Словарь (стр. 6 )

u(r, t)=(A/√r)f(t-r/v),  (3)

где ф-ция f(t-r/v) удовлетворяет од­номерному волновому ур-нию. Однако в промежуточной области, где kr~1,

Рис. 2. Радиально расходящаяся цилинд­рич. волна, заданная в начальный момент времени в форме одиночного импульса u=u0/(1+r/r0)3/2. С увеличением τ=ct/r0 (с ростом времени t) импульс расплывается, оставляя за собой «шлейф».

даже в среде без дисперсии происхо­дит сильная деформация волнового возмущения (рис. 2). Это связано с тем, что Ц. в. в принципе нестационар­на: удаляясь от оси (центра), она оставляет за собой «шлейф», к-рый можно интерпретировать как резуль­тат прихода волновых возмущений от всё более и более удалённых от точки наблюдения источников на оси.

• См.  лит.  при  ст.  Волны.

, .

ЦИЛИНДРИЧЕСКИЕ МАГНИТНЫЕ ДОМЕНЫ, «магнитные пузырьки», изолированные однородно намагни­ченные подвижные области ферро - или ферримагнетика (домены), имеющие форму круговых цилиндров и направ­ление намагниченности, противопо­ложное направлению намагниченности остальной его части (рис. 1). Обна­ружены в кон. 50-х гг. 20 в. в ортоферритах и гексаферритах (см. Ферриты).

Рис. 1. Изолиро­ванный цилинд­рич. магн. домен (1) в пластине маг­нетика (2) с одной осью лёгкого намагничивания. H — подмагничивающее поле, направление к-рого совпадает с осью лёгкого намагничивания; J — намагниченность магнетика (знаки + и - указывают на различие в направле­нии намагниченности).

Ц. м. д. получают в тонких (1 — 100 мкм) плоскопараллельных пласти­нах (плёнках) монокрист. ферримагнетиков (ферриты-гранаты) или аморф­ных ферромагнетиков (сплавы d - и f-переходных элементов) с единств. осью лёгкого намагничивания, направ­ленной перпендикулярно поверхности пластины. Магн. поле, формирующее Ц. м. д. (поле подмагничивания), при­кладывается по оси лёгкого намагни­чивания. В отсутствии внеш. подмагничивающего поля доменная структура пластин имеет неупорядоченный лабиринтообразный вид (рис. 2, слева). При наложении подмагничивающего поля домены, не имеющие контакта с краями пластины, стягиваются и обра­зуют Ц. м. д. (рис. 2, справа).

Рис. 2. Слева — лабиринтная доменная ст­руктура магнитоодноосных пластин в отсут­ствии магн. поля, наблюдаемая под микро­скопом в поляризованном свете (размер до­менов ок. 10 мкм); справа — цилиндрич. магн. домены, образовавшиеся при помеще­нии пластины в подмагничивающее поле.

Вектор намагниченности Ц. м. д. ориенти­руется вдоль оси лёгкого намагничива­ния.

м. д. сущест­вуют в определённом интервале полей подмагничивания, к-рый составляет неск. % от величины намагничен­ности насыщения материала. Нижняя граница интервала устойчивости со­ответствует переходу Ц. м. д. в до­мены эллиптич. формы, верхняя — исчезновению (коллапсу) Ц. м. д. Устойчивое существование Ц. м. д. обусловлено равновесием трёх сил: силы взаимодействия намагниченности Ц. м. д. с полем подмагничивания;

силы, связанной с существованием у Ц. м. д. стенок (аналогична силе по­верхностного натяжения); наконец, силы взаимодействия магн. момента Ц. м. д. с размагничивающим полем остальной части магнетика. Первые две силы стремятся сжать Ц. м. д., а третья — растянуть. В момент форми­рования радиус Ц. м. д. имеет макс. величину; при дальнейшем увеличении подмагничивающего поля радиус Ц. м. д. уменьшается, а при нек-ром поле Нк сжимающие силы начинают превышать растягивающие и Ц. м. д. исчезают (коллапсируют) (рис. 3).

Рис. 3. Область устойчивого существования цилиндрич. магн. доменов. По оси ординат отложено отношение напряжённости поля подмагничивания к намагниченности насы­щения магнетика, по оси абсцисс — отноше­ние толщины пластины к её характеристич. длине.

Реальные размеры Ц. м. д. зависят, помимо поля подмагничивания, от физ. параметров материала и толщины плёнки. В центре интервала устойчи­вости диаметр Ц.. м. д. примерно равен толщине плёнки.

В однородном поле подмагничивания Ц. м. д. неподвижны, в неоднородном они перемещаются в область с мень­шей напряжённостью поля. Сущест­вует предельная скорость перемеще­ния Ц. м. д. (для разных в-в от 01.01.01 м/с). м. д. ограничивают процессы передачи энергии от движущихся Ц. м. д. крист. ре­шётке, спиновым волнам и т. п., а также взаимодействие Ц. м. д. с дефектами в кристаллах (с уменьше­нием числа дефектов скорость увеличи­вается). Ц. м. д. наблюдаются под микроскопом в поляризованном свете (используется Фарадея эффект).

Предложение о практич. использо­вании Ц. м. д. в вычислит. технике относится к 1967.

Так, тонкие эпитаксиальные плён­ки (см. Эпитаксия) сметанных редко­земельных ферритов-гранатов, обла­дающие необходимыми св-вами, стали применяться в запоминающих устрой­ствах цифровых вычислит. машин (для записи, хранения и считывания инфор­мации в двоичной системе счисления). Нули и единицы двоичного кода при этом изображаются соответственно присутствием и отсутствием Ц. м. д. в данном месте плёнки. Существуют магн. плёнки, в к-рых диаметр Ц. м. д.