_______________________

*) Формула для в представленном виде впервые записана .  .

  В общем случае в силу (20) под следует понимать входную  проводимость транзистора,  найденную с уче­том добавки  (рис. 5а), имеющей место при  расстройке “”*), зависящей от параметров и рабочей частоты РУ. На самом деле, удобнее рассчитывать с учетом добавки  имеющей место при   (рис.5а), т. е., в соответствии с (17а), при , либо полагать .

  Очевидно, при близких в 1 (обычно берут) все три метода оценки дают  приблизительно  одинаковый результат. Ниже, при  расчете АЧХ на ЭВМ применяется второй метод,  поскольку он позво­ляет осуществить нормировку АЧХ на фиксированной частоте (в от­личие от первого) и, в то же время, точнее, чем третий учитывает влияние ОС.

  При расчете  целесообразно брать в соответствии с (11) m2=m2C. Согласование с нагрузкой важно обеспечить, например, в случае применения РУ в качестве широкополосного антенного усилителя (ШАУ).

­­­­­­

8.2.3. Расчет АЧХ РУ на ЭВМ.

  Для расчёта на ЭВМ за основу возьмём выражение для нормированной АЧХ контура на входе транзистора V2  при наличии ОС. Подобно зависимости в (3), для комплексной эквивалентной проводимости входного контура имеем:

  (22)

где

,

,

  Транзисторы V1  и V2 , предполагается, имеют одинаковые параметры. При одинаковой настройке контуров эквивалентные проводимости и ёмкости входного контура при  (см. п.8.2.2) должны включать в себе также динамические входные проводимости и ёмкость, имеющие соответствующие значения при  . Деформация АЧХ

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

будет обусловлена их приращениями при  .

  При с учетом (17а), (18):

                (23) 

  Выписывать выражение для эквивалентной ёмкости нет необходимости, так как необходимая частота настройки контура обеспечивается соответствующим условным подбором . Таким образом,

_______________________

*) Указано

  (24)

где, как нетрудно убедиться:

  (25) 

        (26)

  Подобно тому, как это сделано в (4), представим  YЭ1  в виде

,         (27)

где обобщённая расстройка входного контура  равна

,  ,  , .

  Сгруппируем в (27) действительные и мнимые члены,  вынося за скобки проводимость , возьмем модуль найденного­ выражения, после чего получим:

  Нормированная АЧХ входного контура - величина, обратная под­коренному выражению  (28), обозначим ее через Y1.

  Учитывая (25), (26) и вводя обозначения  ,  , ,  

после некоторых преобразований имеем:

  (29) 

  В (29) независимая переменная (параметр) , переменные R и k задаваться независимо не могут; в силу (20) . При расчёте R и k вводимыми переменными можно полагать m1,  m2ВХ и f. Можно исключить константу m2 при расчёте , взяв интересный для практики случай согласования с нагрузкой согласно (17б). Тогда в (3) Gэ=Gэс=2(G0+m12g2) и, соответственно:

                                (30)

  Исключить из расчетных формул и несколько упростить расчёт можно, разделив R на k

                          (31)

  Теперь, задавшись коэффициентом устойчивости kУ, можно найти R=4(1-kУ), а затем соответствующее k, например, с учётом (30), по формуле

  (32)

  Данная формула положена в основу программы RPURU. BAS (в базе кафедры РПрУ). При подстановке (32) в (29) синтезируется АЧХ РУ, удовлетворяющая заданным m1, f, kУ  при следующих независимых константах (их значения указаны с учётом параметров элементов лабораторного макета)

G0=1,2•10-5 ; g22=8•10-5; G01=0,6•10-5 ; g11=3•10-3;

  m1 ВХ=0,02; S0=0,12; m2 ВХ=0,05; СК=10•10-12;

; L1=4,1•10-4; L=3,4•10-4; fS = 8•10-6

                               

  ПРИЛОЖЕНИЕ

Соотношение для проводимости обратной передачи (обратной связи) –Y12=g12+jb12 в транзисторе, как в линейном четырёхполюснике.

Известные соотношения для активной и реактивной (ёмкостной) составляющих

(П.1.1)

                         (П.1.2)

где  

Введём дополнительное значение: В=в0,  fS/fгр=в0 h11B/rB = h21Э,  и подставим (1) и (2) в виде:

                                                  (П.1.3)

                 (П.1.4)

Введя понятие постоянной времени цепи ОС фос=С12/g12 и разделив  (4) на (3), получим

                                                                        (П.1.5) 

ЛИТЕРАТУРА

1. , , Чистяков устройства. –М.: Радио и связь, 1986. С. 59-70; 43-48.

2. Радиоприёмные устройства / под ред. проф – М.; «Радио и связь», 2007 г.

Лабораторная работа №16

ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРНОГО РЕЗОНАНСНОГО УСИЛИТЕЛЯ

Редактор

Подписано в печать  Формат 60х84/16.  Объём 1,1 усл. п.л

Тираж 400 экз  Заказ

ООО “Инсвязьиздат” Москва,

Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4