Существуют несколько разновидностей технологического изготовления интегральных микросхем (ИМС) (стр. 9 )

Ом

         (4)

Ом

где Кк = 0 для конструкции с одним базовым контактом; ,-удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/□; (100 – 300) Ом/□; (1 – 10) кОм/□; hк – толщина коллекторной области, см,(2 -10) мкм; hб – глубина залегания p-n – перехода база – коллектор, см, (1 - 3) мкм; ск – удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 – 1)

Ширина базы составляет :

    (5)

где =(0,5 – 2,5) мкм

мкм

Коэффициент переноса вычисляется по формуле:

    (6)

где - диффузионная длина базы, =(2 – 50) мкм; - концентрация донорной примеси у эмиттерного перехода,

=(0,1–1) * 1018 см; - концентрация донорной примеси в коллекторе, см-3, =(0,05 – 1)*1017 ;

Коэффициенты ,  и высчитываются по формулам :

         (7)

    (8)

мкм; 

    (9)

Максимальные напряжения переходов (коллектор – база, эмиттер – база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:

               (10)

В

    (11)

В

    (12)

В

- концентрация носителей заряда в собственном  полупроводнике.

Инверсный коэффициент передачи транзистора (Bi) можно определить по следующей формуле:

(13)

  Емкость перехода коллектор-база  и эмиттер – база определим как:

  (14) 

Ф;
  (15) 

Ф;

Обратный ток эмиттера определяется по формуле: 

    (16)

  А;

  Обратный ток коллектора  определяется по формуле: 

  (17) 

А;

3.2.2 Расчет параметров диода Д303

Ширина эмиттера Rэ=3Д, площадь эмиттера Sэ=300 мкм2

Длина эмиттера:

  ;  (18)

 

    мкм

Длина базы:

    (19)

Значения омических сопротивлений областей транзистора можно оценить по формулам :

    (20)

Ом

         (21)

Ом

где Кк = 0 для конструкции с одним базовым контактом; ,-удельное поверхностное сопротивление пассивной и активной областей базы, Ом/□; (100 – 300) Ом/□; (1 – 10) кОм/□; hк – толщина коллекторной области, см,(2 -10) мкм; hб – глубина залегания p-n – перехода база – коллектор, см, (1 - 3) мкм; ск – удельное объемное сопротивление коллекторной области Ом*см; (0,1 – 1)

Ширина базы составляет :

    (22)

где =(0,5 – 2,5) мкм

Wb= 5E-7 мкм

Коэффициент переноса вычисляется по формуле:

    (23)

где - диффузионная длина базы, =(2 – 50) мкм; - концентрация донорной примеси у эмиттерного перехода,

=(0,1–1) * 1018 см; - концентрация донорной примеси в коллекторе, см-3, =(0,05 – 1)*1017 ;

Коэффициенты ,  и высчитываются по формулам :

         (24)

мкм;

    (25)

  мкм; 

    (26)

Максимальные напряжения переходов (коллектор – база, эмиттер – база, эмиттер - коллектор) рассчитываются по формулам:

               (27)

В

    (28)

В