Входные тесты (стр. 2 )

г)  число степеней свободы в равновесии С, число компонентов F и число фаз Р

5.  Правило фаз описанное количественным соотношением F=C-P+2 соблюдается, когда в качестве интенсивных переменных выбраны:

а)  давление, температура и состав

б)  давление, температура и гравитационное поле,

в)  давление, температура и магнитное поле.

г)  давление, температура и состав или гравитационное поле

6.  Независимыми переменными в уравнении Гиббса являются концентрация, температура и давление. Если давление постоянно, то уравнение примет вид

а)  F=C-P+1

б)  F=C+P+2

в)  F=C+P+1

г)  F=C-P-2

7.  Какое условие не является обязательным при выращивании монокристалл из вещества, находящегося в любом агрегатном состоянии:

а)  наличие ваккуума

б)  перевод системы в метастабильное состояние,

в)  наличие затравочного кристалла

г)  направленный теплоотвод.

8.  Геометрическое изображение равновесных фазовых состояний одно - или многокомпонентной термодинамической системы как функции параметров, определяющих эти состояния (концентрации, температуры, давления) называется:

а)  Диаграммой состояния системы

9.  Солидус – это

а)  геометрическое место точек конца кристаллизации всех сплавов, независимо от состава

б)  геометрическое место точек начала кристаллизации всех сплавов, независимо от состава

в)  кривая на диаграмме состояния сплавов, выше которой все сплавы, независимо от состава, находятся в газообразном состоянии

г)  кривая на диаграмме состояния сплавов, выше которой все сплавы, независимо от состава, находятся в жидком состоянии

10.  Ликвидус на диаграмме состояния сплавов – это

а)  геометрическое место точек начала кристаллизации всех сплавов, независимо от состава

б)  геометрическое место точек конца кристаллизации всех сплавов независимо от состава

в)  кривая, выше которой все сплавы, независимо от состава, находятся в двухфазном состоянии

г)  кривая, выше которой все сплавы, независимо от состава, находятся в твердом состоянии

11.  Диаграмма состояния для сплавов вида

а)  твердые растворы с неограниченной растворимостью обоих компонентов A и B в твердом состоянии

б)  механические смеси

в)  химические соединения

г)  твердые растворы с ограниченной растворимостью A в B в твердом состоянии

12.  Диаграмма состояния для сплавов вида

а)  механические смеси

б)  химические соединения компонентов A и B

в)  твердые растворы с ограниченной растворимостью обоих компонентов A и B в твердом состоянии

г)  твердые растворы с ограниченной растворимостью компонента B в A в твердом состоянии

Тема 2. Образование дефектов в кристаллах, растущих из расплава

1.  Какие из перечисленных дефектов тонкой структуры согласно существующей классификации являются одномерными

а)  дислокации

б)  вакансии

в)  примесные атомы

г)  пустоты

2.  Какие из перечисленных дефектов тонкой структуры согласно существующей классификации являются равновесными

а)  вакансии

б)  дислокации

в)  пустоты

г)  межзеренные границы

3.  Что из перечисленного неверно

а)  дефекты по Френкелю чаще встречаются в решетке, характеризуемой незначительным различием ионных радиусов катиона и аниона.

б)  дефект по Френкелю - атом, передвинутый с упорядоченного узла кристаллической решетки в междоузлие.

в)  дефект по Френкелю не оказывает на плотность кристалла существенного влияния.

г)  дефекты по Френкелю относятся к точечным дефектам

4.  Что из перечисленного неверно

а)  Дефекто по Шоттки повышает плотность кристалла

б)  Дефект по Шоттки - незанятый узел решетки, образуется в чистом виде, если атом из узла решетки переместить на поверхность кристалла.

в)  дефекты по Шоттки чаще встречаются в решетке, характеризуемой незначительным различием ионных радиусов катиона и аниона

г)  дефекты по Шоттки относятся к точечным дефектам

5.  Линейное несовершенство, образующее внутри кристалла границу зоны сдвига называют

а)  дислокацией

б)  вакансией

в)  пустотой

г)  межзеренной границей

6.  Величина и направление вектора Бюргерса

а)  полностью определяются видом дислокации.

б)  зависят от размеров контура и выбора точки начала контура,

в)  зависят от выбора точки начала контура и от размеров контура

г)  зависят от размеров контура и не зависят выбора точки начала контура

7.  Что из перечисленного верно

а)  У краевой дислокации вектор Бюргерса равен межатомному расстоянию и перпендикулярен дислокационной линии, у винтовой дислокации — параллелен ей.

б)  У краевой дислокации вектор Бюргерса равен удвоенному межатомному расстоянию и перпендикулярен дислокационной линии, у винтовой дислокации — параллелен ей.

в)  У краевой дислокации вектор Бюргерса равен межатомному расстоянию и параллелен дислокационной линии, у винтовой дислокации — перпендикулярен ей.

г)  У краевой дислокации вектор Бюргерса равен удвоенному межатомному расстоянию и параллелен дислокационной линии, у винтовой дислокации — перпендикулярен ей.

8.  Дислокация имеющая одновременно краевые и винтовые компоненты, называется

а)  смешанной дислокацией

9.  В кристаллах, выращенных методом Чохральского, плотность дислокаций выше

а)  в осевой части кристалла и у краев

б)  только в осевой части кристалла

в)  только у краев кристалла

г)  только у затравки

10.  В кристаллах германия, выращенных методом Чохральского,

а)  плотность дислокаций увеличивается при увеличении температурного градиента в кристалле

б)  плотность дислокаций уменьшается при увеличении температурного градиента в кристалле

в)  плотность дислокаций увеличивается при уменьшении температурного градиента в кристалле

г)  плотность дислокаций уменьшается при уменьшении температурного градиента в кристалле

11.  Дефекты: точечные, дислокационные, двойниковые и другие, влияют

а)  на механические, оптические, электрические и магнитные свойства кристаллов

б)  только на механические свойства (прочность, пластичность, хрупкость)

в)  только на оптические свойства кристаллов,

г)  только на электрические и магнитные свойства кристалов

12.  Температура отжига определяется

а)  экспериментально, при этом она всегда остается ниже температуры образования кристалла

б)  теоретически, при этом она всегда остается ниже температуры образования кристалла

в)  экспериментально, при этом она всегда остается выше температуры образования кристалла

г)  теоретически, при этом она всегда остается выше температуры образования кристалла

Тема 3. Легирование полупроводниковых материалов

1.  Для оценки эффективности очистки веществ от примесей кристаллизацией из расплава служит коэффициент распределения определяемый соотношением (K ‑ коэффициент разделения, CS ‑ концентрации растворенного вещества в твердой фазе CL ‑ концентрации в жидкой фазе)

а) 

б) 

в) 

г) 

2.  Значение коэффициент распределения K может быть

а)  больше или меньше 1

б)  больше 1

в)  меньше 1

г)  только равным 1

3.  Если примесь понижает температуру плавления вещества, то

а)  K < 1

б)  K > 1

в)  K = 1

г)  K = 0

4.  Если примесь повышает температуру плавления вещества, то

а)  K > 1

б)  K < 1

в)  K = 1

г)  K = 0

5.  Различают следующие коэффициенты распределения.

а)  равновесный и эффективный

б)  неравновесный и эффективный

в)  равновесный и неравновесный

г)  равновесный, неравновесный и эффективный

6.  Эффект разделения компонентов смеси в каждый момент равновесия между кристаллом и расплавом характеризуют с помощью

а)  равновесного коэффициента распределения K0

б)  неравновесного коэффициента распределения K0

в)  эффективного коэффициента распределения K0

г)  равновесного и эффективного коэффициента распределения K0

7.  В неравновесных условиях связь между концентрациями примеси в твердой и жидкой фазах определяется с помощью

а)  эффективного коэффициента распределения K

б)  равновесного коэффициента распределения K