Фонд оценочных средств по дисциплине Кристаллохимия для направления подготовки 04.03.01 Химия Профиль подготовки: Введение в коксохимию (стр. 2 )

100-балльная шкала (уровень освоения)	Показатели	Критерии
Отлично (повышенный уровень) 85-100	Полнота выполнения практического задания; Своевремен-ность выполнения задания; Последователь-ность и рациональность выполнения задания; Самостоятель-ность решения; и т. д.	выполнено 13-15 заданий предложенного теста, в заданиях дан полный, развернутый ответ на поставленный вопрос; возможно были допущены неточности в определении понятий, терминов и др.
Хорошо (базовый уровень) 70-84	выполнено 10-12 заданий предложенного теста, в заданиях дан неполный, ответ на поставленный вопрос; были допущены неточности в определении понятий, терминов и др..
Удовлетворительно (пороговый уровень) 50-69	выполнено 7-9 заданий предложенного теста, в заданиях дан неполный, ответ на поставленный вопрос; были допущены ошибки в определении понятий, терминов и др.
Неудовлетворительно (уровень не сформирован) 0-49	выполнено менее 7 заданий.

Оценивание ответа на коллоквиуме

Бинарная шкала(уровень освоения)	Показатели	Критерии
зачтено (базовый уровень)	Полнота изложения теоретического материала; Полнота и правильность решения практического задания; Правильность и/или аргументированность изложения (последовательность действий); Самостоятельность ответа; Культура речи; и т. д.	Студентом дан развернутый ответ на поставленный вопрос, где студент демонстрирует знания, приобретенные на лекционных и семинарских занятиях, а также полученные посредством изучения обязательных учебных материалов по курсу, дает аргументированные ответы, приводит примеры, в ответе присутствует свободное владение монологической речью, логичность и последовательность ответа. Возможны неточности в ответе.
Незачтено (уровень не сформирован)	Студентом дан ответ, который содержит ряд серьезных неточностей, обнаруживающий незнание процессов изучаемой предметной области, отличающийся неглубоким раскрытием темы, незнанием основных вопросов теории, несформированными навыками анализа явлений, процессов, неумением давать аргументированные ответы, слабым владением монологической речью, отсутствием логичности и последовательности. Выводы поверхностны. Решение практических заданий не выполнено. Т. е студент не способен ответить на вопросы даже при дополнительных наводящих вопросах преподавателя.

Оценивание ответа на экзамене

4-балльная шкала (уровень освоения)	Показатели	Критерии
Отлично (повышенный уровень)	Полнота изложения теоретического материала; Полнота и правильность решения практического задания; Правильность и/или аргументированность изложения (последовательность действий); Самостоятельность ответа; Культура речи; и т. д.	Студентом дан полный, в логической последовательности развернутый ответ на поставленный вопрос, где он продемонстрировал знания предмета в полном объеме учебной программы, достаточно глубоко осмысливает дисциплину, самостоятельно, и исчерпывающе отвечает на дополнительные вопросы, приводит собственные примеры по проблематике поставленного вопроса, решил предложенные практические задания без ошибок.
Хорошо (базовый уровень)	Студентом дан развернутый ответ на поставленный вопрос, где студент демонстрирует знания, приобретенные на лекционных и семинарских занятиях, а также полученные посредством изучения обязательных учебных материалов по курсу, дает аргументированные ответы, приводит примеры, в ответе присутствует свободное владение монологической речью, логичность и последовательность ответа. Однако допускается неточность в ответе. Решил предложенные практические задания с небольшими неточностями.
Удовлетворительно (пороговый уровень)	Студентом дан ответ, свидетельствующий в основном о знании процессов изучаемой дисциплины, отличающийся недостаточной глубиной и полнотой раскрытия темы, знанием основных вопросов теории, слабо сформированными навыками анализа явлений, процессов, недостаточным умением давать аргументированные ответы и приводить примеры, недостаточно свободным владением монологической речью, логичностью и последовательностью ответа. Допускается несколько ошибок в содержании ответа и решении практических заданий.
Неудовлетворительно (уровень не сформирован)	Студентом дан ответ, который содержит ряд серьезных неточностей, обнаруживающий незнание процессов изучаемой предметной области, отличающийся неглубоким раскрытием темы, незнанием основных вопросов теории, несформированными навыками анализа явлений, процессов, неумением давать аргументированные ответы, слабым владением монологической речью, отсутствием логичности и последовательности. Выводы поверхностны. Решение практических заданий не выполнено. Т. е студент не способен ответить на вопросы даже при дополнительных наводящих вопросах преподавателя.

Типовые контрольные задания или иные материалы, необходимые для оценки планируемых результатов обучения по дисциплине, характеризующих этапы формирования компетенций в процессе освоения образовательной программы

ПРАКТИЧЕСКИЕ ЗАДАНИЯ

Перечень заданий /вопросов

Тема1.Кристаллографические группы. Обозначения кристаллографических групп: Международная символика и символика Шенфлиса. Свойства инверсионных осей. Теоремы взаимодействия. Точечные группы симметрии. Изображение проекций. Симметрия молекул 1. Кристаллографические группы. Обозначения кристаллографических групп: Международная символика и символика Шенфлиса.  2. Свойства инверсионных осей. 3. Теоремы взаимодействия. 4. Точечные группы симметрии. Изображение проекций. Симметрия молекул. 5. Решение задач по теме Тема2.Симметрия кристаллов. Работа с деревянными моделями кристаллов низшей и средней категории. Работа с деревянными моделями кристаллов высшей категории 1. Симметрия кристаллов. 2. Работа с деревянными моделями кристаллов низшей и средней категории. 3. Работа с деревянными моделями кристаллов высшей категории 4. Решение задач по теме Тема3.Системы эквивалентных позиций. Изображение точек, определение кратности 1. Системы эквивалентных позиций. 2. Изображение точек, определение кратности позиций. 3. Решение задач по теме Тема4.Описание кристаллических структур простых веществ 1. Кристаллическая структура. Классификация кристаллических структур 2. Пространственная решетка 3. Решетки Браве 4. Сингония. 5. Плотные и плотнейшие упаковки в структурах 6. Решение задач по теме Тема 5.Описание кристаллических структур бинарных веществ 1. Кристаллическая структура. Классификация кристаллических структур 2. Пространственная решетка 3. Решетки Браве 4. Сингония. 5. Плотные и плотнейшие упаковки в структурах 6. Решение задач по теме Тема 6.Описание кристаллических структур тройных веществ 1. Кристаллическая структура. Классификация кристаллических структур 2. Пространственная решетка 3. Решетки Браве 4. Сингония. 5. Плотные и плотнейшие упаковки в структурах 6. Решение задач по теме Тема 7.Определение плотности кристаллов, определение параметров кристаллических решеток, определение химической формулы кристалла 1.Определение позиции точки. 2.Число формульных единиц. 3. Координационное число и способы его определения в структуре. 4.Координационный полиэдр и способы его определения в структуре. 5. Коэффициент заполнения пространства (плотность упаковки). Тема 8. Сдача коллоквиума Тема 9.Итоговое занятие

Индивидуальные задания

Перечень заданий /вопросов

Индивидуальное задание № 1 СИММЕТРИЯ МОЛЕКУЛ И КРИСТАЛЛОВ 1. Пользуясь теоремами взаимодействия, дорисуйте на проекциях элементы симметрии, наличие которых вытекает из присутствующих элементов симметрии. Запишите международные символы точечных групп, в каждом случае укажите категорию. 2. Перечертите в тетрадь графическую формулу плоской молекулы пероксида водорода. Изобразите непосредственно на молекуле имеющиеся элементы симметрии. Определите точечную группу и категорию молекулы. 3. Изобразите проекцию элементов симметрии, определите точечную группу и категорию иона . 4. Выведите точечную группу симметрии, включающей поворот вокруг оси второго порядка и отражение в перпендикулярной ей плоскости симметрии. Запишите ее символ, используя международную символику и символику Шенфлиса. 5. Укажите, какое минимальное число граней может содержаться в замкнутом многограннике, который имеет симметрию 4mm. 6. Для точечной группы 222 изобразите проекцию элементов симметрии, укажите категорию. Запишите символ Шенфлиса. Дайте к нему пояснения. 7. Для точечной группы Th изобразите проекцию элементов симметрии, укажите категорию. Запишите международный символ. 8. В гипотетической молекуле АХВУ атомы каждого сорта занимают только одну систему эквивалентных позиций. Каков формульный состав молекулы, если а) симметрия молекулы mm2, атомыА располагаются на плоскости mX, атомы В располагаются в общей позиции; б) симметрия молекулы 6/mmm, атомы А располагаются на оси 6, атомы В располагаются в общей позиции? Индивидуальное задание № 2 СИММЕТРИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУР 1. На проекции изображены элементы симметрии для пространственной группы Р 2/m: Перечертите проекцию в тетрадь. Определите категорию и сингонию, охарактеризуйте элементарную ячейку. Представьте себе, как проходят все элементы симметрии в ячейке. Нанесите на проекцию точки, представляющие собой общую систему эквивалентных позиций (СЭП), укажите кратность СЭП, запишите координаты точек. Сделайте то же самое для одной из частных позиций, а именно: точки располагаются па плоскости симметрии. 2. Кратчайшее межатомное расстояние в кристаллах одной из модификаций стронция (структурный тип б-Fe) равно 4,18 Е. Определите плотность кристаллов стронция. Определите параметры решетки одной из модификаций титана (структурный тип Mg). Для решения задачи воспользуйтесь таблицамикристаллохимических радиусов. В кристаллической структуре вещества состава АXВ2СУ атомыА и С совместно образуют плотнейшую шаровую упаковку, а атомы В занимают 1/8 октаэдрических пустот. В другой структуре вещества такого же состава совместную упаковку образуют атомыВ и С, а атомы А занимают Ѕ тетраэдрических пустот. Установите состав вещества, вычислив значения Xи У. Найдите коэффициент плотности упаковки для кристаллов LiI(a = 6,03 Е). 6. Какова структура шпинели MgAl2O4 по геометрическому признаку? Ответ обоснуйте. 7. Назовите КЧ и полиэдры кальция, титана и кислорода в структуре перовскита СаTiO3. 8. Каково число формульных единиц в структуре графита? 9. В кристаллической структуре, содержащей атомы элементыА и В, атом А располагается в начале координат. В кубической примитивной решетке атомВ имеет координаты (0 Ѕ Ѕ). Размножив атомы действием трансляции, изобразить проекцию ячейки. Параметры ячейки в пределах ограничений, налагаемых типом решетки, выбрать произвольно.

ТЕСТОВЫЕ ЗАДАНИЯ