РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ «МИФИ»

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ

ЯРОСЛАВСКИЙ ФИЛИАЛ ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ИНСТИТУТА РАН

ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И ОСОБОЧИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ

ПРОГРАММА

XXII МЕЖДУНАРОДНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИОНОВ

С ПОВЕРХНОСТЬЮ

(ВИП-2015)

20 – 24 августа 2015 г.

Москва 2015

Конференция проводится при финансовой поддержке:

Российского фонда фундаментальных исследований

Издательства «Elsevier»

Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ»

Организаторы

Ras-logo

Российская академия наук (РАН)

http://wiki.mephist.ru/images/9/95/MEPhI_Logo2014_ru.pngНациональный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

Логотип МГУ

Московский государственный университет

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет (СПГПУ) Золотая лига Ассоциация мини-футбола России

Санкт-Петербургский политехнический университет 

флаги учебных заведений

Московский авиационный институт

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, п. Черноголовка Московской обл., Россия

Ras-logo,Ras-logo
 

Ras-logo
Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН


ОРГАНИЗАЦИОННЫЙ КОМИТЕТ

– председатель, академик РАН, МАИ

– сопредседатель, НИЯУ МИФИ

– зам. председателя, МГУ

– зам. председателя, СПбГПУ

– зам. председателя, НИЯУ МИФИ

– зам. председателя, ИПТМ РАН

– ученый секретарь, НИЯУ МИФИ

Члены оргкомитета:

– ЯФТИ

– НИЯУ МИФИ

– МАИ

– НИЯУ МИФИ

– МГУ

– ИОФ РАН

– СПбГПУ

– ИОФ РАН

– Университет Хадерсфильд

– ЗНТУ

– НИЯУ МИФИ

– НИЯУ МИФИ

– МАИ

– МАИ

ПРОГРАММНЫЙ КОМИТЕТ

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

– Председатель

МГУ, Москва, Россия

Члены программного комитета:

С. Жанг

T. Мишели

– Университет Париж-Юг, Франция

– НУ, Харьков, Украина

– Университет, Наньянг, Сингапур

– ЛЛНЛ, Ливермор, США

– НИЦ «Курчатовский ин-т», Москва, Россия

– НИИЯФ МГУ, Москва, Россия

– ННГУ, Нижний Новгород, Россия

– Университет, Кёльн, Германия

– НИЯУ МИФИ

– Университет, Ольборг, Дания

– ННГУ, Нижний Новгород, Россия

МЕЖДУНАРОДНЫЙ СОВЕТ

(Россия),  (Украина), И. Бургдорфер(Австрия), Р. Вэбб (Великобритания), Д. Вильямс (Австралия), Х. Винтер (Германия), Ф. Джурабекова (Финляндия), В. Есаулов (Франция), П. Зигмунд (Дания), (Беларусь), (Узбекистан), (Россия), Р. Хукстра (Нидерланды), Я. Ямазаки (Япония).

НАУЧНЫЕ СЕКЦИИ:

1.  Распыление, структура поверхности, десорбция.

2.  Рассеяние и проникновение ионов.

3.  Эмиссия ионов, электронов, фотонов и рентгеновского излучения

при ионной бомбардировке.

4.  Имплантация ионов и модификация поверхности.

5.  Ионно-индуцированные процессы в тонких пленках и наноструктурах.

6.  Взаимодействие плазмы с поверхностью – физика и технология.

Все устные доклады будут проходить в актовом зале с 20 по 24 августа с 900 до 1800. На приглашенные доклады предоставляется по 25 минут и по 5 минут на дискуссию, на секционные – по 10 минут и по 5 минут на дискуссию.

С 1800 до 2000 будет проводиться обсуждение стендовых докладов. Стендовые доклады должны размещаться авторами (на стендах размером 60 см ´ 80 см) вечером, накануне работы соответствующих стендовых секций. На стендах будут указаны номера, соответствующие номерам докладов в данной программе.

Дни работы стендовых секций:

20 августа – секции 1, 2 и 3;

21 августа – секция 4 и 5;

22 августа – секции 6.

830-900 – завтрак, 1045-1100 – кофе, 1300-1400 – обед, 1600-1615 – чай,

2000-2030 – ужин.

20 августа, четверг

ПЛЕНАРНОЕ ЗАСЕДАНИЕ

Председатели: Ю. Рыжов, В. Курнаев

830-1000

РЕГИСТРАЦИЯ УЧАСТНИКОВ

1000-1010

ОТКРЫТИЕ КОНФЕРЕНЦИИ

1015–1040

Friedrich Aumayr  (Vienna University of Technology, Austria)

Interaction of slow highly charged ions with ultrathin carbon nanomembranes and graphene.

1045-1110

Arnaud Delcorte  (Universite' Catholique de Louvain, Belgium)

Fundamentals of soft matter desorption, molecular analysis and depth-profiling using massive keV clusters.

1115-1130

ПЕРЕРЫВ, кофе

1130-1155

Kenji Kimura  (Kyoto University, Japan)

Temperature measurement of thermal spike using desorption of nanoparticles.

1200-1125

Thomas Michely (University of Cologne, Germany)

New phenoma in 2D-layer irradiation with low energy ions.

1230-1255

Alexander Pisarev  (National Research Nuclear University, Russia)

Technological applications of plasma surface interactions.

1300-1310

Фотографирование участников конференции

1315-1400

ПЕРЕРЫВ, обед


ПРИГЛАШЕННЫЕ ЛЕКЦИИ И УСТНЫЕ СООБЩЕНИЯ

20 августа, четверг

Секция №1. Распыление, структура поверхности, десорбция

Председатели: Л. Беграмбеков, Ю. Гаспарян

1400-1425

Vladimir Popok  (Aalborg University, Denmark)

Low-energy interaction of metal cluster ions with surfaces.

1430-1455

Gregor Hlawacek (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Germany)

High resolution surface patterning with the Helium Ion Microscope.

1500-1525

Stefan Facsko (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Germany)

Spontaneous pattern formation on ion irradiated semiconductor surfaces.

1530-1555

Christina Trautmann  (GSI Helmholz Center, Germany)

Sputtering with heavy ions in the electronic stopping regime.

1600-1615

ПЕРЕРЫВ, чай

1615-1640

Lothar Bischoff  (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Germany)

Surface modification with heavy mono - and polyatomic ions.

1645-1710

Jean-Mark Layet (University of Aix-Marseille, France)

H-production by surface ionization on carbon materials in H2 plasma.

1715-1725

H. H.Brongersma, V. S.Chernysh, P. Brüner, T. Grehl.

Surface composition of ion bombarded alloys.

1730-1740

D. V.Shyrokorad, G. V.Kornich, S. G. Buga.

Molecular dynamics simulation of bimetal atomic clusters under low energy Ar ion bombardment.

1745-1755

A. A.Eksaeva, E. D.Marenkov, D. Borodin, A. Kirshner, M. Laenger, V. A.Kurnaev, A. Kreter.

ERO-PSI code for numerical simulation of experiments on tungsten sputtering in linear plasma device PSI-2.

1800-2000

Стендовые доклады (секции 1, 2 и 3)

2000-2030

Ужин

Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5