ФГБОУ ВО «САРАТОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ ГАГАРИНА Ю. А.»
«УТВЕРЖДАЮ»
Первый проректор
_____________
«_____»_____________2016 г.
ПРОГРАММА
ВСТУПИТЕЛЬНОГО ЭКЗАМЕНА В АСПИРАНТУРУ
ПО СПЕЦИАЛЬНОЙ ДИСЦИПЛИНЕ
НАПРАВЛЕНИЕ –11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи»
НАПРАВЛЕННОСТЬ «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро - и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах»
Саратов, 2016
ПРОГРАММА ВСТУПИТЕЛЬНОГО ЭКЗАМЕНА В АСПИРАНТУРУ
ПО СПЕЦИАЛЬНОЙ ДИСЦИПЛИНЕ
ВОПРОСЫ
Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
1. Уравнение для плотности электрического тока в полупроводниках.
Уравнение непрерывности.
Приборы твердотельной электроники и микроэлектроники
Лавинно-пролетные диоды pin - диоды. Диод Ганна. Полевые транзисторы, принцип действия, основные параметры. Светодиоды, параметры и характеристики. Суперяркие светодиоды. Магнитоэлектроника, криоэлектроника, твердотельные датчики (общеепредставление).
Технология микроэлектроники и твердотельных приборов
Планарная технология - общая схема техпроцесса. Эпитаксия. Методы эпитаксиального выращивания кремния. Электронно-ионная технология. Ионное легирование. Металлизация. Ионно-плазменное распыление. Фотолитография. Проекционная фотолитография, электроннолучеваялитография и рентгенолитография.
Моделирование, испытания, надежность приборов твердотельной электроники, радиоэлектроники и изделий микро - и наноэлектроники
21. Основные положения, понятия и определения современной теории
надежности.
20. Методы выявления потенциально ненадежных приборов и микросхем.
Радиоэлектронные компоненты
Толстопленочные резисторы. Основные типы постоянных и переменных резисторов. Физические явления, определяющие емкостные свойства конденсаторов. Типы, параметры и конструкции конденсаторов постоянной емкости.26. Типы, параметры и конструкции конденсаторов переменной емкости.
Физические эффекты в малоразмерных твердотельных структурах, специфические приборы наноэлектроники и методы их изготовления, основные принципы создания приборов на квантовых эффектах
Эффект Джозефсона. Квантовый эффект Холла. Явление кулоновской блокады при туннелировании через переходы с малой емкостью.30. Технологические методы формирования наноразмерных структур.
Молекулярно-лучевая эпитаксия, электронно-лучевая литография, методы
зондовой нанолитографии.
31. Представления об элементной базе квантовых компьютерах - кубитах.
Свойства кубита.
ОСНОВНАЯ ЛИТЕРАТУРА
, , Микроволновая электроника: Учебник / Под ред. .-СПб.: Издательство «Лань», 2016. – 496с. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976. , Физика полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1990. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника / Под ред. . М.: Радио и связь, 1998. Основы микроэлектроники. М.: Радио и связь, 1998. , Технология и конструирование интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1983. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. М.: Радио и связь, 1987.7. Качество и надежность интегральных микросхем. М.: Высш.
шк., 1987.
ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ЛИТЕРАТУРА
Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов / Под ред. Д. Миллера. М.: Радио и связь, 1989. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. М.: Высшая школа, 1989. , Микросхемотехника. М.: Радио и связь, 1987. , Квантовые компьютеры: надежды и реальность. М.:РХД, 2001.Председатель экзаменационной директор ИнЭТМ,
комиссии проф.


