(12)

 
  (13)

Они максимальны, если коэффициент  (или ) равен 1, причем > при  и, наоборот, при . Однако, если , контур сильно шунтируется и реализуется, лишь при широкой полосе пропускания РУ. Поэтому на практике при этом условии часто оказывается более целесообразно обеспечить согласование с нагрузкой.

Теперь, как и в п. 8.1.2, рассмотрим случай заданного (или ). В одном из вариантов (8) с учетом (11а) можно представить в виде , откуда следует:

  (14) 

       Подставляя (14) в (12), находим максимальный коэффициент усиления РУ при согласовании с нагрузкой и заданной полосе пропускания:

  (15)

       Сравнивая (15) и (10) между собой, видим, что c на величину высшего порядка малости (при  ).

8.2. Устойчивость РУ        

  8.2.1. Влияние внутренней ОС на устойчивость АЧХ РУ

,

где

или                          (16)

где согласно (2)

  Выделяя обычным способом действительную и мнимую части (16),  имеем

                       (17а)

                         (17б)

где обозначено

 

               (18)

  Функции ш  указывают на то, что активная (gОС) и реактивная (bОС) составляющие динамической входной проводимости   в свою очередь, распадаются на две составляющие каждая; таким образом, за счет ОС возникают четыре составляющих дополнительных входной проводимости, каждая из которых с изменением текущей расстройки по-своему влияет на мгновенное значение коэффициента усиления РУ вследствие изменения формы АЧХ (и ФЧХ) колебательного контура на входе транзистора (V2).

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

  Учитывая значение ц в (16), можно после некоторых пре­образований получить

  ,           (19)

  С учетом (19) и условия  < 1 примерный вид функций характеризующих зависимости активной и реактивной составляющих динамической вход­ной проводимости от обобщенной расстройки  б  и относительной  рабочей частоты , дан на рис. 5а, б. Их поведение указывает на то, что наличие внутренней ОС в транзисторе приводит не только к изменению первоначальной формы (деформации)  АЧХ входного контура и смещению положения ее мак­симума, но может привести даже к самовозбуждению РУ из-за наличия при определенных  б < 0 активной составляющей отрицательного ха­рактера, которая может полностью скомпенсировать потери во вход­ном контуре.

  Можно показать, что точки экстремумов функции  соот­ветственно

  , 

  Подставляя эти значения в первую формулу (18), убеждаемся, что Таким образом, удвоенная ампли­туда (размах) изменения активной проводимости, как это следует из (17а),

  а)

    б)

Рис. 5 Зависимость  от обобщённой расстройки активной и реактивной составляющих динамической входной проводимости

8.2.2. Устойчивый коэффициент усиления транзисторного  РУ

Введём  коэффициент  устойчивости.

                       (20)

численно равный  относительному  изменению эквивалентной  проводимости входного контура, обусловленному влиянием проводимости обратной передачи Y12  в четырёхполюснике (внутренней ОС в транзисторе).

       Разделим оба члена числина , подставим вместо его значение, одновременно умножив числитель  и знаменатель второго члена на  ,  учтем (7), (П1.4) и после некоторых преобразований получим*)

                       (21)

  Здесь   -  коэффициент устойчивого усиления РУ, т. е. коэффициент усиления при заданном коэффициенте устойчивости.

  Остановимся на расчете  в (20) и (21).  Прежде всего отметим, что при идентичных каскадах (, ) выражение (21) упрощается, а влияет на только косвенно через  .

Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4