Память с электрическим стиранием — Еерrом и флэш-память (стр. 1 )

5.5.2. Память с электрическим стиранием — ЕЕРRОМ и флэш-память

Стирание микросхем постоянной памяти возможно и электрическим способом. Однако этот процесс требует значительного расхода энергии, который выражается в необходимости приложения относительно высокого напряжения стирания (10-30 В) и длительности импульса стирания более десятка микросекунд. Интерфейс традиционных микросхем ЕЕРRОМ имел временную диаграмму режима записи с большой длительностью импульса, что не позволяло непосредственно использовать сигнал записи системной шины. Кроме того, перед записью информации в ячейку обычно требовалось предварительное стирание, тоже достаточно длительное. Микросхемы ЕЕРRОМ относительно небольшого объема широко применяются в качестве энергонезависимой памяти конфигурирования различных адаптеров. Современные микросхемы ЕЕРRОМ имеют более сложную внутреннюю структуру, в которую входит управляющий автомат. Это позволяет упростить внешний интерфейс, делая возможным непосредственное подключение к микропроцессорной шине, и скрыть специфические (и ненужные пользователю) вспомогательные операции типа стирания и верификации.

Флэш-память по определению относится к классу ЕЕРRОМ, но используй особую технологию построения запоминающих ячеек. Стирание во флэш-памяти производится сразу для целой области ячеек (блоками или полностью всей микросхемы). Это позволило существенно повысить производительность в ре-1^1016 записи (программирования). Флэш-память обладает сочетанием высокой плотности упаковки (ее ячейки на 30% меньше ячеек ОRАМ), энергонезависимого хранения, электрического стирания и записи, низкого потребления, высокой надежности и невысокой стоимости (рис. 5.30). Современная флэш-память имеет время доступа при чтении 35-200 нс, существуют версии с интерфейсом динамической памяти и синхронным интерфейсом, напоминающим интерфейс синхронной статической памяти. Стирание информации (поблочное или во всей микросхеме) занимает 1-2 секунды. Программирование (запись) байта занимает время порядка 10 мкс, причем шинные циклы обращения к микросхеме при записи — нормальные для процессора (не растянутые, как для ЕРRОМ и ЕЕРRОМ).

Сведения о распространенных микросхемах флэш-памяти приведены в табл. 5.31.

Таблица 5.31. Популярные микросхемы флэш-памяти

Микросхема	Организация*	Корпус	Рис.	Примечание
28F256	32Кх8 ВЕ	DIР-32	5.31, а	2, 3, 30=NC
28F256	32Кх8 ВЕ	РLСС-32	5.31, б	2, 3, 30=NC
28F512	64Кх8 ВЕ	DIР-32	5.31, а	2, 30=NC
28F512	64Кх8 ВЕ	РLСС-32	5.31, б	2, 30=NC
28F010	128Кх8 ВЕ	DIP-32	5.31, а	30=NC
28F010	128Кх8 ВЕ	РLСС-32	5.31,6	30=NC
28F010	128Кх8 ВЕ	ТSOР-32	5.32, а	6=NC
28F001	128Кх8 ВВ	DIР-32	5.31, а	-
28F001	128Кх8 ВВ	РLСС-32	5.31,6	-
28F001	128Кх8 ВВ	ТSOР-32	5.32, а	-
29EE010 29F010	128x8 SA	DIP-32	5.31, а	1, 30=NC
29EE010 29F010	128x8 SA	PLSS-32	5.31, б	1, 30=NC
29EE010 29F010	128x8 SA	TSOP-32	5.32, а	6, 9=NC
28F020	256Kx8 BE	DIP-32	5.31, а	30=A17
28F020	256Kx8 BE	РLСС-32	5.31,6	30=A17
28F020	256Kx8 BE	ТSOР-32	5.32, а	6=A17
28F002BX/BN/BL	256x8 BB	TSOP-40	5.31,6	12,13,45=NC
28F002BE/BV	256x8 BB	TSOP-40	5.31,6	13,45=NC
28F002BX/BN/BL	512x8 BB	TSOP-40	5.31,6	12,45=NC:
28F002BE/BV	512x8 BB	TSOP-40	5.32,6	45=NC
28F002BE/BV	1024x8 BB	TSOP-40	5.32,6	-
	28F200	256Кх8 128Кх16 ВВ	ТSOР-44	5.33, а	2=WP#; 3=NC
	28F200	256Кх8 128Кх16 ВВ	ТSOР-48	5.33, б	16,17=NC
	28F200	256Кх8 128Кх16 ВВ	ТSOР-56	5.33, б	19,20=NC
	28F400	512Кх8 256Кх16 ВВ	ТSOР-44	5.33, а	2=WP#
	28F400	512Кх8 256Кх16 ВВ	ТSOР-48	5.33, б	16=NC
	28F400	512Кх8 256Кх16 ВВ	ТSOР-56	5.33, в	19=NC
	28F800	1024Кх8 512Кх16 ВВ	ТSOР-44	5.33, а	2=А18
	28Р800	1024Кх8 512Кх16 ВB	ТSOР-48	5.33. б	-
	28Р800	1024Кх8 512Кх16 ВВ	ТSOР-56	5.33. в	-
	29F200, 29LV200	256Кх8 128Кх16 ВВ	ТSOР-44	5.33, а	1, З=NC; 2=RY/BY#
	29F200, 29LV200	256Кх8 128Кх16 ВВ	ТSOР-48	5.33, б	13, 14, 16, 17=NC, 15=RY/BY#
	29F400, 29LV400	512Кх8 256Кх16 ВВ	ТSOР-44	5.33, а	1=NC, 2=RY/BY#
	29F400, 29LV400	512Кх8 256Кх16 ВВ	TSOP-48	5.33, б	13, 14, 16=NС, 15=RY/BY#
	29F800, 29LV800	1024Кх8 512Кх16 ВВ	ТSOР-44	5.33, а	1=RY/BY#; 2=A18
	29F800, 29LV800	1024Кх8 512Кх16 ВВ	ТSOР-48	5.33, б	13, 14=NC; 15=RY/BY#

* ВЕ — Bulk Erase (стираемые целиком), ВВ — Boot Block (несимметричные блоки), SА – Symmetric Architecture (симметричные блоки).