Таблица 5- Структура продаж ведущих кремниевых заводов по топологическим нормам микросхем по за первые девять месяцев 2006 года [Ошибка! Источник ссылки не найден.]
Технологический процесс, нм | Объем продаж, млн. $ | Доля рынка, % |
До 90 нм включительно | 2389 | 19,9 |
130 | 3268 | 27,2 |
150-180 | 3806 | 31,6 |
250-350 | 1876 | 15,6 |
Более 350 | 690 | 5,7 |
ВСЕГО | 12026 | 100,0 |
Ниже в таблице приведена информация о технологическом уровне заводов Ангстрем, Ситроникс и Интеграл (Таблица 6). Информация взята с официальных сайтов компаний и годов отчетов за 2010 год.
Таблица 6- Технологический уровень заводов Ангстрем, Ситроникс и Интеграл
Компания | Пластина, техпроцесс | Технология | Продукция |
Ангстрем | Линия 100 мм: 1200 нм, 4000 пл/мес | Действует: КНС Осваиваются: карбид кремния | ИС для военной и космической техники (радиационно-стойкие ИС) (45% на российском рынке): ИС стандартной логики, БМК, флеш-память. Силовая электроника, интеллектуальные ИС криптозащиты, схемы управления светодиодами, схемы спецпамяти, разработка мультиплексоров для ФПУ, ИС для телекоммуникаций Практически прекращены поставки на рынок электронных часов, что явилось следствием перехода китайских конкурентов на технологические процессы 0,6 – 0,35 мкм, что сделало конкуренцию по этому направлению бесперспективной. |
Линия 150 мм: 600 нм, 8000 пл/мес | Действуют: КМОП, EEPROM, КМОП РС, КНС, БиКМОП, ДМОП, IGBT, МРД Осваиваются: МЭМС, ИК-видение, БиКДМОП | ||
Линия 200 мм: 250-350 нм 4000 пл/мес (осваивается) | Создаваемые: КМОП РС, КНИ, БиДКМОП, FRAM, СВЧ LD-MOS, Trench ДМОП, Trench IGBT | ||
и Микрон» (Ситроникс) | 200 мм 180 нм 1500 пл/мес | EEPROM, КМОП | Интегральные схемы для смарт-карт и электронных ID-документов, продуктов RFID, память промышленного применения |
250 нм | КНИ, БиКМОП SiGe (в 2012 переход на 180 нм) | ||
200 мм 90 нм 3000 пл/мес (осваивается) | ГЛОНАС/GPS, промышленная электроника, авионика, цифровое телевиденье, автоэлектроника, смарт-карты высокой степени защиты | ||
(Республика Беларусь) | 100 мм 2000 нм 15000 пл/мес | Биполярные технологии, БиКДМОП, ДМОП | - |
100 мм 1500 нм ~26000 пл/мес (355 тыс. пл/год) | Биполярные технологии, БиКДМОП, ДМОП | ||
150 мм 800 нм 10 000 пл/мес | БиКМОП, высоковольтная КМОП, БиКДМОП, ДМОП | ||
200 мм 350 нм 1000 пл/мес | КМОП |
Из таблицы видно, что самым технологически современным производством в СНГ является завод Микрон ( и Микрон», Ситроникс). Заводом освоен технологический процесс 180 нм на пластинах 200 мм. Запланировано освоить в 2012 году технологического процесса на 90 нм, что примерно соответствует современному уровню развития микроэлектроники. Например, 70% заводов компании STMicroelectronics работают при технологическом процессе 90 и более нанометров. В 2006 году почти 60% ИС были изготовлены по технологическому процессу от 90 до 180 нм.
Компания реализует следующие бизнес направления: телекоммуникации, информационные технологии и микроэлектроника. Направление микроэлектроника приносит компании около 22% выручки.
Таблица 7- Напралвения Ситроникс в части микроэлектроники
Год | % | Млн. $ США | Млн. руб. |
Выручка за 2010 год (в части бизнес направления микроэлектроника), в т. ч.: | 100 | 255,4 | 7 662 |
Интегральные микросхемы | 34 | 86,8 | 2 605 |
RFID-продукты | 29 | 74,1 | 2 222 |
Смарт-карты | 28 | 71,5 | 2 145 |
НИОКР (ФЦП развитие ЭКБ) | 9 | 23 | 690 |
Заводы компании Ангстрем в настоящее время становятся технологически отсталыми. Продукция компании производится по технологическому процессу 1200 нм и 600 нм на пластинах 100 мм и 150 мм. Мировые продажи микроэлектроники более 350 нм составили в 2006 году всего 5,7%. В отчете Ангстрем за 2010 год сказано, что компанией утерян китайский рынок ИС для электронных часов и калькуляторов, так как появились местные производители ИС на 350 нм. В настоящее время компания только осваивает производство ИС по техпроцессу 250-350 нм на пластинах 200 мм.
Одним из продукций являются радиационно-стойкие ИС, которые используются в космической индустрии и военно-промышленном комплексе. В настоящее время ИС изготавливаются по технологии 800 нм. Планируется переход на технологии 250-350 нм. Следует заметить, что технологии 250-350 нм для радиационно-стойких ИС являются самыми минимальными. ИС схемы, изготовленных при меньших топологических нормах, пробиваются космическим излучением.
В 2008 году взяло кредит на 9 лет во Внешэкономбанк на 815 млн. евро (примерно 1150 млн. $ США) на покупку оборудования и технологии AMD для производства чипов с топологическим размером 130 нм. Технологию ниже 130 нм не разрешил передать в Россию Госдеп США. В настоящее время оборудование до сих пор не поступило в Россию и находится в Германии. Оборудование перешло во владение Внешэкономбанка, так как признано, что Ангстрем не способен вернуть кредит.
Таблица 8- Направления Ангстрем в части микроэлектроники
Год | % | Млн. $ США | Млн. руб. |
Выручка за 2010 год, в т. ч.: | 100 | 47,02 | 1410,6 |
Интегральные микросхемы | 60 | 28,14 | 844,18 |
НИОКР | 40 | 18,88 | 566,42 |
Завод Интеграл (Республика Беларусь) также как и Ангстрем в настоящее время является технологически отстающим. Однако компанией освоена технологическая линия по техпроцессу 350 нм на пластинах 200 мм.
Мировыми лидерами в области производства продукции микроэлектроники являются ряд компаний из США, Южной Кореи, Японии и других стран. Ниже представленный рейтинг ведущих компаний в области микроэлектроники, составленный аналитическим агентством ISuppli (Таблица 9).
Таблица 9. Рейтинг ведущих компаний
микроэлектроники по объему выручки (ISuppli)
Рейт. 2010 | Рейт. 2009 | Компания | Страна | Выручка (млн. $ США) | Рост 2010/ 2009 | Доля рынка |
1 | 1 | Intel Corporation | США | 40 394 | +24.3% | 13.2% |
2 | 2 | Samsung Electronics | 27 834 | +60.8% | 9.3% | |
3 | 3 | Toshiba Semiconductor | Япония | 13 010 | +26.8% | 4.3% |
4 | 4 | Texas Instruments | США | 12 944 | +34.1% | 4.3% |
5 | 9 | Renesas Electronics | Япония | 11 840 | +129.8% | 3.9% |
6 | 7 | Hynix | Южная Корея | 10 577 | +69.3% | 3.5% |
7 | 5 | STMicroelectronics | Франция, Италия | 10 290 | +20.9% | 3.4% |
8 | 13 | Micron Technology | США | 8 853 | +106.2% | 2.9% |
9 | 6 | Qualcomm | США | 7 200 | +12.3% | 2.4% |
10 | 14 | Broadcom | США | 6 506 | +52.1% | 2.1% |
11 | 15 | Elpida Memory | Япония | 6 678 | +74.2% | 2.3% |
12 | 8 | Advanced Micro Devices | США | 6 355 | +22.0% | 2.1% |
13 | 11 | Infineon Technologies | Германия | 6 226 | +39.7% | 2.0% |
14 | 10 | Sony | Япония | 5 336 | +19.4% | 1.8% |
15 | 18 | Panasonic Corporation | Япония | 5 128 | +58.1% | 1.7% |
16 | 17 | Freescale Semiconductor | США | 4 329 | +27.2% | 1.4% |
17 | 19 | NXP | Нидерланды | 4 021 | +24.1% | 1.3% |
18 | 23 | Marvell Technology Group | США | 3 680 | +43.1% | 1.2% |
19 | 16 | MediaTek | Тайвань | 3 595 | +1.2% | 1.2% |
20 | 20 | NVIDIA | США | 3 189 | +12.8% | 1.0% |
21 | 21 | Rohm | Япония | 2 586 | -22.8% | 1.1% |
22 | 22 | Fujitsu Microelectronics | Япония | 2 574 | -13.6% | 1.1% |
23 | 24 | Analog Devices | США | 2 498 | -7.7% | 1.0% |
24 | 30 | Maxim Integrated Products | США | 2 574 | -13.6% | 1.1% |
25 | 29 | Xilinx | США | 2 311 | -7.7% | 1.0% |
Итого ведущие 25 компаний |
| 40.1% | 69.5% | |||
Все остальные компании | 92 667 | 18.6% | 30.5% | |||
ВСЕГО |
| 32.1% | 100.0% |
Из таблицы видно, что объем мирового рынка микроэлектроники составляет более 304 млрд. долл. США. Рынок в 2010 году вырос по сравнению с 2009 годом на 32%. Лидеров в области микроэлектронике является компания Intel, имеющая 13,2% доли мирового рынка. На втором месте стоит компания Samsung Electronics, занимающая 9,3% рынка.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 |
