в) неравновесного коэффициента распределения K
г) равновесного и эффективного коэффициента распределения K
8. Химический элемент, перешедший в состав кристалла в процессе его производства как технологическая добавка называется
а) примесь
9. Добавление в состав материалов примесей для изменения (улучшения) физических и химических свойств основного материала называется
а) легирование
10. Фактическая скорость выращивания кристалла в методе Чохральского
а) больше скорости перемещения штока с затравкой
б) меньше скорости перемещения штока с затравкой
в) равна скорости перемещения штока с затравкой
11. В реальных условиях фронт кристаллизации движется
а) со скоростью большей, чем скорость диффузии примесей в расплаве.
б) со скоростью меньшей, чем скорость диффузии примесей в расплаве.
в) со скоростью равной скорости диффузии примесей в расплаве.
12. радиационный (или трансмутационного) метод легирования относится к
а) легирование уже выращенных кристаллов;
б) легирование кристаллов в процессе выращивания из жидкой фазы;
в) легирование кристаллов в процессе выращивания из газовой фазы.
Тема 4. Выращивание кристаллов
1. Что из перечисленного не верно
а) в методе Чохральского нет возможности извлечения кристалла из расплава на любом этапе выращивания
б) в методе Чохральского отсутствует прямой контакт между стенками тигля и растущим монокристаллом
в) метод Чохральского позволяет заведомо задавать геометрическую форму растущего монокристалла путем варьирования температуры расплава и скорости вытягивания
г) метод Чохральского относится к методам с неограниченным объемом расплава
2. В методе Чохральского для устранения неоднородного распределению примесей в монокристаллах, возникающего вследствие сложных гидродинамических потоков
а) вращают растущий монокристалл и тигель в противоположных направлениях
б) вращают растущий монокристалл и тигель в одном направление
в) вращают растущий монокристалл, оставляя тигель неподвижным
г) вращают тигель, оставляя растущий монокристалл неподвижным
3. Тепловой узел включает в себя: 1) подставку для тигля, 2) тигель, 3) нагреватель, 4) систему экранов.
а) 1, 3, 4
б) 3, 4
в) 1, 2, 3 ,4
г) 2, 3, 4
4. Выберите верное утверждение
а) при выращивании монокристаллов с открытой экранировкой в зоне кристаллизации создаются более высокие температурные градиенты, чем при выращивании в закрытой системе.
б) при выращивании монокристаллов с открытой экранировкой в зоне кристаллизации создаются более низкие температурные градиенты, чем при выращивании в закрытой системе.
в) при выращивании монокристаллов с открытой экранировкой в зоне кристаллизации создаются такие же температурные градиенты, как и при выращивании в закрытой системе.
5. Какой из перечисленных источников нагрева относится к лучевым
а) лазерный
б) омический,
в) высокочастотный,
г) плазменный
6. Какой из перечисленных источников нагрева относится к нелучевым
а) плазменный
б) электронно-лучевой,
в) лазерный
г) оптический.
7. Какие из перечисленных источников нагрева наиболее часто применяются при выращивание монокристаллов методом Чохральского
а) омический, высокочастотный
б) лазерный, высокочастотный
в) омический, электронно-лучевой
г) электронно-лучевой, лазерный
8. При выращивание монокристаллов Ge методом Чохральского, в качестве материала для изготовления омического нагревателя, наиболее часто применяется
а) графит
б) вольфрам
в) платинородиевый сплав
г) медь
9. В какой из перечисленных сред нельзя применять графитовый нагреватель
а) окислительная
б) вакуум
в) инертная,
г) восстановительная
10. В ростовых установках температурное поле формируется
а) нагревателем и тепловыми экранами
б) нагревателем и тиглем
в) тепловыми экранами
г) тиглем и тепловыми экранами
11. Пирометрический метод контроля диаметра растущего монокристалла основан на
а) изучении изменения цвета излучения в зависимости от температуры.
б) изучении зависимости амплитуды и длительности видеосигнала от яркости и размеров наблюдаемого объекта
в) изучении зависимости амплитуды и длительности видеосигнала от температуры
г) изучении изменения цвета излучения в зависимости от яркости и размеров наблюдаемого объекта
12. При телевизионном методе контроля, в случае, если на поверхности расплава образуется оптически непрозрачный слой, для его просвечивания используется
а) рентгеновское излучение
б) ультрафиолетовое излучение
в) инфракрасное излучение
г) ультразвуковое излучение
Итоговое тестирование
1. Наиболее эффективное воздействие на диаметр растущего кристалла дает
а) изменение скорости вытягивания кристалла и температуры расплава
б) изменение скорости вращения кристалла и температуры расплава
в) изменение скорости вытягивания и вращения кристалла
г) изменение скорости вытягивания кристалла и вращения расплава
2. Сосуды, заключающие расплав, называются
а) Тиглями
3. Какое из перечисленных ниже требований к материалу тигля для выращивания монокристалла является неверным
а) должен смачиваться
б) должен обладать термической прочностью
в) должен обладать механической прочностью
г) не должен давать химических реакций
4. Какие из перечисленных ниже тигельных материалов применяются для выращивания монокристаллов Ge
а) графит
б) стекло
в) платина
г) окись алюминия
5. Графитовый тигель в отсутствие кислорода применим вплоть до
а) 2500°С
б) 1500°С
в) 1200°С
г) 1850°С
6. Форма и совершенство выращенного кристалла в первую очередь определяются
а) тепловыми градиентами по диаметру тигля в непосредственной близости от затравки и градиентами, перпендикулярными границе роста.
б) тепловыми градиентами по периметру тигля в непосредственной близости от затравки и градиентами, перпендикулярными границе роста.
в) тепловыми градиентами по диаметру тигля в непосредственной близости от затравки и градиентами, параллельными границе роста.
г) тепловыми градиентами по периметру тигля в непосредственной близости от затравки и градиентами, параллельными границе роста.
7. Если основной тепловой поток входит в растущий кристалл снизу, а радиальный тепловой поток незначителен, изотермы будут
а) перпендикулярными направлению роста
б) параллельны направлению роста
в) под углом 45° к направлению роста
8. Для получения кристаллов с низкой концентрацией дефектов нужно на протяжении всего процесса выращивания границу раздела кристалл – расплав сохранять
а) плоской
б) выпуклой
в) вогнутой
9. При выращивании в вакууме методом Чохральского тепловые потери вдоль кристалла осуществляются главным образом за счет
а) теплопроводности
б) конвекционного переноса
в) радиации
г) теплопроводности и радиации
10. При выращивании в вакууме методом Чохральского тепловые потери с поверхности расплава осуществляются главным образом за счет
а) радиации
б) теплопроводности
в) конвекционного переноса
г) теплопроводности и радиации
11. Выдержку расплава непосредственно перед началом выращивания кристалла при температуре несколько выше температуры плавления проводят для
а) очистки расплава от ряда летучих примесей
б) предотвращения термоудара затравки
в) создания метастабильного состояния
12. Величина термоудара в затравках малого сечения
а) меньше, чем в затравках большого сечения
б) больше, чем в затравках большего сечения
в) равна величине в затравках большего сечения
13. Прогрев затравки путем выдержки ее над расплавом при возможно более высоких температурах производят для
а) предотвращения термоудара затравки
б) очистки затравки от ряда летучих примесей
в) создания метастабильного состояния
14. Термоудар затравки приводит к существенному увеличению в ней плотности
а) дислокаций
б) вакансий
в) дырок
г) зерен
15. Затравки вырезают из монокристаллов
а) с минимальной плотностью дислокаций
б) с максимальной плотностью дислокаций
в) с минимальной плотностью вакансий
г) с максимальной плотностью вакансий
16. После перегрева затравки конец ее погружают в перегретый расплав и частично оплавляют с целью
а) удаления поверхностных дефектов и загрязнений
б) предотвращения термоудара затравки
в) создания метастабильного состояния
17. При формировании шейки монокристалла ее диаметр
а) не должен превышать линейного размера поперечного сечения затравки, а длина должна составлять несколько ее диаметров
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 |
