![]()
Uвх=En перпендикулярно рМОП – закр.

![]()
Uвых nМОП – откр. Uвых =0

![]()

![]()
![]()
![]()
Uвх nМОП Эл. КМОП имеют более высокое быстродействие: t10 = t01 à 0
![]()
Преимущества: более высокая стоимость Скмоп =9Сnмоп
ТТЛ – транзисторно – транзисторная логика.
Основой любой системы является базовый элемент. Базовый элемент выполняет математическую функцию относящаяся к категории логических полюсных базисов. Базовым элементом в технологии ТТЛ является вентиль И – НЕ.
Получаются так же и другие элементы из базисных с помощью вариации и усложнений.
И – ИЛИ – НЕ
ИЛИ
И
+En (5B)
![]()
![]()
ТТЛ – 1
R1 R2
![]()
![]()
![]()
Uвых
![]()
![]()
![]()
![]()

![]()
VT1 VT2 Cн
![]()
![]()
![]()
VD1
VD2
![]()
И НЕ
![]()

Uотс = 0,6В
U'min =2,4B

Uвх2 = 1
![]() |
t10
t01
t10 ~ CнRVT2откр
t01 >> t10 (при переключении логического элемента из “0” в “1” будет происходить заряд Cн, причем емкость будет заряжаться через R2.
t01~ CнRVT2 R2 >> RVT2откр уменьшение сопротивления R2 имеет предел и ограничен мощностью потребляемой логическим элементом.
Недостатки:
ТТЛ-1 в отдельном виде не выпускается, однако часто используется в составе сложных цифровых схем.
ТТЛ-1 называется схемой с простым инвертором.
|
|
|
|
|
|


|
|
|
|

Uвх1VUвх2 = 0
I0вх = En – UgoVT1 – U0 =1,6 mA
R1
VT2 – закрыт
I'вых = En – Uкэн - Ugo
R4 + Rн
U'вых < En
U'вых =En - R4Iн = ,5В
Uвх1 = Uвх2 = “1”
I1вх = βJ · En – 2Ugo – UgoVT1 βJ = 0,0,025
R1
Диод VD необходим для того чтобы не открывать VT3
Ugo = 0,7B; Uкэнac = 0,2B; U12 - ?
U12 = U1 + U2
U2 = Uкэн = 0,2B;
U1 = UкэнacVT2 + Ugo = 0,2 + 0,7 = 0,9B
|




IKTTЗ


![]()

![]()
Iскв < En / R4

![]()
14
|
![]() | |

![]()
![]()
![]()
IKVT4 7
Сопротивление R4
![]()
![]()
![]()
Iскв увеличивает время
фронта t01.
Схема ТТЛ – 3 может быть усовершенствована.
![]() | |
![]()
![]()
VD
![]() |
![]()
R'3
![]()
R3
![]()
![]()
![]()
![]()
VT4
+En
![]()
![]()
![]()
![]()

![]()
R3
R1 R2
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()

![]()
![]()
![]()
VT4
![]()

![]()

VT1 VT2
![]() | |
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
VD1 R4 R5
![]()
VD2
![]()
![]()
![]()
![]()
VT5
![]()
![]()
VT3
+En
![]()
![]()
![]()
![]()

![]()
![]()
![]()
![]()
a
![]()

![]()
Uвх2 VT1 VT2

![]()
![]()
![]()
Uвх1 b
![]()
![]()
VD1
VD2
![]()
![]()
+En
![]()
![]()
![]()
![]()

![]()
R3
R1 R2
![]()
![]()
![]()

![]()
a
![]()
![]()
![]()

![]()
![]()
![]()
VT4
![]()
![]()


![]()
Uвх2 VT1 VT2 b
![]()

![]()
![]()
![]()
![]()
Uвх1
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
VD1 Uвых
![]()
VD2
![]()
![]()
![]()
VT5
![]()
![]()
X1 X2 – VT2 открыт.
И – ИЛИ – НЕ
![]() |
ЛР
К 555 ЛР1 – используется редко.

|
ЛАЗ tзср = 15 НС
ЛР tзср = 18 НС
При увеличении секций U(&) будет возрастать емкость между коллектором и эмиттером транзисторов VT2, VT2', VT2".
![]() |
Элементы – расширители по ИЛИ (ЛД)
Элементы типа Т²ТЛ – транзис. транзис. транзис. логика.
y1
y2 Z Транзистор VT1 открыт, когда Х1=1, Х2=0.
В других случаях транзистор будет закрыт.
VT1 VT2
![]()
![]()
Y1=x1*x2
![]()
Y2=x3*x4
![]()
![]()
![]()
![]()
X1 X2 X3 X4 Z=y1*y2 , т. е. Z=x1*x2*x3*x4=x1*x2Vx3*x4.
»
Элементы типа ТТЛШ (Шотки)

VD Диод Шотки VD имеет низкое значение Uдо=0.15…0.25 В и низкое
значение барьерных и диффузионных емкостей Сб»0, Cд»0, поэтому
ключи имеют большее быстродействие.

![]()
t з. ср »10 нс и характеризуется тем, что время распространения задержки
t01»t10, ненасыщенный ключ не входит в режим насыщения и t рассеивания
отсутствует.
Имеется недостаток: повышенный уровень нуля.
U° вых » Uдоsi – Uдош » 0.4 В.
Этот недостаток компенсируется схемой, где

Элемент типа ЛА3 (реализует функцию ‘ И ’ )
14



DL1
1
3
2
И-НЕ DL2
4 6
5
НЕ
Элементы типа ТТЛ-2
Если в схеме стандартного логического элемента ТТЛ-1 отсутствует верхний нагрузочный транзистор, то такая схема называется схемой типа открытый коллектор (ОК) и помечается значком
![]()
+5 B

![]()
R1 VT1 R2
![]()
![]()
![]()
&
![]()
VT2 y
VT3
R3
Подключение к нестандартной нагрузке
![]() |
Вся ТТЛ питается от 5 В, иногда требуется питание 12 В.
I° вых £ [ I° вых max] - основной критерий работы
I° вых max ограничен нагрузочной способностью VT3.
Справочный параметр для 155 серии - 16 mA.
Для повышения нагрузочной способности элементов типа ОК допускается параллельное соединение элементов, находящимся на одном кристалле.

I° вых £ 2*[ I° вых max]
Если нагрузка очень мощная, для согласования цифровой части может быть использована
следующая схема:
следующая схема:
Если на вход подаем 1, то на выходе будет 0, транзистор закрыт,
лампочка не горит. Если 0 – лампочка горит.
Примеры серий ТТЛ
SN74 K156 KMнс
SN54 Kнс
SN54L Kнс
SN54P Kнс
SN74S Kнс
SN54S Kнс
SN74LS K1531 4 нс
SN57LS K1533 4 нс-наиб. популярная серия.
Система элементов ЭСЛ.
Обладает исключительно высоким быстродействием за счет того, что транзисторы не входят в режим насыщения. Логические элементы строятся на основе ключей с эммитерной связью, при этом данная схема ключа дополняется эммитерными повторителями, согласующими логические элементы по выходным уровням и Iн.
Схема логического элемента:
X1 X2 Xn
….. R1 R2
VT3
VT4
VT2 y2
VT1 VT1 VT1 y1
![]()
…… E0n
Rб1 Rб2 Rбm IЭ Рис.1
-E
Uвх > E0n
Iэ = const.
a*I k1 + a*I k2 = const.
Схема работает аналогично простому ключу с ЭС : при подаче хотя бы одной единицы, ток начнёт протекать через R1. На выходном эммитерном повторителе VT3 сформируется высокий логический уровень, а на выходе у2 – низкий. При подаче на любые входы низкого уровня откроется транзистор VT2 и весь ток потечёт через R2 . т. е. Iэ = I2 : на ввыходе у1 – низкий уровень, на у2 – высокий. Данная схема выполняет функцию ИЛИ / ИЛИ-НЕ.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 |










