Лабораторная работа № 3. Основные приемы работы на полуавтоматической зондовой станции Cascade Microtech (стр. 3 )

Добавляет кнопки eVue отображающиеся на панели инструментов Live Video.

Задет параметры освещения: контраст, яркость и экспозицию сохраняя их для каждой кнопки. Активные кнопки подсвечиваются. Для большей информации смотри Setting eVue Option на странице 95.

Правый щелчок на кнопках освещения открывает меню:

Open eVue page - Открывает выбранное окно Video Options в eVue

Set to Current - устанавливает текущие значения Brightness, Contrast, и

Exposure

Auto Expose - Выбор Auto Expose выравнивает уровень Brightness, Contrast, и

Exposure соответственно текущему видеоизображению.

Video Mode Toolbar

Кнопка	Описание
Standard mode	Этот режим обеспечивает один видео обзор идентичный A-Zoom микроскопу.
Multi-Camera mode	Этот режим управляет множеством видеокамер с различным масштабом.
Multi-View mode	Этот режим позволяет вам просматривать одиночной видеокамерой различные пути такие как изменение масштаба и изменение горизонтальной и вертикальной ориентации.

Standard Video Mode

Этот вид отображает окно Live Video в Standard Video Mode. Нажмите чтобы включить Standard Video Mode.

Multi-Camera Video Mode

Этот вид отображает окно Live Video в Multi-Camera Video Mode. Нажмите чтобы включить Multi-Camera Video Mode.

Multi-View Video Mode

Этот вид отображает CCD 2 использующий 6 мульти-видов. Нажмите чтобы включить Multi-View Video Mode.

 

Обзор выбранный в панели инструментов используется как переключатель между различными номерами окон. Вы можете выбрать одного окно обзора или выбрать 3,5,6 или 7 суб-окон. Каждое суб-окно обзора пронумеровано и цветную клавишу. Значение цветной клавиши может быть изменено правым кликом на окне суб-видео.

Три различные камеры могут быть выбраны в панели инструментов. Каждая из трех камер обладает различным уровнем масштабирования.

Окно Drag доступное в Multi-View может использоваться для перетаскивания части вида с суб-окна.

Меню Multi-View.

Правый клик на окне Multi-View открывает меню со специальными настройками этого режима. Смотри также на странице 84 Context-Sensitive Menu Options.

Set up Video Views - Это опция может использоваться для быстрого добавления регионов из Live Video в суб-окна. Когда этот режим включен курсор превращается в и мышь может использоваться для перетаскивания открытых областей из окна Live Video. Образы суб-видео добавляются в различные регионы открытой области.

Horizontal / Vertical Alignment - В окне обзора модули 3 и 6 окна Live Video могут быть сориентированы горизонтально или вертикально.

Copy Zoom - Эта операция копирует текущий уровень масштабирования из активного окна для всех других суб-окон.

Окно Video Options.

Окно Video Options. Доступно из Tools > Options или правым кликом на окне Live Video и выбором из мeню Options.

Лабораторная работа № 4. Исследование состава и назначения элементов тестового
кристалла для постановки и технологического контроля аналого-цифровой технологии

№ п/п	Обозначение теста	Наименование теста	Описание теста
1 Модуль (MOD1)
1.1	RSNW	Поверхностное сопротивление и ширина линии n-кармана. Резистор W/L=80мкм/8мкм.	Четырехзондовый метод: 3,5 - первое “плечо”, 1,6 - второе “плечо,” 2,4 - падение напряжения на резисторе 20 - контакт к подложке
1.2	RSN+	Поверхностное сопротивление и ширина линии п+-областей. Резистор W/L=80мкм/8мкм.	Четырехзондовый метод: 9,11 - первое “плечо”, 7,12 - второе “плечо,” 8,10 - падение напряжения на резисторе 20 - контакт к подложке
1.3	RSP+	Поверхностное сопротивление и ширина линии p+-областей Резистор W/L=80мкм/8мкм.	Четырехзондовый метод: 15,17 - первое “плечо”, 13,18 - второе “плечо,” 14,16 - падение напряжения на резисторе 19 - контакт к n-карману

№ п/п	Обозначение теста	Наименование теста	Описание теста
2 Модуль (MOD2) 20 - контакт к подложке
2.1	RSA1	Поверхностное сопротивление и ширина линии аллюминия1	Четырехзондовый метод: 3,5 - первое “плечо”, 1,6 - второе “плечо,” 2,4 - падение напряжения на резисторе
2.2	RSA2	Поверхностное сопротивление и ширина линии аллюминия2	Четырехзондовый метод: 9,11 - первое “плечо”, 7,12 - второе “плечо,” 8,10 - падение напряжения на резисторе
2.3	RSBB	Поверхностное сопротивление и ширина линии базы БТ	Четырехзондовый метод: 15,17 - первое “плечо”, 13,18 - второе “плечо,” 14,16 - падение напряжения на резисторе 19 - контакт к n-карману
3 Модуль (MOD3)
3.1	RSSI1	Поверхностное сопротивление и ширина линии поликремния1	Четырехзондовый метод: 3,5 - первое “плечо”, 1,6 - второе “плечо,” 2,4 - падение напряжения на резисторе
3.2	RSSI2	Поверхностное сопротивление и ширина линии поликремния2 - резистивного	Четырехзондовый метод: 9,11 - первое “плечо”, 7,12 - второе “плечо,” 8,10 - падение напряжения на резисторе
3.3	RSSIND	Поверхностное сопротивление поликремния2-разводочного	Четырехзондовый метод: 15,17 - первое “плечо”, 13,18 - второе “плечо,” 14,16 - падение напряжения на резисторе
3.4	NFG2 4/2	N-МОП транзистор со вторым поликремнием в качестве затвора	19 - сток - 19 20 - исток-подложка 18 - затвор
4 Модуль (MOD4)
Матричные N-МОП транзисторы с различной длиной канала. (размеры топлогические, без учета технологических уходов)
4.1	NL2	N-МОП W/L=20/2	3 - сток, 1 - подложка (общий), 20 - исток (общий), 2 - затвор (общий)

№ п/п	Обозначение теста	Наименование теста	Описание теста
4.2	NL18	N-МОП W/L=20/1.8	4 - сток, 1 - подложка (общий), 20 - исток (общий), 2 - затвор (общий)
4.3	NL16	N-МОП W/L=20/1.6	6 - сток, 1 - подложка (общий), 20 - исток (общий), 2 - затвор (общий)
4.4	NL14	N-МОП W/L=20/1.4	5 - сток, 1 - подложка (общий), 20 - исток (общий), 2 - затвор (общий)
4.5	NL12	N-МОП W/L=20/1.2	7 - сток, 1 - подложка (общий), 20 - исток (общий), 2 - затвор (общий)
4.6	NL11	N-МОП W/L=20/1.1	8 - сток, 1 - подложка (общий), 20 - исток (общий), 2 - затвор (общий)
4.7	NL9	N-МОП W/L=20/0.9	10 - сток, 1 - подложка (общий), 20 - исток (общий), 2 - затвор (общий)
4.8	NL8	N-МОП W/L=20/0.8	9 - сток, 1 - подложка (общий), 20 - исток (общий), 2 - затвор (общий)
Матричные P-МОП транзисторы с различной длиной канала. (размеры топлогические, без учета технологических уходов)
4.9	PL8	P-МОП W/L=20/0.8	11 - сток, 19 - подложка (общий), 20 - исток (общий), 2 - затвор (общий)
4.10	PL9	P-МОП W/L=20/0.9	12 - сток, 19 - подложка (общий), 20 - исток (общий), 2 - затвор (общий)
4.11	PL11	P-МОП W/L=20/1.1	14 - сток, 19 - подложка (общий), 20 - исток (общий), 2 - затвор (общий)
4.12	PL12	P-МОП W/L=20/1.2	13 - сток, 19 - подложка (общий), 20 - исток (общий), 2 - затвор (общий)

№ п/п	Обозначение теста	Наименование теста	Описание теста
4.13	PL14	P-МОП W/L=20/1.4	15 - сток, 19 - подложка (общий), 20 - исток (общий), 2 - затвор (общий)
4.14	PL16	P-МОП W/L=20/1.6	16 - сток, 19 - подложка (общий), 20 - исток (общий), 2 - затвор (общий)
4.15	PL18	P-МОП W/L=20/1.8	18 - сток, 19 - подложка (общий), 20 - исток (общий), 2 - затвор (общий)
4.16	PL2	P-МОП W/L=20/2	17 - сток, 19 - подложка (общий), 20 - исток (общий), 2 - затвор (общий).
5 Модуль (MOD5)
N-МОП-транзисторы для экстракции параметров (размеры топлогические, без учета технологических уходов)
5.1	N50/50	L/W=50/50	3 - сток, 2 - исток(общий), 16 - затвор(общий), 1 - подложка(общий)
5.2	N6/50	L/W=6/50	4 - сток, 2 - исток(общий), 16 - затвор(общий), 1 - подложка(общий)
5.3	N2/50	L/W=2/50	6 - сток, 2 - исток(общий), 16 - затвор(общий), 1 - подложка(общий)
5.4	N2/20	L/W=2/20	5 - сток, 2 - исток(общий), 16 - затвор(общий), 1 - подложка(общий)
5.5	N2/4	L/W=2/4	7 - сток, 2 - исток(общий), 16 - затвор(общий), 1 - подложка(общий)
5.6	N50/4	L/W=50/4	8 - сток, 2 - исток(общий), 16 - затвор(общий), 1 - подложка(общий)
5.7	P50/50	L/W=50/50	10 - сток, 2 - исток(общий), 16 - затвор(общий), 15 - подложка(общий)

№ п/п	Обозначение теста	Наименование теста	Описание теста
P-МОП-транзисторы для экстракции параметров (размеры топлогические, без учета технологических уходов)
5.8	P6/50	L/W=6/50	12 - сток, 2 - исток(общий), 16 - затвор(общий), 15 - подложка(общий)
5.9	P2/50	L/W=2/50	11 - сток, 2 - исток(общий), 16 - затвор(общий), 15 - подложка(общий)
	5.10	P2/20	L/W=2/20	13 - сток, 2 - исток(общий), 16 - затвор(общий), 15 - подложка(общий)
	5.11	P2/4	L/W=2/4	14 - сток, 2 - исток(общий), 16 - затвор(общий), 15 - подложка(общий)
	5.12	P50/4	L/W=50/4	9 - сток, 2 - исток(общий), 16 - затвор(общий), 15 - подложка(общий)
	Тест на контроль контактного сопротивления
	5.13	RCP+A	Контактное сопротивление p+-Al1, 1контакт -2мкм х 2 мкм (топология)	Четырехзондовый метод: 17,19 - токовые выводы, 18,20- выводы по напряжению
	6 Модуль (MOD6) Тесты на контроль качества травления мезаобластей, поликремния, металлизации и изоляции
	6.1	GRA10	Закоротки и обрывы по металлу1 на полевом окисле, длина меандра - 13225 мкм, тест на электромиграцию (шаг 4.5 мкм, 2.7/1.8 мкм)	1, 5 - меандр, 3 - гребенка (мониторинг экструкции)
	6.2	GRA1SI	Закоротки и обрывы по металлу1 на рельефе поликремния 1, ; длина меандра - 13225 мкм, тест на электромиграцию (шаг 4.5 мкм, 2.7/1.8 мкм)	2, 6-меандр, 4-гребенка (мониторинг экструзии)
	6.3	GRA20	Закоротки и обрывы по металлу2 на полевом окисле, длина меандра - 10040 мкм, тест на электромиграцию (шаг 6.0 мкм, 4.0/2.0 мкм)	7, 11-меандр, 9-гребенка (мониторинг экструзии)

	№ п/п	Обозначение теста	Наименование теста	Описание теста
	6.4	GRA2A1	Закоротки и обрывы по металлу2 на рельефе металла1 длина меандра - 10040 мкм, тест на электромиграцию (шаг 6.0 мкм, 4.0/2.0 мкм)	8, 12-меандр, 10-гребенка (мониторинг экструзии)
	6.5	CN+AL	Цепочка область п+-диффузии - металл1, 952 элемента, длина шины металла - 8570 мкм, 952х2 - количество контактов.	13, 15
	6.6	CP+AL	Цепочка область p+-диффузии - металл1, 952 элемента, длина шины металла - 8570 мкм, 952х2 - количество контактов	14, 16
	6.7	CSI1AL	Поликремний1 - металл1 952 элемента, длина шины металла - 8570 мкм, 952х2 - количество контактов	17, 19
	6.8	CSI2AL	Поликремний2 - металл1 782 элемента, длина шины металла - 7820 мкм, 782х2 - количество контактов	18, 20
	7 Модуль (MOD7)
	Тесты на контроль качества травления мезаобластей, поликремния, металлизации и изоляции
	7.1	GRSI1	Закоротки и обрывы по поликремнию1 на полевом окисле	1, 3 - меандр, 5 - гребенка
	7.2	GRSI2	Закоротки и обрывы по поликремнию2 на полевом окисле	2, 4-меандр, 6-гребенка
	7.3	GRA2M	Закоротки и обрывы по металлу2 на рельефе поликремния1, области п+-диффузии и металла1. длина меандра - 10040 мкм, тест на электромиграцию (шаг 6.0 мкм, 4.0/2.0 мкм)	7, 11-меандр, 9-гребенка (мониторинг экструзии)
7.4	CA1A2	Металл1 - металл2 на рельефе поликремния и мезаобласти 952 элемента, длина шины металла1 - 8570 мкм длина шины металла2 - 9520 мкм, 952х2 - количество переходных окон	10, 12
7.5	ISS1A1	Изоляция поликремний1- металл1	13, 15

	№ п/п	Обозначение теста	Наименование теста	Описание теста
7.4	CA1A2M	Металл1 - металл2 на рельефе поликремния и мезаобласти Отступление от КТО 952 элемента, длина шины металла1 - 8570 мкм длина шины металла2 - 9520 мкм, 952х2 - количество переходных окон	14, 16
7.5	ISA12R	Изоляция металл2- металл1	13, 15
7.6	ISS2A1	Изоляция поликремний2 - металл1	13, 15
8 Модуль (MOD8) Биполярные n-p-n транзисторы 16-контакт к подложке
8.1	L2W2	Биполярный транзистор W/L = 2/2	1-коллектор, 3 - база, 2 - эмиттер
8.2	L4W2	Биполярный транзистор W/L = 2/4	5-коллектор, 4 - база, 6 - эмиттер
8.3	L4W2K2	Биполярный транзистор W/L = 2/4 c двумя контактами к базе	7-коллектор, 9 - база, 8 - эмиттер
8.4	L10W2	Биполярный транзистор W/L = 2/10	11-коллектор, 10 - база, 12 - эмиттер
8.5	L20W20	Биполярный транзистор W/L = 20/20	13-коллектор, 15 - база, 14 - эмиттер
Тест на контроль контактного сопротивления
8.6	RCEM	Контактное сопротивление эмиттера	17,19-токовые выводы, 18,20 - выводы по напряжению
9 Модуль (MOD9) Конденсаторы
9.1	С P+ME1	Конденсатор p+-диффузия - металл1 (200x200 мкм2)	1 - p+-область, 2 - металл 1
9.2	C N+P	Конденсатор п+-диффузия - подложка (200x200 мкм2)	3 - подложка, 4 - п+-область
9.3	С KAR-PODL	Конденсатор карман - подложка (200x200 мкм2)	3 - подложка, 5 - карман
9.4	C P+K	Конденсатор р+ - диффузия - карман (200x200 мкм2)	5 - карман, 6 - р+-область
9.5	C ME1ME2	Конденсатор металл1 - металл2 (200x200 мкм2)	7 - металл 2, 8 - металл1
9.6	C SI*ME1	Конденсатор поликремний 1- металл1 (200x200 мкм2)	9 - поликремний 1, 10 - металл1
9.7	C N+ME1	Конденсатор п+-диффузия - металл1 (200x200 мкм2)	11 - п+-область, 12 - металл1

	№ п/п	Обозначение теста	Наименование теста	Описание теста
9.8	C SI*P	Конденсатор поликремний 1 - подложка (200x200 мкм2)	20 - подложка, 19 - поликремний1
9.9	NPARSI*	Транзистор паразитный п-канальный, затвор - поликремний1	20 - исток+ подложка (общий), 18 - сток, 13 - затвор (общий)
9.10	NPARME1	Транзистор паразитный п-канальный, затвор - металл1	20 - исток+ подложка (общий), 17 - сток, 13 - затвор (общий)
9.11	PPARSI*	Транзистор паразитный р-канальный, затвор - поликремний1	16 - сток, 14 - исток + карман (общий), 13 - затвор (общий)
9.12	PPARME1	Транзистор паразитный р-канальный, затвор - металл1	15 - сток, 14 - исток + карман (общий), 13 - затвор (общий)
10 Модуль (MOD10)
Элементы для тестирования подзатворного диэлектрика Тестируемая емкость - n-SiO2-Si*, контакт к карману n +. Площадь тестируемого элемента - 16 мкм2 , площадь антенны - 5600 мкм2 .
10.1	ANMGRZ	Металлическая (1) антенна в виде гребенки	1 - затвор, 2 - n+ - диффузия
10.2	ANSIGRZ	Поликремниевая(1) антенна в виде гребенки	3 - затвор, 4 - n+ - диффузия
10.3	ANMPZ	Металлическая(1) антенна в виде площадки	17 - затвор, 15 - n+ - диффузия
10.4	ANSIPZ	Поликремниевая(1) антенна в виде площадки	18 - затвор, 16 - n+ - диффузия
Элементы для тестирования подзатворного диэлектрика
10.5	TD0Z	S = 40000 мкм2, Ро = 800 мкм, Рi = 400 мкм, Pd = 400 мкм.	5 - затвор, 6 - n+ - диффузия
10.6	TDMZ	S = 40000 мкм2, Po = 3200 мкм, Pi = 1600 мкм, Pd = 1600 мкм	7 - затвор, 8 - n+ - диффузия
10.7	TDDPZ	S = 40000 мкм2, Po = 8800 мкм, Pi = 8000 мкм, Pd = 800	9 - затвор, 10 - p+ - диффузия
10.8	TDDNZ	S = 40000 мкм2, Po = 8800 мкм, Pi = 8000 мкм, Pd = 800	14 затвор, 12 - n+ - диффузия
10.9	TDIZ	S = 40000 мкм2, Po = 23200 мкм, Pi = 20000 мкм, Pd = 3200	13 - затвор, 11- n+ - диффузия
10.10	TD0PZ	S = 40000 мкм2, Ро = 800 мкм, Рi = 400 мкм, Pd = 400 мкм.	20 - затвор, 19 - p+ - диффузия

	№ п/п	Обозначение теста	Наименование теста	Описание теста
11 Модуль (MOD11)
Элементы для тестирования емкостного диэлектрика Тестируемая емкость -- Si*1-Si*2, контакт к подложке P+. Площадь тестируемого элемента - 16 мкм2 , площадь антенны - 5600 мкм2 .
11.1	ANMGRC	Металлическая (1) антенна в виде гребенки	1 - поликремний 2, 2 - поликремний 1
11.2	ANSIGRC	Поликремниевая (1) антенна в виде гребенки	3 - поликремний 2, 4 - поликремний 1
11.3	ANMPC	Металлическая (1) антенна в виде площадки	18 - поликремний 2, 17 - поликремний 1
11.4	ANSIGRC	Поликремниевая (1) антенна в виде площадки	19 - поликремний 2, 20 - поликремний 1
Элементы для тестирования емкостного диэлектрика
11.5	TD0C	S = 40000 мкм2 , Ро = 800 мкм, Рi = 400 мкм, Pd = 400 мкм.	5 - поликремний 2, 6 - поликремний 1
11.6	TDMC	S = 40000 мкм2, Po = 3200 мкм, Pi = 1600 мкм, Pd = 1600 мкм	7 - поликремний 2, 8 - поликремний 1
11.7	TDDC	S = 40000 мкм2, Po = 8800 мкм, Pi = 8000 мкм, Pd = 800	9 - поликремний 2, 10 - поликремний 1
11.8	TDIC	S = 40000 мкм2, Po = 23200 мкм, Pi = 20000 мкм, Pd = 3200	13 - поликремний 2, 11 - поликремний 1
N-МОП транзистор с плавающим затвором
11.9	NFG 4/2	N-МОП транзистор с плавающим затвором Площадь входной емкости затворов 19мкм2	12 - исток 14 - сток 15,16 - затворы
	12 Модуль (MOD12) 20 - контакт к подложке
	12.1	RCN+A	Контактное сопротивление n+-Al1, 1контакт -2мкм х 2 мкм (топология)	Четырехзондовый метод: 1,3 - токовые выводы, 2,4- выводы по напряжению
	12.2	RCSI1A	Контактное сопротивление SI*1-Al1, 1контакт -2мкм х 2 мкм (топология)	Четырехзондовый метод: 5,7 - токовые выводы, 6,8- выводы по напряжению
	12.3	RCSI2A	Контактное сопротивление SI*2-разводочного-Al1, 1контакт -2мкм х 2 мкм (топология)	Четырехзондовый метод: 9,11 - токовые выводы, 10,12- выводы по напряжению
	12.4	RCAA	Контактное сопротивление Al1-Al2, 1контакт -2мкм х 2 мкм (топология)	Четырехзондовый метод: 13,15 - токовые выводы, 14,16- выводы по напряжению

	№ п/п	Обозначение теста	Наименование теста	Описание теста
	12.5	L10W10	Биполярный транзистор W/L = 10/10	17-коллектор, 19 - база, 18 - эмиттер
	Схемы для измерения согласования и измерения параметров согласования МОП-транзисторов, емкостей, резисторов.
	13 Модуль (MOD13) Резисторы для определения воспроизводимости параметров. R=10K
	13.1	R12	Поликремниевые (2) резисторы с окружением W/L = 12/199 мкм	Четырехзондовый метод: токовые выводы -1,19, выводы по напряжению - 3,5; 5,7; 7,9; 9,11; 11,13; 13,15; 15,17;
	13.2	R10	Поликремниевые (2) резисторы с окружением W/L = 10/166 мкм	Четырехзондовый метод: токовые выводы -2,20, выводы по напряжению - 4,6; 6.8; 8,10; 10,12; 12,14; 14,16; 16,18;
	14 Модуль (MOD14) Резисторы для определения воспроизводимости параметров. R=10K
	14.1	R8	Поликремниевые (2) резисторы с окружением W/L = 8 / 134 мкм	Четырехзондовый метод: токовые выводы -1,19, выводы по напряжению - 3,5; 5,7; 7,9; 9,11; 11,13; 13,15; 15,17;
	14.2	R5	Поликремниевые (2) резисторы с окружением W/L = 5 / 83 мкм	Четырехзондовый метод: токовые выводы -2,20, выводы по напряжению - 4,6; 6.8; 8,10; 10,12; 12,14; 14,16; 16,18;
	Транзистор для исследования влияния магнитного поля Площадки под ручное измерение
		NL2ME	Тестовый транзистор, покрытый шиной металла 1 через межслойную изоляцию (для магнитного поля)	1-подложка p-типа, 2-исток, 3-шина металл 1, 4-шина металл 1, 5-затвор, 6-сток
	Площадки под ручное измерение
		MMTRP	Схема для измерения воспроизводимости параметров p-МОП транзисторов.	См. описание
		MMTRN	Схема для измерения воспроизводимости параметров n-МОП транзисторов.	См. описание

	№ п/п	Обозначение теста	Наименование теста	Описание теста
		MMC	Схема для измерения воспроизводимости параметров конденсаторов.	См. описание
		MMR	Схема для измерения воспроизводимости параметров резисторов.	См. описание
		PFG 4/2	P-МОП транзистор с плавающим затвором Площадь входной емкости затворов 19 мкм2	Слева направо: сток, затвор 1,затвор 2,исток
Тест на вскрытие контактных окон к активным областям Площадки под ручное измерение
		Si*1	Контактное окно (100*100)мкм (топология) к затворному полкремнию1 в мезаобласти
		Si*2	Контактное окно (100*100)мкм (топология) к резистивному полкремнию2 на локосе
		N+	Контактное окно (100*100)мкм (топология) к мезаобласти, легированной n+
		P+	Контактное окно (100*100)мкм (топология) к мезаобласти, легированной p+

Вопросы для контрольных работ и зачета

1.Назовите область применения осциллографа.

2.Назовите основные блоки и элементы осциллографа.

3.Объясните принцип работы осциллографа.

4.Запишите основные технические характеристики осциллографа.

5.Запишите методику осциллографических измерений.

6.Назовите погрешности осциллографических измерений.

7.Нарисуйте схему и запишите методику для измерения амплитуды и постоянной составляющей сигнала на выходе однополупериодного выпрямителя.

8.Нарисуйте схему и запишите методику для измерения параметров синусоидального напряжения блока питания стенда.

9.Нарисуйте схему и запишите методику для измерения временного сдвига между сигналами тока и напряжения конденсатора при гармоническом воздействии.

10.Нарисуйте схему и запишите методику для измерения временного сдвига между сигналами тока и напряжения конденсатора при гармоническом воздействии.

11.Нарисуйте схему и запишите методику для измерения временного сдвига между сигналами напряжений на катушке индуктивности и конденсаторе при последовательном их соединении, а так же амплитуд этих напряжений в цепи с синусоидальным источником.

12.Объясните принцип получения фигур Лиссажу и метод измерений временного сдвига между сигналами синусоидальной формы с помощью фигур Лиссажу.

13.Изобразите фигуры Лиссажу для синусоидальных сигналов с временными сдвигами 0, p/2, p.

14.Для цепи с последовательным соединением катушки и конденсатора, подключенной к синусоидальному источнику напряжения, объяснить соотношение амплитуд напряжений на катушке, конденсаторе и всей цепи.

15.Нарисуйте схему и запишите методику для измерения внутреннего сопротивления генератора калибратора осциллографа.

16.Нарисуйте схему и запишите методику для измерения емкости конденсатора.

17.Нарисуйте схему и запишите методику для измерения индуктивности катушки.