Технологии выращивания огурца и томата в защищенном грунте (стр. 10 )

Азот, калий, кальций и магний Необходимо максимально поддерживать уровень этих элементов в пределах, указанных в таблице 3. Временно может наблюдаться понижение уровня этих элементов, в большинстве случаев вызванное периодическим повышением потребности растения в питательных веществах. Уровни азота и кальция обычно понижаются в период вегетативного роста растения, калия — в периоды обильного плодоношения.

Таблица 8.

Желаемые показатели и пределы колебаний содержания различных элементов в питательном растворе в плитах из минеральной ваты

Оцениваемый параметр	Желаемый показатель	Предел колебаний
ЕС, мСм/см	3,5-5	2,5-5
РН, мСм/см	5,5	5-6
NH4+ ммоль/л	0,5	0,1-0,5
К+, ммоль/л	7	6-9
Na+, ммоль/л	6	1-6
Ca+, ммоль/л	7	6-9
Mg++, ммоль/л	3	2-4
NO3, ммоль/л	16	12-20
Cl, ммоль/л	6	1-6
SO4-, ммоль/л	4,5	3-6
НСО3-, ммоль/л	1	0,1-1
Р, ммоль/л	1,5	1-2
Fe, мммоль/л	15	9-25
Mn, мммоль/л	7	3-15
Zn, мммоль/л	7	5-15
В, мммоль/л	50	40-70
Cu, мммоль/л	0,7	0,4-1,5

2.8.6. Содержанием питательных элементов Во время выращивания культуры питательный раствор в плите рекомендуется несколько раз в неделю проверять на электропроводность и кислотность. Проверку уровней ЕС и рН в плите следует проводить в различных местах в теплице, чтобы получить реальное представление о ситуации. Кроме того, раз в две недели необходимо анализировать питательный раствор на содержание макро - и микроэлементов. Помимо анализа питательного раствора в плите, рекомендуется проверять рН и ЕС поливной воды. Значения этих показателей должны соответствовать рекомендуемым.

2.8.7 Подготовка площади для выращивания культуры Перед закладкой плит из минеральной ваты в почву ее необходимо выровнять (допускаются перепады менее 10 см на 30-40 м длины). В противном случае возвышенные участки вскоре окажутся слишком сухими, а низкие — излишне увлажненными. Особенно трудно без специального оборудования хорошо выровнять почву в первый год возделывания. Заложенные в почву плиты могут иметь незначительный наклон к внутренним сторонам рядов, не давая тем самым избыточной воде заливать дорожки.

2.8.8 Смачивание плит Перед началом выращивания плиты из минеральной ваты необходимо хорошо увлажнить питатель - ным раствором с ЕС, равной 3-3,5. Это можно сделать с помощью системы капельного орошения. На самой длинной, не обращенной к дорожке стороне плиты, как можно ближе к нижней поверхности, следует проделать небольшие отверстия (2 отв./м), через которые будет вытекать излишек воды. Вырезают отверстия только после того, как плиты будут пропитаны до полного насыщения! Чтобы минеральная вата не притягивала полиэтиленовую пленку к плите и не произошла закупорка отверстий, края последних следует делать зазубренными.

2.8.9 Система орошения Наилучших результатов при выращивании томата на плитах из минеральной ваты позволяет добиться именно капельное орошение. Для предотвращения засорения отверстий капельницы следует использовать фильтры с диаметром ячейки в 100 мк. Все компоненты системы орошения — трубы, насосы, резервуары для хранения питательного раствора и т. п. — должны быть изготовлены из кислотоупорного материала (синтетики или нержавеющей стали). Детали из меди, железа или с гальваническим покрытием под действием питательных растворов будут подвергаться коррозии. Кроме того, присутствие в питательном растворе растворенной меди или цинка может вызвать отравление культуры.

После завершения монтажа оросительной системы следует убедиться в правильном распределении воды по всей установке (необходимо знать расход воды на одну капельницу в минуту). Перед тем как заложить следующую культуру, систему орошения надо тщательно прочистить. Поливной трубопровод системы можно легко прочистить соляной кислотой для удаления органического ила и азотной кислотой — для удаления отложений солей.

Внимание! Эти два вещества никогда не используются вместе, поскольку при этом образуется очень опасный хлорный газ. Между обработками этими двумя веществами поливной трубопровод системы капельного орошения следует всегда тщательно промывать.

2.8.10 Посадка Перед посадкой необходимо убедиться, что содержание питательных веществ в плитах и условия подачи питательного раствора нормальные, посадочные лунки готовы, температура плит составляет минимум 16°С и т. п.

Растения помещают на полиэтиленовую пленку рядом с посадочными лунками, но так, чтобы они не соприкасались с минеральной ватой. Такая мера необходима для эффективного регулирования генеративного и вегетативного развития молодых растений.

Капельницу системы капельного орошения помещают поверх горшка с минеральной ватой; она будет там оставаться на протяжении всего периода выращивания. Если удалить капельницу с горшка и капать прямо на плиту из минеральной ваты, на верхней части его будет накапливаться значительное количество соли. В дальнейшем растения помещают на плиту и дают им возможность пустить корни в нее. Посадка заключается лишь в том, чтобы переместить растения с пленки на плиту (в лунку, вырезанную в ней) во время цветения 1 - й, 2-й или 3-й кисти, причем срок посадки в значительной мере зависит от типа выращиваемого сорта. У сортов с выраженным вегетативным развитием необходимо стимулировать генеративное развитие, поэтому их помещают на плиту позднее, чем сорта с выраженным генеративным развитием.

В зависимости от сорта раннеспелые культуры можно высаживать с плотностью 2,1-2,25 раст./м2. В большинстве случаев для томатов типа «БИФ» («Beef») густота посадки ниже. Основные культуры при хорошей освещенности удовлетворительно растут при густоте посадки 2,25-2,5 раст./м2 (летняя культура).

После посадки вода из кубиков будет стекать прямо в плиту. Поэтому необходимо произвести полив сразу после посадки. Однако, в первый период (1-3 недели) полив растений должен быть минимальным. Это вынудит корни «искать» воду и развивать хорошую корневую систему. После посадки следует избегать «взрыва роста», поскольку при этом проведение мер по регулированию роста растения станет невозможным!

В начале выращивания поливают по меньшей мере три, предпочтительнее — пять раз в день. В большинстве случаев растения укореняются в плите в течение нескольких дней. Но и после этого необходим регулярный полив — до тех пор, пока на наружной стороне плиты из минеральной ваты не появятся корни; в зимний период на это может потребоваться несколько недель. Только к тому времени растения хорошо укоренятся и полив можно будет производить по потребности.

2.8.11 Температура Приведенные ниже рекомендуемые температуры обычно обеспечивают получение высоких урожаев однородных плодов высокого качества.

Ночная температура:16...18°С Дневная температура: 18...20°С Температура плиты: 17...19°С

Температура плиты должна коррелировать с дневной и ночной температурами (допускается чуть более низкая — на 1°С

В зависимости от габитуса растения (особенно при сдвиге в сторону вегетативного развития) дневную температуру можно повысить на 4°С при наличии достаточного освещения.

Повышение ночных температур позволяет получать более высокие урожаи в первые 3 недели сбора плодов, тогда как при более низких температурах урожаи выше после этого периода. Потенциальную прибыль от раннего сбора урожая следует сопоставить с расходами на топливо.

2.8.12 Норма полива Норма расхода питательного раствора на протяжении выращивания культуры зависит от размеров растений, уровня солнечной радиации и обогрева теплицы. Для растений, достигших полного развития, потребность в питательном растворе колеблется в пределах 2-6 л/м2 в день. В жаркие дни норма полива может достигать 7-10 л/м2 Это эквивалентно 30-40 подачам воды (с питательным раствором) объемом в 100 см3 на растение в день.

Необходимо постоянно поддерживать достаточный дренаж (25% поливной нормы с 10.00 до 15.00). Важность дренажа обуславливается тем, что: оросительные системы никогда не распределяют воду безупречно; не все растения испаряют одинаковое количество влаги; необходимо вымывать соли из плиты.

Норму полива следует соотносить с ЕС плиты и ЕС воды. Она может составлять от минимум 100 см3 до максимум 300 см3 на растение за один полив. Частота полива может составлять до 3 раз в день.

2.9 Выращивание томата в теплице на грунте

Это традиционный способ выращивания томата в теплице на грунтах, состоящих из смеси нескольких компонентов.

Для выращивания томатов грунт должен отвечать определенным требованиям: обладать высокой пористостью (65-75%), наименьшей влагоемкостью 45-50%, воздухоемкостью 20-25%, плотностью - 0,4-0,6 г/см2. Поэтому в состав грунта вводят компоненты, обладающие повышенной пористостью и водопроницаемостью.

Как правило, применяют следующее соотношение компонентов в тепличном грунте:

- легкие песчаные или супесчаные почвы - 20...30 % объема

- торф - 50...60 % объема - навозный компост - 20...30 % объема.

2.10 Технология выращивания томатов на грунтах

Перед началом выращивания проводят защитные мероприятия - обеззараживание теплицы и посевного материала.