Существуют несколько разновидностей технологического изготовления интегральных микросхем (ИМС) (стр. 7 )

Наименование параметра	значение	Единица измерения
hб –глубина залегания р-n перехода база-коллектор		см
hэ - глубина залегания эмиттерного р-n перехода	0.8	см
hк - толщина коллекторной области		см
- концентрация донорной примеси в эмиттерной области на поверхности
- концентрация донорной примеси в эмиттерной области у эмиттерного перехода
- поверхностная концентрация акцепторов в базе
- концентрация донорной примеси в коллекторе
- удельное объемное сопротивление коллекторной области
- удельное поверхностное сопротивление пассивной области базы
- удельное поверхностное сопротивление активной области базы
- диффузионная длина дырок в эмиттере		см
- коэффициент диффузии дырок в эмиттере
- диффузионная длина электронов в базе		см
- коэффициент диффузии электронов в базе
- диффузионная длина дырок в коллекторе		см
- коэффициент диффузии дырок в коллекторе
- концентрация носителей зарядов в собственном полупроводнике
- относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника		-

Расчет  параметров транзисторов структуры p-n-p практически аналогичен расчету транзисторов структуры n-p-n.

Ширина эмиттера Rэ=3Д, площадь эмиттера Sэ=300 мкм2

Длина эмиттера:

  ; 

мкм

Длина базы:

    (18)

Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам :

    (19)

Ом

         (20)

 

  Ом

где Кк = 0 для конструкции с одним базовым контактом; ,-удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/□; (100 – 300) Ом/□; (1 – 10) кОм/□; hк – толщина коллекторной области, см,(2 -10) мкм; hб – глубина залегания p-n – перехода база – коллектор, см, (1 - 3) мкм; ск – удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 – 1)

Ширина базы составляет :

    (21)

где =(0,5 – 2,5) мкм

мкм

Коэффициент переноса вычисляется по формуле:

   

где - диффузионная длина базы, =(2 – 50) мкм; - концентрация донорной примеси у эмиттерного перехода,

=(0,1–1) * 1018 см; - концентрация донорной примеси в коллекторе, см-3, =(0,05 – 1)*1017 ;

Коэффициенты ,  и высчитываются по формулам :

         (22)