§ 2. МОП-транзисторы с S4D –областями истока и стока.
На рис. 29 приведена геометрическая схема его структуры.
Рис. 29. Структура S4D-МОП-транзистора
В этом транзисторе горячие электроны отделены от затвора двумя диэлектриками — подзатворным SiO2 толщиной порядка 4 нм и спейсером Si3N4 толщиной порядка 20нм. В канале их, как правило, очень мало и они слабо инжектируют в подзатворный окисел, и потому почти не вызывают деградацию порогового напряжения. Подавляющее же их большинство (также как и в стандартной LATID–конструкции) образуется в подлегированной области. Но эта область расположена уже под спейсером толщиной 20 нм, а не под тонким окислом. В результате горячие электроны как бы изолируются, изымаясь из процессов, определяющих надежную работу МОП-транзистора. Во-первых, проникнуть через толстый спейсер и вызвать ток утечки затвора они практически не в состоянии. Во-вторых, их проникновение в этот спейсер и оседание в нем на ловушках фактически никак не влияет на пороговое напряжение, так как для последнего главное — чистота от горячих электронов подзатворного SiO2, а не спейсера Si3N4. И, в-третьих, создаваемые в LATID-области горячие электроны из-за близости пленки силицида титана, образующего сток, почти мгновенно уходят на нее, не производя лавинного умножения носителей заряда и не вызывая таким образом деградации тока стока. Ввиду того, что в этом токе заметно увеличивается доля горячих электронов, величина его в S4D-МОП-транзисторе должна быть заметно выше по сравнению с другими типами МОП-транзисторов и при этом ток стока должен быть более устойчивым к деградационным процессам, вызванным горячими электронами.
Таким образом, S4D-МОП-транзисторы могут рассматриваться сегодня как одни из самых перспективных МОП-конструкций для транзисторов с длиной канала порядка 0,1мкм.
§ 3. КНИ-МОП-транзисторы
Одной из перспективных конструкций МОП-транзисторов являются КНИ-МОП-транзисторы. На рис. 30 представлена наиболее интенсивно исследуемая теоретически и экспериментально структура с полностью обедненным проводящим слоем кремния, эпитаксиально выращенным на толстом слое оксида кремния. Наибольшее внимание сегодня имеют транзисторы со следующим конструктивно-технологическими параметрами:
Lch = 0,075÷0,15 мкм; NA = 1023 ÷5×1023 м–3; dox = 3÷8 нм; dj = 3÷10 нм; dch= =5÷10 нм; dbur= 10÷100нм; n+ =1025 м–3.
Рис. 30. Полностью обедненные КНИ-МОП-транзисторы
Преимущества КНИ-МОП-транзисторов связаны с двумя достоинствами. Первое — область обеднения заряда 
ограничена не размером 
, как в стандартном МОП-транзисторе, а только величиной dch, которая фактически сравнима с 
. В этой связи инверсный заряд легко контролируется 
, и короткоканальные эффекты практически не влияют на этот заряд, а следовательно и их действие незначительно. Точно также снижено и влияние вторичных дырок на увеличение тока стока в связи с уменьшением , однако до конца оно не убирается, так как вторичные дырки вынуждены удаляться из канала только через исток, где они модифицируют определенным образом высоту барьера исток-канал (наподобие эффекта DIBL).
Второе достоинство связано с защитным окислом (SiO2 buried). На его границе с каналом возникает напряженность поля, которую можно рассчитать согласно:
,
где 
и 
– напряженность поля на поверхности защитного окисла и падение напряжения в нем.
Эта напряженность поля вызывает такое распределение потенциала в канале КНИ-МОП-транзистора, что по сравнению со стандартным МОП-транзистором, во-первых, напряженность продольной составляющей поля в канале слегка уменьшается и изменяется вдоль канала более пологим образом, а во-вторых, напряженность поперечной составляющей вообще фактически равна 0. Очевидно, что благодаря этому и разогрев электронов в КНИ-МОП-транзисторах будет заметно меньше, нежели в стандартных МОП-транзисторах. Тем не менее, при очень малых длинах канала, инжекция горячих электронов в подзатворный окисел будет со временем приводит к деградации локального порогового напряжения, которая совершенно нежелательна при переключениях истока и стока.
§ 4. SiGe–МОП-транзисторы
На рис. 31 приведена конструктивная схема МОП-транзисторов на основе SixGe1–x гетероструктур. Перспективные конструкции данных транзисторов исследуются в следующих диапазонах: Lch = 0,08÷0,15 мкм; dox = 3÷8 нм; dch= 10÷20 нм; NA =1023 ÷5×1023 м–3; dj = 0,05÷0,2 мкм; n+=1025 м–3.
Рис. 31. МОП-транзисторы на основе SixGe1–x гетероструктур
Характер работы МОП-транзисторов на SixGe1–x гетероструктурах и проявления короткоканальных эффектов и эффектов горячих электронов в его канале однотипны КНИ-МОП-транзисторам. Различия наблюдаются только в физических свойствах проводящих каналов.
Проводящий канал транзистора сформирован в так называемом напряженном слое кремния. Фактически в этом транзисторе образуется сверхрешетка, у которой в слое кремния модифицируется некоторые физические константы под слой SixGe1–x, в частности, уменьшаются ширина запрещенной зоны и масса проводимости электронов. Это, во-первых, приводит к еще более лучшему управлению током с помощью затворного напряжения, а во-вторых, обеспечивает более высокую подвижность электронов в канале. Последнее в совокупности с малой длиной канала приводит к некоторому росту средней энергии электронов в канале, но при этом и к очень резкому спаду функции распределения по энергии. В результате количество горячих электронов (с энергиями 2 эВ и выше) в канале транзистора заметно уменьшается по сравнению со стандартными МОП-транзисторами и даже с КНИ-МОП-транзисторами. Очевидно ожидать вследствие этого дополнительного снижения влияния эффектов горячих электронов.
Контрольные вопросы
1. Что такое МОП-транзистор и его принципиальное отличие от биполярного транзистора?
2. Каковы основные функции МОП-транзисторов в современных микросхемах?
3. В чем заключается цифровая функция МОП-транзисторов?
4. p- или n-канальные МОП-транзисторы являются ключевым функциональным звеном логического элемента НЕ?
5. Что такое комплементарный МОП-транзистор?
6. Что такое защелкивание МОП-транзисторов?
7. Что такое приборы с зарядовой связью?
8. В каких устройствах и сегодня активно используются ПЗС-матрицы?
9. Как происходит запись информации на элементы флеш-памяти?
10. Какова причина образования инверсионного слоя в МОП-транзисторе?
11. Обедненный или обогащенный слой образуется в n-канальных МОП-транзисторах при нулевом напряжении на затворе?
12. Что такое напряжение плоских зон?
13. Что такое пороговое напряжение и может ли оно равняться нулю?
14. Какой закон определяет падение напряжения на границе раздела подзатворный окисел/подложка транзистора при ненулевом затворном напряжении?
15. В сторону подложки или затвора изогнутся зоны в окисле для n-канального МОП-транзистора при отрицательном напряжении на затворе?
16. Чему равна емкость подзатворного окисла?
17. Какие процессы определяют время переключения МОП-транзистора?
18. Равно ли время образования инверсионного слоя времени переключения МОП-транзистора?
19. Какое основное условие появления линейного участка ВАХ МОП-транзистора?
20. Какие процессы определяют нелинейность ВАХ МОП-транзистора?
21. Какие основные параметры характеризуют электронный перенос в МОП-транзисторе?
22. Какие факторы преимущественно определяют величины этих параметров?
23. Какие основные механизмы рассеяния прерывают свободный пробег электронов в канале МОП-транзисторов?
24. Что такое “горячий” электрон?
25. Что такое короткоканальные эффекты в МОП-транзисторах и почему их отличают от эффектов горячих электронов?
26. Что такое DIBL-эффект?
27. Для чего нужны нужны диэлектрики с высоким значением диэлектрической проницаемости?
28. В чем преимущества КНИ-МОП-транзисторов?
29. В чем преимущества SiGe-МОП-транзисторов?
30. Каковы основные тенденции миниатюризации кремниевых МОП-транзисторов?
ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ
Лабораторная работа 1.
Расчет влияния длины канала МОП-транзистора на величину напряженности поля вблизи стока
Цель работы: Научиться рассчитывать распределение потенциала в канале МОП-транзистора с помощью компьютерной программы ЖSiМОП_ТР.
Теоретическая часть:
Компьютерная программа ЖSiМОП_ТР моделирует перенос большого числа электронов в канале кремниевого МОП-транзистора методом Монте-Карло. Она позволяет с помощью данного численного моделирования рассчитать значения электрического потенциала в любой точке проводящего канала транзистора. При запуске программа запрашивает информацию о ряде конструктивно-технологических параметров моделируемого МОП-транзистора и величине приложенных к электродам напряжений. После счета (несколько часов) программа выдает большое количество данных о поведении моделируемого МОП-транзистора в исследуемых условиях.
Практическая часть:
1. В соответствии со своим вариантом выбрать данные транзистора для моделировния
Вариант 1
Вариант 2
Вариант 3
Вариант 4
Вариант 5
Вариант 6
Вариант 7
Вариант 8
, мкм
0.5
0.6
0.4
0.3
0.7
0.25
0.4
0.5
, нм
10
12
8
8
12
7
10
9
, нм
50
60
40
40
50
30
30
40
, В
2
3
2
1
4
2
3
3
, В
2
2
1
1
1
1
2
2
2. Запуская для моделирования в программе ЖSiМОП_ТР 1000 электронов снять значения электрического потенциала в 20 точках проводящего канала расположенных у стока на расстоянии 1/10 от . При этом смотреть точки как у поверхности раздела окисел–полупроводник, так и в глубине подложки.
3. Построить распределения электрического потенциала вблизи стока МОП-транзистора.
4. Рассчитать напряженность поля вблизи стока в разных сечениях в глубь подложки по формуле 
, где 
– изменение потенциала на расстоянии 1/10 от стока в данном сечении, а 
= 1/10 .
Лабораторная работа 2.
Измерение ВАХ МОП-транзистора и определение порогового напряжения
Цель работы: Получить ВАХ МОП-транзистора и научиться определять из них величину порогового напряжения.
Теоретическая часть:
Входная характеристика МОП-транзистора определяет зависимость тока стока от затворного напряжения при разных напряжениях на стоке или подложке. Данная характеристика при разных напряжениях на подложке имеет вид
С увеличением напряжения на подложке для того, чтобы получить одно и то же значение тока стока, нужно подавать более высокое значение напряжения на затворе. Это связано с тем, что напряжение на подложке увеличивает пороговое напряжение. Как известно, величина инверсного заряда определяется согласно
.
Очевидно, что с ростом напряжения на подложке 
, величина инверсного заряда 
, а соответственно и тока стока 
, будет уменьшаться. Чтобы поддерживать величину тока на одном уровне, надо увеличивать напряжение на затворе . Построенная зависимость от при конкретном имеет два участка — пологий нелинейный и крутой линейный. Если продлить линейный участок до пересечения с осью , в точке пересечения его с этой осью получим величину , соответствующую пороговому напряжению 
.
Практическая часть:
1. Для работы использовать лабораторный стенд с тестовыми МОП-транзисторами.
2. В соответствии со своим вариантом выбрать значение напряжения на стоке
Вариант 1
Вариант 2
Вариант 3
Вариант 4
Вариант 5
Вариант 6
Вариант 7
Вариант 8
, В
0,5
1
0,75
0,3
0,8
1,2
0,6
0,4
3. Снять ВАХ тестового МОП-транзистора, заполнив следующую таблицу.
4. Построить данные ВАХ.
5. Определить на ВАХ значения порогового напряжения для разных значений , заполнив таблицу
= 1 В
= 2 В
= 4 В
= 7 В
= 10 В
, В
6. Построить график зависимости () для тестового МОП-транзистора.
Лабораторная работа 3.
Определение концентрации примеси в подложке МОП-транзистора
при измерении ВАХ транзистора
Цель работы: Рассчитать с помощью входных ВАХ тестового МОП-транзистора концентрацию акцепторной примеси в подложке.
Теоретическая часть:
Входные ВАХ МОП-транзистора имеют вид
При разных напряжениях на подложке , между кривыми тока, полученными для двух любых 
и 
практически сразу устанавливается постоянное значение сдвига DVG. Величина этого сдвига, если = 0, может быть рассчитана согласно формуле
,
где 
, 
.
При увеличении напряжения чтобы поддерживать постоянным ток , нужно увеличивать величину . Очевидно, что можно получить зависимость от при условии постоянства . Она имеет вид
Угол a наклона касательной к данной зависимости в точке с очень малым значением (т. е. вблизи оси ) также может быть рассчитан аналитически с помощью следующей формулы
,
где 
, здесь = 0, 
, 
обеспечивает ту же величину при , что и 
при = 0.
Практическая часть:
1. Для работы использовать лабораторный стенд с тестовыми МОП-транзисторами.
2. В соответствии со своим вариантом выбрать значение напряжения на стоке
Вариант 1
Вариант 2
Вариант 3
Вариант 4
Вариант 5
Вариант 6
Вариант 7
Вариант 8
, В
0.5
1
0.75
0.3
0.8
1.2
0.6
0.4
3. Снять входные ВАХ тестового МОП-транзистора для двух значений . При этом = 0, а взять в соответствии со своим вариантом
Вариант 1
Вариант 2
Вариант 3
Вариант 4
Вариант 5
Вариант 6
Вариант 7
Вариант 8
, В
2
4
3
1
5
6
4
2
4. Построить ВАХ и найти из них величину DVG.
5. Рассчитать по формуле, зная DVG, величину 
. Толщина окисла равна 
=0.4 мкм.
6. Выберите значение тока стока, соответствующее = 0 и = 1.1 . Поддерживая это значение постоянным, построить зависимость от при условии постоянства . Заполните следующую таблицу
= 1 В
= 2 В
= 4 В
= 7 В
= 10 В
, В
7. Рассчитайте величину .
8. Подставьте данную величину в формулу расчета и рассчитайте .
9. Сравните два значения , рассчитанные с помощью двух приемов.
Лабораторная работа 4.
Расчет влияния уменьшения длины канала МОП-транзистора
на величину тока стока
Цель работы: Научиться рассчитывать величину тока стока в МОП-транзисторе с помощью компьютерной программы ЖSiМОП_ТР.
Теоретическая часть:
Компьютерная программа ЖSiМОП_ТР моделирует перенос большого числа электронов в канале кремниевого МОП-транзистора методом Монте-Карло. Она позволяет с помощью данного численного моделирования рассчитать значения тока стока прибора.
Практическая часть:
1. В соответствии со своим вариантом выбрать данные транзистора для моделировния
Вариант 1
Вариант 2
Вариант 3
Вариант 4
Вариант 5
Вариант 6
Вариант 7
Вариант 8
, мкм
0.5
0.6
0.4
0.3
0.7
0.25
0.4
0.5
, нм
10
12
8
8
12
7
10
9
, нм
50
60
40
40
50
30
30
40
, В
2
2
1
1
1
1
2
2
2. Запуская для моделирования в программе ЖSiМОП_ТР 1000 электронов получить значения тока стока для следующих значений напряжения на стоке
=0.5 В
=1 В
=1.5 В
=2 В
=2.5 В
=3 В
, А
3. Построить зависимость ().
ТЕСТЫ ПО ВСЕМУ КУРСУ
Вопрос 1.
Входные ВАХ МОП-транзистора, изображенные на рисунках, соответствуют условиям
Варианты ответа
1. 
, 
.
2. 
, .
3. , 
.
4. , .
Правильно 3).
Вопрос 2.
Когда МОП-транзистор переключен в состояние “0”, как соотносятся его сопротивления
Варианты ответа
1. 
.
2. 
.
3. 
.
4. .
Правильно 3).
Вопрос 3.
Рисунок ниже отражает процессы
Варианты ответа
1. Переключения из “0” в “1”.
2. Переключения из “1” в “0”.
3. Образования инверсионного слоя.
4. Пробоя транзистора.
Правильно 2).
Вопрос 4.
Диаграмма ниже соответствует
Варианты ответа
1. Подачи положительного VG на затвор p-канального МОП-транзистора.
2. Подачи положительного VG на затвор n-канального МОП-транзистора.
3. Подачи отрицательного VG на затвор p-канального МОП-транзистора.
4. Подачи отрицательного VG на затвор n-канального МОП-транзистора.
Правильно 1).
Вопрос 5.
Размеры области обеднения в МОП-транзисторе рассчитываются согласно
Варианты ответа
1. 
.
2. 
.
3. 
.
4. 
.
Правильно 1).
Вопрос 6.
Защелкивание комплементарных МОП-транзисторов проявляется в следующем
Варианты ответа
1. Прибор не может переключиться из “1” в “0”.
2. Прибор не может переключиться из “0” в “1”.
3. Пробой транзистора.
Правильно 2).
Вопрос 7.
В флеш-памяти наличие заряда на плавающем электроде означает
Варианты ответа
1. Записана логическая “1”.
2. Записан логический “0”.
3. Транзистор готов к записи “0” или “1”.
Правильно 1).
Вопрос 8.
В флеш-памяти на n-канальных МОП-транзисторах стирание информации осуществляется подачей
Варианты ответа
1. Маленького положительного VG и высокого положительного VD.
2. Маленького положительного VG и маленького отрицательного VD.
3. Высокого положительного VG и высокого отрицательного VD.
4. Высокого отрицательного VG и высокого положительного VD.
Правильно 4).
Вопрос 9.
Закон Гаусса устанавливает
Варианты ответа
1. Связь между затворным напряжением и концентрацией инверсных электронов.
2. Связь между толщиной подзатворного окисла и зарядом в нем.
3. Связь между затворным напряжением и потенциалом объема в подложке МОП-транзистора.
4. Связь между стоковым напряжением и концентрацией инверсных электронов.
Правильно 1).
Вопрос 10.
Величина потенциального барьера между истоком и инверсным каналом в n-канальном МОП-транзисторе равна
Варианты ответа
1. 
.
2. 
.
3. 
.
4. 
.
Правильно 4).
Вопрос 11.
Соотношение 
определяет
Варианты ответа
1. Падение напряжения на подложке.
2. Величину потенциального барьера между истоком и подложкой.
3. Падение напряжения в канале при малых VD.
4. Ничего не определяет.
Правильно 2).
Вопрос 12.
Рисунок ниже соответствует какому участку на выходной ВАХ МОП-транзистора
Варианты ответа
1. Отсутствию тока в МОП-транзисторе.
2. Линейному участку ВАХ.
3. Участку перехода к насыщению.
4. Участку с насыщенным током.
Правильно 3).
Вопрос 13.
Насыщение тока стока обусловлено преимущественно каким процессом
Варианты ответа
1. Дрейфовая скорость электронов в канале МОП-транзистора насыщается.
2. Концентрация электронов в канале МОП-транзистора уменьшается.
3. Концентрация электронов у стока значительно уменьшается по сравнению с областью канала у истока.
4. Причины неизвестны.
Правильно 3).
Вопрос 14.
Основным механизмом рассеяния электронов в канале МОП-транзистора, уменьшающим его подвижность, является
Варианты ответа
1. Ударная ионизация.
2. Рассеяние на ионах примеси.
3. Рассеяние на фононах.
4. Рассеяние на электронах и дырках.
Правильно 3).
Вопрос 15.
Подвижность электронов в канале МОП-транзистора максимальна
Варианты ответа
1. У истока.
2. В первой половине канала.
3. В середине канала.
4. У стока.
Правильно 2).
Вопрос 16.
Может ли электрон в канале МОП-транзистора разогреться до энергии, больше чем напряжение на стоке
Варианты ответа
1. Нет.
2. Да, часто.
3. Да, редко.
4. Да, но в единичных случаях.
Правильно 3).
Вопрос 17.
В какой области канала наблюдается максимальная напряженность тянущего электрического поля
Варианты ответа
1. У истока.
2. В середине канала.
3. У стока вблизи поверхности раздела Si/SiO2.
4. У границы стока, находящейся в подложке.
Правильно 4).
Вопрос 18.
К короткоканальным эффектам не относится следующий эффект
Варианты ответа
1. Уменьшение высоты барьера на границе с истоком.
2. Увеличение концентрации инверсных электронов с уменьшением длины канала.
3. Инжекция горячих электронов в тонкий подзатворный окисел.
4. Смыкание обедненных областей истока и стока.
Правильно 3).
Вопрос 19.
При использовании k-диэлектриков в качестве подзатворных их толщина эквивалентна следующей толщине оксида кремния
Варианты ответа
1. 
. 2. 
.
3. 
. 4. .
Правильно 3).
Вопрос 20.
Максимальная напряженность поперчного поля в КНИ-МОП-транзисторе на границе со скрытым окислом равна
Варианты ответа
1. . 2. 
.
3. 
. 4. 
.
Правильно 1).
Вопрос 21.
В КНИ-МОП-транзисторах по сравнению со стандартными МОП-транзисторами лучше подавляются
Варианты ответа
1. Короткоканальные эффекты.
2. Эффекты горячих электронов.
3. И короткоканальные эффекты и эффекты горячих электронов.
4. Ничего лучше не подавляется.
Правильно 1).
Вопрос 22.
В SiGe-МОП-транзисторах по сравнению со стандартными МОП-транзисторами что лучше
Варианты ответа
1. Выше подвижность электронов.
2. Снижено влияние эффектов горячих электронов.
3. Подавляются короткоканальные эффекты.
4. Ничего не лучше.
Правильно 1).
ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЕ БИЛЕТЫ
Б е л г о с у н и в е р с и т е т
Э к з а м е н а ц ы й н ы б i л е т № 1
Дысцыплiна Электронные процессы в приборных структурах МОП
Зiмовая экзаменацыйная сесiя 2010/2011 навучальнага года
1. Расчет удельного заряда акцепторов при сильной инверсии
2. Эффективный заряд МОП-структуры и его формирование
Загадчык кафедры ________________ Выкладчык ____________________
Дата зацвярджэння _________________________________________________
Б е л г о с у н и в е р с и т е т
Э к з а м е н а ц ы й н ы б i л е т № 2
Дысцыплiна Электронные процессы в приборных структурах МОП
Зiмовая экзаменацыйная сесiя 2010/2011 навучальнага года
1. Энергетическая диаграмма МОП-структуры в режимах обогащения, плоских зон, обеднения
2. Пороговое напряжение МОП-структуры. Образование инверсионного слоя
Загадчык кафедры ________________ Выкладчык ____________________
Дата зацвярджэння _________________________________________________
Б е л г о с у н и в е р с и т е т
Э к з а м е н а ц ы й н ы б i л е т № 3
Дысцыплiна Электронные процессы в приборных структурах МОП
Зiмовая экзаменацыйная сесiя 2010/2011 навучальнага года
1. Трехфазный сдвиговый регистр. Формирование управляющих напряжений
2. Выходные вольтамперные характеристики МОП-транзистора
Загадчык кафедры ________________ Выкладчык ____________________
Дата зацвярджэння _________________________________________________
Б е л г о с у н и в е р с и т е т
Э к з а м е н а ц ы й н ы б i л е т № 4
Дысцыплiна Электронные процессы в приборных структурах МОП
Зiмовая экзаменацыйная сесiя 2010/2011 навучальнага года
1. Методы измерения подвижности электронов в канале МОП-ПТ
2. Вывод условия сильной инверсии в МОП-полевом транзисторе
Загадчык кафедры ________________ Выкладчык ____________________
Дата зацвярджэння _________________________________________________
Б е л г о с у н и в е р с и т е т
Э к з а м е н а ц ы й н ы б i л е т № 5
Дысцыплiна Электронные процессы в приборных структурах МОП
Зiмовая экзаменацыйная сесiя 2010/2011 навучальнага года
1. Определение уровня легирования полупроводника из вольт-фарадной характеристики МОП-конденсатора
2. Влияние контактной разности потенциалов и эффективного заряда на пороговое напряжение МОП-структуры
Загадчык кафедры ________________ Выкладчык ____________________
Дата зацвярджэння _________________________________________________
Б е л г о с у н и в е р с и т е т
Э к з а м е н а ц ы й н ы б i л е т № 6
Дысцыплiна Электронные процессы в приборных структурах МОП
Зiмовая экзаменацыйная сесiя 2010/2011 навучальнага года
1. Расчет заряда МОП-структуры методом решения уравнения Пуассона в одномерном случае
2. Потенциальная диаграмма идеального Si/SiО2 гетероперехода. Метод ее построения
Загадчык кафедры ________________ Выкладчык ____________________
Дата зацвярджэння _________________________________________________
Б е л г о с у н и в е р с и т е т
Э к з а м е н а ц ы й н ы б i л е т № 7
Дысцыплiна Электронные процессы в приборных структурах МОП
Зiмовая экзаменацыйная сесiя 2010/2011 навучальнага года
1. Определение уровня легирования подложки МОП-ПТ по изменению выходной характеристики
2. Перекрытие канала МОП-транзистора. Эффект укорочения канала.
Загадчык кафедры ________________ Выкладчык ____________________
Дата зацвярджэння _________________________________________________
Б е л г о с у н и в е р с и т е т
Э к з а м е н а ц ы й н ы б i л е т № 8
Дысцыплiна Электронные процессы в приборных структурах МОП
Зiмовая экзаменацыйная сесiя 2010/2011 навучальнага года
1. Эффекты горячих электронов в МОП-транзисторах
2. Основные механизмы рассеяния электронов в канале МОП-транзистора
Загадчык кафедры ________________ Выкладчык ____________________
Дата зацвярджэння _________________________________________________
Б е л г о с у н и в е р с и т е т
Э к з а м е н а ц ы й н ы б i л е т № 9
Дысцыплiна Электронные процессы в приборных структурах МОП
Зiмовая экзаменацыйная сесiя 2010/2011 навучальнага года
1. Вывод уравнения для расчета тока в МОП-ПТ по методу управления зарядом
2. Принцип действия прибора с зарядовой связью
Загадчык кафедры ________________ Выкладчык ____________________
Дата зацвярджэння _________________________________________________
Б е л г о с у н и в е р с и т е т
Э к з а м е н а ц ы й н ы б i л е т № 10
Дысцыплiна Электронные процессы в приборных структурах МОП
Зiмовая экзаменацыйная сесiя 2010/2011 навучальнага года
1. Максимальный потенциал поверхности Si/SiО2 при инверсии
2. Расчетная формула для потенциала в нейтральном объеме полупроводника
Загадчык кафедры ________________ Выкладчык ____________________
Дата зацвярджэння _________________________________________________
Б е л г о с у н и в е р с и т е т
Э к з а м е н а ц ы й н ы б i л е т № 11
Дысцыплiна Электронные процессы в приборных структурах МОП
Зiмовая экзаменацыйная сесiя 2010/2011 навучальнага года
1. Эффект перекрытия обедненных областей истока и стока. Минимальная длина канала
2. Входные и выходные характеристики МОП-транзистора
Загадчык кафедры ________________ Выкладчык ____________________
Дата зацвярджэння _________________________________________________
Б е л г о с у н и в е р с и т е т
Э к з а м е н а ц ы й н ы б i л е т № 12
Дысцыплiна Электронные процессы в приборных структурах МОП
Зiмовая экзаменацыйная сесiя 2010/2011 навучальнага года
1. МОП-транзисторы на основе структуры кремний-на-изоляторе
2. Определение уровня легирования подложки МОП-ПТ по изменению выходной характеристики
Загадчык кафедры ________________ Выкладчык ____________________
Дата зацвярджэння _________________________________________________
Б е л г о с у н и в е р с и т е т
Э к з а м е н а ц ы й н ы б i л е т № 13
Дысцыплiна Электронные процессы в приборных структурах МОП
Зiмовая экзаменацыйная сесiя 2010/2011 навучальнага года
1. МОП-транзисторы с LDD - и DDD-структурами
2. Влияние толщины подзатворного окисла на ВАХ МОП-ПТ
Загадчык кафедры ________________ Выкладчык ____________________
Дата зацвярджэння _________________________________________________
Б е л г о с у н и в е р с и т е т
Э к з а м е н а ц ы й н ы б i л е т № 14
Дысцыплiна Электронные процессы в приборных структурах МОП
Зiмовая экзаменацыйная сесiя 2010/2011 навучальнага года
1. Энергетическая диаграмма МОП-ПТ в неравновесном режиме
2. Формирование обедненной области под действием напряжений на затворе, подложке и стоке
Загадчык кафедры ________________ Выкладчык ____________________
Дата зацвярджэння _________________________________________________
Б е л г о с у н и в е р с и т е т
Э к з а м е н а ц ы й н ы б i л е т № 15
Дысцыплiна Электронные процессы в приборных структурах МОП
Зiмовая экзаменацыйная сесiя 2010/2011 навучальнага года
1. Флеш-память на основе МОП-транзистора
2. Короткоканальные эффекты в МОП-транзисторе
Загадчык кафедры ________________ Выкладчык ____________________
Дата зацвярджэння _________________________________________________
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 |
