Программа XXII международной конференции Взаимодействие ионов с поверхностью (стр. 2 )

21 августа, пятница

Секция №2. Рассеяние и проникновение ионов

Председатели: Г. Корнич, В. Бачурин

900-925	Stefan Nagele (Vienna University of Technology, Austria) Attosecond chronoscopy of photoemission.
930-955	Srdjan Petrović  (Vinča Institute of Nuclear Sciences, Serbia) Classical and quantum rainbow channeling of charged particles in very thin silicon crystals and carbon nanotubes.
1000-1025	Franciszek Krok  (Jagiellonian University, Poland) Pillars formation on compound semiconductor surfaces under focused and broad ion beam irradiation.
1030-1040	Dong-Hai Zhang, Jun-Sheng Li, S. Kodaira and N. Yasuda. Projectile fragment emission in the fragmentation of silicon on carbon and polyethylene targets at 684 A MeV.
1045-1100	ПЕРЕРЫВ, кофе
1100-1125	David Tetelbaum  (Lobachevsky State University of Nizhnii Novgorod, Russia) Surface-oxide-related long-range effect under ion and light irradiation of solids.
1130-1140	, , . Равновесная толщина углерода при взаимодействии с пучками азота и неона.
1145-1155	, , . Фокусировка при рассеянии частиц на поверхности.
1200-1210	, , S.Barabash, M.Wieser. Моделирование распыления и рассеяния льда под воздействием ионов H+,O+ для условий поверхности Луны и спутников Юпитера.
1215-1225	А.М.Ионов, Р.Н.Можчиль, А.Ф.Редькин, С.Г.Протасова, Н.С.Воробьёва. Влияние ионной бомбардировки на электронную структуру и валентные состояния урана в кислородосодержащих соединениях.
1230-1240	, , . Термодесорбция дейтерия из радиационных дефектов в вольфраме.
1245-1255	G. Filippov. Passage of particle through a cylindrical structure.
1300-1400	ПЕРЕРЫВ, обед

21 августа, пятница

Секция №3. Эмиссия ионов, электронов, фотонов и рентгеновского излучения при ионной бомбардировке

Председатели: В. Попок, С. Крашенинников

1400-1425	Vladimir Palitsin (University of Surrey, UK) Ambient Pressure MeV Secondary Ion Mass Spectrometry.
1430-1455	Philippe Roncin (Université Paris-Sud, France) Grazing Incidence Fast Atom Diffraction (GIFAD) and Molecular Beam Epitaxy.
1500-1525	Eli Kolodney  (Israel Institute of Technology, Israel) Velocity correlated cluster emission: a new surface sputtering mechanism by a large polyatomic projectile.
1530-1555	Toshio Seki (Kyoto University, Japan) Imaging mass spectrometry with MeV-energy heavy ion beams.
1600-1615	ПЕРЕРЫВ, чай
1615-1640	Paolo Milani  (University of Milano, Italy) Supersonic cluster beam implantation in polymers: a novel tool for stretchable electronics and optics.
1645-1710	Ahmed Hassanein and HEIGHTS Team (Purdue University, USA) Plasma-Surface Interactions during normal and abnormal Tokamak operation.
1715-1725	, . Неупругие процессы при взаимодействии ионов с поверхностью ZrO2.
1730-1740	M. V.Sorokin, A. Dauletbekova, K. Schwartz, M. Baizhumanov, A. Alkilbekov, M. Zdorovets. Energy loss effect on color center creation in lithium fluoride crystals.
1745-1755	Yu.V.Kapitonov, P.Yu.Shapochkin, Yu.V.Petrov, V.A.Lovcjus, S.A.Eliseev, Yu.P.Efimov, V.V.Petrov and V.V.Ovsyankin. InGaAs/GaAs quantum well modification by focused ion beam.
1800-1810	, . Масс-спектры кластеров при ионном распылении металла.
1815-2000	Стендовые доклады (секции 4 и 5)
2000-2030	Ужин

22 августа, суббота

Секция №4. Имплантация ионов и модификация поверхности

Председатели: А.Титов, А.Азаров 

900-925	Kai Nordlund (Helsinki University, Finland) Ion irradiation of Si, GaN and Au nanowires: order-of-magnitude enhancements of damage production and sputtering.
930-955	Vladimir Popov (Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Russia) Formation, properties and applications of NV-centers in ion-implanted diamond.
1000-1025	Igor Kossyi (Prokhorov General Physics Institute of the RAS, Russia) Explosive emission phenomena on the plasma-metal interface. Physics and applications.
1100-1115	ПЕРЕРЫВ, кофе
1115-1140	Alexander Azarov  (University of Oslo, Norway) Diffusion and trapping of Zn vacancies and interstitials in ion implanted ZnO.
1145-1210	Johan Malherbe (University of Pretoria, South Africa) Some ion bombardment effects in SiC.
1215-1240	Thomas Greber  (University of Zurich, Switzerland) Low energy ion implantation beneath 2D materials like boron nitride or graphene: Nanotents and Can opener effect.
1245-1255	C. Bundesmann, R. Feder, H. Neumann. The ion beam sputter deposition process of Ag.
1300-1400	ПЕРЕРЫВ, обед

22 августа, суббота

Секция №4. Имплантация ионов и модификация поверхности

Председатели: В. Попов, З. Инсепов

1400-1425	Vjacheslav Ivanov  (Prokhorov General Physics Institute of the RAS, Russia) Microplasma discharge on a metal surface covered with a dielectric film: Experiment, theory, and applications.
1430-1455	Zinetula Insepov (Purdue University, USA) Radiation modification of graphene with gas cluster ion beams.
1500-1525	Ivan Santos (University of Valladolid, Spain) Multiscale defect modeling: from fundamental properties to macroscopic effects
1530-1540	V. V.Privezentsev, V. S.Kulikauskas, V. V.Zatekin, A. V.Goryachev, A. A.Batrakov. Nanoparticle formation in Zn+ ion hot implanted Si.
1545-1555	Nana Pradhan, S. K.Dubey. Silicon ion irradiation into manganese implanted gallium nitride DMS.
1600-1615	ПЕРЕРЫВ кофе
1615-1625	A.V.Naumkin, A.Yu.Pereyaslavtsev. Ion-induced auger electron spectroscopy of some Al-Mg alloys.
1630-1640	P. A.Karaseov, A. I.Titov, K. V.Karabeshkin, M. W.Ullah, A. Kuronen, F. Djurabekova, K. Nordlund. Experimental study and MD simulation of damage formation in GaN under atomic and molecular ion irradiation.
1645-1655	D. Sinelnikov, V. Kurnaev, D. Kolodko, N. Solovev. Tungsten nano-fuzz surface degradation under ion beam.
1700-1900	Стендовые доклады (секция 6)
2000-2200	Ужин, банкет

23 августа, воскресенье

Секция №5. Ионно-индуцированные процессы в тонких пленках и наноструктурах

Председатели: А. Писарев, А. Борисов

900-925	Xiao-Tao Hao  (Shandong University, China) Hydrogenated oxide semiconductor films by sputtering.
930–955	Mike Russell  (University of Pretoria, South Africa) Non-linear transport of energy in thin films and surface interactions.
1000-1025	Iva Bogdanović Radović   (Rudjer Bošković Institute, Croatia) Formation and tailoring of metal and semiconductor quantum dots in amorphous matrices by MeV ions.
1030-1040	Brandon Holybee (University of Illinois at Urbana-Champaign, USA) Compositional and structural evolution of self-organized nanostructures during early stage ion irradiation of GaSb.
1045-1100	ПЕРЕРЫВ, чай
1100-1110	O. V.Ogorodnikova. Migration, trapping and release of deuterium from tungsten in the presence of high density of defects: theory and experiment.
1115-1125	Н.Н.Андрианова, А.М.Борисов, В.А.Казаков, Е.С.Машкова, Ю.Н.Пальянов, В.П.Попов, Е.А.Питиримова, Р.Н.Ризаханов, С.К.Сигалаев. Графитизация поверхности алмаза при высокодозной ионной бомбардировке.
1130-1140	C.В. Константинов, , . Влияние ионного облучения на структуру высокоэнтропийных покрытий (Ti, Hf, Zr, V, Nb)N.
1145-1155	N. N.Cherenda, V. V.Uglov, A. K.Kuleshov, V. M.Astashynski, A. M.Kuzmitski. Alloying and nitriding steels by compression plasma flows treatment.
1200-1210	D. Kogut, K. Achkasov, J. M. Layet, A. Simonin, A. Gicquel, J. Achard, G. Cartry. Negative-ion production on the surface of diamond materials in low pressure hydrogen plasmas.
1215-1225	K.Gutorov, I.Vizgalov, F.Podolyako, I.Sorokin. Study of plasma interaction with fusion reactor materials at the linear simulator with a beam-plasma discharge.
1230-1240	R. A.Andrievski. The interface role in the nanostructured films behavior under ion irradiation.
1245-1255	А.В. Лубенченко, А.А. Батраков, А.Б. Паволоцкий, Д.А. Иванов, О.И. Лубенченко, И.В. Шуркаева. Модификация оксидных плёнок ниобия слаботочными ионными пучками.
1300-1400	ПЕРЕРЫВ, обед
1420 -1930	Экскурсии
2000 -2200	Ужин

24 августа, понедельник