Базовая рабочая программа дисциплины теоретическая физика (стр. 5 )

4. Каково соотношение размеров соответствующих частей p-n-перехода: δn в n-области и δp в p-области, у симметричных p-n-переходов и почему?

5. Перечислите основные механизмы пробоя p-n-перехода в полупроводнике.

6. Изменяется ли энергия электрона в твёрдом теле при его туннелировании через потенциальный барьер?

7. Поясните процесс электрического пробоя диэлектрика.

8. Как называется параметр Rn в квантовом условии для орбитальной модели атома, которое определяется выражением

?

9. Поясните, в чем заключается поверхностный эффект, наблюдаемый в обмотках магнитных элементов.

10. Есть ли отличие в наборе квантовых чисел у электронов куперовской пары в сверхпроводнике? Если да, то какое?

Вариант 2.3

1. Поясните процесс образования потенциального барьера j0, препятствующего выходу электрона за пределы твердого тела.

2. Что является причиной возникновения внешней контактной разности потенциалов при контакте двух металлов?

3. Как зависит высота потенциального барьера p-n-перехода от концентрации легирующих примесей в соответствующих областях и почему?

4. Какой вид пробоя p-n-перехода является необратимым и почему?

5. Поясните процесс образования в p-n-переходе фотоЭДС при облучении перехода светом.

6. Зависит ли электронная поляризация в диэлектрике от температуры? Почему?

7. Почему у сегнетоэлектриков наблюдается нелинейное изменение поляризованности под действием внешнего электрического поля?

8. Как определяется гиромагнитное отношение для электронной оболочки в планетарной модели атома?

9. Что характеризует относительная магнитная восприимчивость для вещества χM?

10. Влияет ли сила тока в сверхпроводнике на явление сверхпроводимости? Если да, то каким образом?

Вариант 2.4

1. Каково соотношение между работами выхода для электрона у собственного полупроводника и полупроводника р-типа?

2. Каково соотношение (>,<или =) удельных сопротивлений запирающего и антизапирающего слоев контакта «металл–полупроводник»?

3. Как изменится высота потенциального барьера p-n-перехода при увеличении температуры и почему?

4. В чем заключается условие электронейтральности p-n-перехода в полупроводнике?

5. Какие виды пробоя p-n-перехода являются обратимыми и почему?

6. Изобразите зависимость тока через p-n-переход от времени i = f(t), если на p-n-переход подается синусоидальное напряжение высокой частоты и выполняется условие, при котором период тока соизмерим со временем жизни дырок в базе (T≈τр).

7. Зависит ли электронная поляризация в диэлектрике от частоты изменения электрического поля? Почему?

8. От чего зависит относительная диэлектрическая проницаемость для сегнетоэлектриков?

9. Как для ферромагнетика определяется магнетон Бора μВ?

10. Какова магнитная восприимчивость kM = χM у вещества в сверхпроводящем состоянии?

Вариант 2.5

1. При каком соотношении между энергией электрона и энергией уровня Ферми удаление электрона из кристалла увеличит внутреннюю энергию кристалла?

2. Какими двумя способами изготавливают омические контакты «металл–полупроводник»?

3. От чего зависит характер распределения потенциала ϕ(х) в p-n-переходе полупроводника?

4. Поясните процесс туннельного пробоя p-n-перехода полупроводника.

5. Почему p-n-переход полупроводника при условии ωτр>> 1 (где ω – угловая частота для переменного тока, τр – время жизни дырок в базе) теряет выпрямительные свойства?

6. Зависит ли процесс ионно-релаксационной поляризации в диэлектрике от частоты изменения электрического поля? Почему?

7. Размеры каких доменов уменьшаются наиболее значительно при приложении к сегнетоэлектрику электрического поля?

8. Изобразите для ферромагнетика зависимость его намагниченности Jм от напряженности магнитного поля Н.

9. Поясните при помощи зависимости В = f(H), как разграничивают магнитные поля на слабые, сильные и средние.

10. Почему при сверхпроводимости электроны могут образовывать куперовские пары?

8. Рейтинг качества освоения дисциплины

Оценка качества освоения дисциплины в ходе текущей и промежуточной аттестации обучающихся осуществляется в соответствии с «Руководящими материалами по текущему контролю успеваемости, промежуточной и итоговой аттестации студентов Томского политехнического университета», утвержденными приказом ректора № 77/од от 01.01.2001 г.

В соответствии с «Календарным планом изучения дисциплины»:

-  текущая аттестация (оценка качества усвоения теоретического материала (ответы на вопросы и др.) и результаты практической деятельности (решение задач, выполнение заданий, решение проблем и др.) производится в течение семестра (оценивается в баллах (максимально 60 баллов), к моменту завершения семестра студент должен набрать не менее 33 баллов);

-  промежуточная аттестация (экзамен, зачет) производится в конце семестра (оценивается в баллах (максимально 40 баллов), на экзамене (зачете) студент должен набрать не менее 22 баллов).

Итоговый рейтинг по дисциплине определяется суммированием баллов, полученных в ходе текущей и промежуточной аттестаций. Максимальный итоговый рейтинг соответствует 100 баллам.

9. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины

Основная литература:

1.  Шаскольская . − М.: Высш. школа, 1976. – 391 с.

2.  , Розин и дефекты кристаллической решетки. −М.: Металлургия, 1990. – 336 с.

3.  ровс Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах/ Пер. с англ. − М.: Мир, 1974. – 496 с.

4.  , Хохлов твердого тела: Учеб. – 3-е изд., стер. – М.: Высш. шк.; 2000. – 494 с.

5.  Физическое материаловедение: Учебник для вузов./ Под общей ред. . – М.: МИФИ, 2007.

6.  Аникина кристаллографии и дефекты кристаллического строения: учебное электронное издание [Электронный ресурс]. – Красноярск, 2007.

7.  Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела. В 2-х томах. Мир. 1979.

Дополнительная литература:

1.  Современная кристаллография (в 4-х томах)/ − М.: Наука, 1979.

2.  Штремель сплавов. Ч. I, 2. − М.: Металлургия, 1982.

3.  Физическое металловедение / Под ред. . Вып. 1-3. Атомное строение металлов и сплавов. – М.: Мир, 1967.

4.  , Масальский металлов / Пер. с англ. в двух частях. – М.: Металлургия, 1984. – 352 с.

10. Материально-техническое обеспечение дисциплины

№ п/п	Наименование (компьютерные классы, учебные лаборатории, оборудование)	Корпус, ауд., количество установок
1	Оборудование для обработки поверхности исследуемых образцов	Ауд. 303
2	Металлографический микроскоп.	Ауд. 303
3.	Оборудование для изучения десорбции водорода из материалов под действием рентгеновского излучения	Ауд. 303
4.	Оборудование для проведения исследований: образцов металлографический микроскоп, микротвердомер, электрон-позитронная аннигиляция, насыщение образцов водородом по Сиверсту, атомно-силовой микроскоп, дифрактометр Schimatzu	Ауд. 103, 104, 303(3 корп)

Программа составлена на основе Стандарта ООП ТПУ в соответствии с требованиями ФГОС по направлению 03.03.02 Физика и профилю подготовки «Физика конденсированного состояния вещества».

Программа одобрена на заседании кафедры

________________________________

(протокол № ____ от «___» _______ 201__ г.).

Автор: ____________________ доцент,

Рецензент: _________________ профессор,