколько десятков микрометров определяет специфические методы их нанесения по заданному рисунку. Наиболее часто используются процессы осаждения сплошного токопроводящего покрытия, нанесения на него диэлектрического защитного слоя, окна в котором соответствуют рисунку спирали с последующим гальваническим наращиванием слоев до необходимой толщины и снятием диэлектрического и тонкого проводящего слоев в зазорах между витками спирали.

Еще одна возможность увеличения добротности катушек индуктивности заключается в преимущественном выборе круглой формы спирали, поскольку для одного и того же номинала индуктивности длина проводника круглой спирали меньше, чем квадратной, и соответственно меньше величина активного сопротивления. Существует оптимальное соотношение внутреннего и внешнего диаметров спирали, численно равное для круглой спирали и 0,362 для квадратной спирали.

При перечисленных условиях добротность тонкопленочных катушек индуктивности находится в пределах 80-150.

4.5. Проводники и контактные площадки

Необходимыми элементами любой тонкопленочной микросхемы являются пленочные проводящие слои и контактные площадки, основное назначение которых объединить пленочные и навесные компоненты в законченную схему, выполняющую определенную электрическую функцию.

Этим обусловлено все многообразие требований, предъявляемых к пленочным проводникам и контактным площадкам. Они должны с минимальными потерями подводить напряжение питания к функциональным компонентам микросхемы, с минимальными искажениями передавать сигналы, обеспечивать надежный, чаще всего невыпрямляющий и малошумящий контакт с элементами микросхемы.

Требования, предъявляемые к пленочным проводникам и контактным площадкам, в ряде случаев противоречат друг другу. Например, увеличение ширины пленочного проводника уменьшает его индуктивность, но одновременно возрастает емкость этого проводника относительно земли и расположенных в непосредственной близости элементов микросхемы. Материалы с малым значением удельного сопротивления, применяемые для проводников и контактных площадок, как правило, имеют плохую адгезию к подложке.

Ниже рассматриваются основные критерии, определяющие выбор материала проводников и контактных площадок.

Фактором, определяющим верхнюю границу толщины проводящей пленки, является усилие отрыва или сдвига пленки. Этот параметр в первом приближении зависит от соотношения сил адгезии пленки к основанию и возникающих напряжений (например, из-за разности коэффициентов линейного расширения пленки и основания).

Если силы адгезии сконцентрированы лишь в области контакта двух разнородных слоев и с этой точки зрения не зависят от толщины пленки, то термические напряжения пропорциональны объему пленки и, следовательно, сила сцепления пленки и основания, как правило, убывает с толщиной.

Эти и многие другие факторы ограничивают диапазон толщин проводящих пленок областью 0,1-1,0 мкм.

Величина сил адгезии проводников к подложке определяется природой контактирующих материалов и условиями нанесения пленки, а именно:

-  поверхностью подложки;

-  степенью чистоты поверхности подложки;

-  наличием подслоя и его природой;

-  температурой, при которой наносится пленка, и энергией осаждающихся атомов.

Поскольку контактные площадки предназначены для присоединения навесных элементов и внешних выводов микросхемы, одним из решающих факторов, определяющих выбор материала, является его способность к пайке и сварке без нарушения ее целостности.

С точки зрения минимального электросопротивления наиболее подходящими для создания проводников и контактных площадок являются золото, серебро, медь, никель и алюминий (табл.4.6).

Золото обладает высокой химической стойкостью, малым электросопротивлением, хорошо паяется и сваривается с выводами навесных компонентов микросхемы. К его недостаткам кроме высокой стоимости следует отнести низкую адгезию к диэлектрической подложке и склонность к агрегации. Поэтому золото при создании пленочных проводников и контактных площадок чаще всего используется в комбинации с другими материалами: адгезионным подслоем хрома, нихрома, титана или выступает в качестве верхнего химически инертного защитного и технологического слоя на тантале, меди и некоторых других материалах.

Серебро имеет наибольшую электропроводность, коррозионно-устойчиво, допускает пайку и сварку. Высокая миграционная подвижность серебра при отсутствии надлежащих мер защиты в ряде случаев приводит к отказам микросхемы.

Медь - один из наиболее часто используемых материалов. Она характеризуется высокой электропроводностью, хорошо сочетается с другими материалами при создании многослойных проводников. Медь по свойствам приближается к серебру и сохраняет присущий серебру недостаток - высокую миграционную подвижность. Кроме того, медь склонна к окислению. Поэтому медь в качестве материала проводящего слоя обычно используется с адгезионным подслоем марганца, титана, хрома или нихрома и защитным покрытием из никеля, золота или припоя. Для уменьшения электромиграции меди под действием постоянных потенциалов в присутствии влаги окружающей атмосферы обязательно использование плотных и негигроскопичных диэлектрических покрытий.

Никель обычно не применяется в качестве основного компонента материала проводящего слоя, а используется в качестве верхнего защитного слоя на меди, алюминии и пр. Он обеспечивает надежную пайку и сварку внешних выводов микросхемы.

Таким образом контактные площадки и проводники делаются двух - и трехслойными: адгезионный подслой - основной проводящий слой - защитный слой. В качестве материала подслоя используются нихром, хром, титан, тантал марганец, обеспечивающие адгезию основного проводящего слоя к диэлектрической подложке. Толщина пленки подслоя составляет 0,01-0,03 мкм. Толщина проводящего слоя (Au, Cu) обычно лежит в диапазоне 0,4-1,0 мкм. Защитный слой (Au, Ni, Ag) делается достаточно тонким порядка 0,05-0,1 мкм. Защитный слой обычно требуется для пленок меди, так как она легко окисляется на воздухе.

Комбинации материалов для проводников и контактных площадок приведены в табл.4.6.

Таблица 4.6

Характеристики проводников и контактных площадок

Материалы	Удельное сопротивление Ом/ð
Нихром-золото Нихром-медь-никель Нихром-медь-серебро Нихром-медь-золото Нихром-алюминий-никель	0,03-0,04 0,02-0,04 0,02-0,04 0,02-0,04 0,1-0,2

Алюминий широко применяется для создания проводящих слоев, контактных площадок и элементов пересечений. Кроме того, в микросхемах с тонкопленочными конденсаторами алюминий используется для верхних и нижних обкладок.

Образующаяся на алюминии тонкая окисная пленка затрудняет его сварку и особенно пайку; однако ее присутствие позволяет создавать высоконадежные пленочные пересечения благодаря эффекту "самозалечивания". Большим преимуществом алюминия при создании тонкопленочных проводников и пересечений является то, что в ряде технологических процессов проводящая пленка алюминия может быть превращена в диэлектрический слой окиси алюминия и, следовательно, возможно получение безрельефных структур. К достоинствам алюминия следует также отнести и то, что он практически не меняет свои свойства при температурах до 500 оС.

Благодаря перечисленным выше свойствам алюминий находит самое широкое применение в технологии гибридно-пленочных микросхем. К недостаткам алюминия следует отнести технологические сложности получения толстых (5-10 мкм) слоев.