Входные тесты
1. Самым распространённым в природе полупроводником является
а) Кремний Si
б) Германий Ge
в) Селен Se
г) Мышьяк As
2. Какой из перечисленных ниже химических элементов не является полупроводником
а) Кремний Si
б) Германий Ge
в) Селен Se
г) Золото Au
3. К какой группе полупроводников относится германий Ge
а) IV
4. Укажите правильное утвержение
а) С ростом ширины Ез число электронно-дырочных пар и проводимость собственного полупроводника уменьшается, а удельное сопротивление возрастает.
б) С ростом ширины Ез число электронно-дырочных пар и проводимость собственного полупроводника увеличивается, а удельное сопротивление убывает.
в) С ростом ширины Ез число электронно-дырочных пар и проводимость собственного полупроводника уменьшается, а удельное сопротивление не изменяется.
г) С ростом ширины Ез число электронно-дырочных пар, проводимость собственного полупроводника и удельное сопротивление уменьшается.
5. В полупроводниках с собственной проводимостью концентрация свободных электронов
а) равняется концентрации «дырок»
б) может быть меньше концентрации «дырок»
в) может быть больше концентрации «дырок»
г) может быть, как больше, так и меньше концентрации «дырок»
6. Примеси, которые добавляют в полупроводники, вследствие чего они превращаются в полупроводники n-типа, называются
а) донорными
7. Примеси, которые добавляют в полупроводники, вследствие чего они превращаются в полупроводники p-типа, называются
а) Акцепторными
8. Частота определяющая край оптического поглощения для полупроводников, которые зачастую применяются в электронике (кремний, германий, арсенид галлия) лежит в
а) инфракрасной области спектра.
б) видимой области спектра.
в) ультрафиолетовой области спектра.
г) рентгеновской области спектра.
9. Превращения вещества из одного состояния в другое при соответствующих термодинамических условиях, которые сопровождаются возникновением границы раздела двух фаз, характеризующиеся скачком теплосодержания Q и обращением теплоемкости в бесконечность, называются
а) фазовыми переходами первого рода.
10. Метод выращивания Чохральского заключается в
а) выращивание монокристалла из расплава
б) выращивание монокристалла из раствора
в) выращивание монокристалла из паров
г) кристаллизации из твердого состояния
11. Температура плавления германия составляет
а) 1210 K
б) 1688 K
в) 904 K
г) 722 K
12. Геометрическое изображение равновесных фазовых состояний одно - или многокомпонентной термодинамической системы как функции параметров, определяющих эти состояния (концентрации, температуры, давления) называется:
а) Диаграммой состояния системы
13. Какое условие не является обязательным при выращивании монокристалл из вещества, находящегося в любом агрегатном состоянии:
а) наличие ваккуума
б) перевод системы в метастабильное состояние,
в) наличие затравочного кристалла
г) направленный теплоотвод.
14. Нарушения идеальной трансляционной симметрии кристалла называются структурными
а) дефектами.
15. Температурное воздействие на выращенный кристалл при соответствующих условиях называется
а) отжиг
б) закалка
в) рекристаллизация
г) старение
16. Какой из перечисленных источников нагрева относится к лучевым
а) лазерный
б) омический,
в) высокочастотный,
г) плазменный
17. Действие термопары основано на
а) возникновении э. д.с. в местах контакта (спая) двух проводников различного состава и э. д.с. в проводнике, концы которого поддерживаются при разных температурах.
б) возникновении э. д.с. в местах контакта (спая) двух проводников различного состава и э. д.с. в проводнике, концы которого поддерживаются при одинаковых температурах.
в) возникновении э. д.с. в местах контакта (спая) двух проводников одинакового состава и э. д.с. в проводнике, концы которого поддерживаются при разных температурах.
г) возникновении э. д.с. в местах контакта (спая) двух проводников одинакового состава и э. д.с. в проводнике, концы которого поддерживаются при одинаковых температурах.
18. Химический элемент, перешедший в состав кристалла в процессе его производства как технологическая добавка называется
а) примесь
19. Добавление в состав материалов примесей для изменения (улучшения) физических и химических свойств основного материала называется
а) легирование
20. Среду, содержащую газ при давлениях значительно ниже атмосферного называют
а) вакуум
21. Перенос тепловой энергии в вакууме происходит
а) лишь за счёт теплового излучения,
б) лишь за счёт конвекции
в) лишь за счёт теплопроводности
г) за счёт теплового излучения, конвекции и теплопроводности
22. Отдельный однородный кристалл, имеющий непрерывную кристаллическую решётку и характеризующийся анизотропией свойств, называется
а) монокристалл
б) поликристалл
в) кристаллит
23. Переход вещества из жидкой в твердую фазу называется
а) кристаллизацией
б) конденсацией
в) сублимацией
г) возгонкой
24. Германий обладает структурой кристаллической решетки типа
а) Алмаз
25. Для определения удельного сопротивления германия используют
а) четырехзондовый метод
б) селективное травление
в) ультразвуковой метод
г) рентгеноструктурный анализ
26. С точки зрения зонной теории проводимости материалы подразделяются на (указать неверное утверждение):
а) диэлектрики,
б) полупроводники,
в) проводники,
г) сверхпроводники.
27. Выращивание монокристаллов германия методом Чохральского ведут
а) в вакууме или в защитной атмосфере
б) в вакууме или на воздухе
в) в вакууме, в защитной атмосфере или на воздухе,
г) в защитной атмосфере или на воздухе
28. Какие из перечисленных примеров не являются гетерогенными системами:
а) смесь газов
б) насыщенный раствор в присутствии избытка растворенного вещества
в) жидкость в равновесии со своим паром
г) две несмешивающиеся жидкости
29. Форма и совершенство выращенного кристалла в первую очередь определяются
а) тепловыми градиентами по диаметру тигля в непосредственной близости от затравки и градиентами, перпендикулярными границе роста.
б) тепловыми градиентами по периметру тигля в непосредственной близости от затравки и градиентами, перпендикулярными границе роста.
в) тепловыми градиентами по диаметру тигля в непосредственной близости от затравки и градиентами, параллельными границе роста.
г) тепловыми градиентами по периметру тигля в непосредственной близости от затравки и градиентами, параллельными границе роста.
30. Выберите правильные этапы роста монокристалла
а) затравление, разращивание, выход на заданный диаметр, рост монокристалла, отрыв
б) затравление, выход на заданный диаметр, разращивание, рост монокристалла, отрыв
в) затравление, разращивание, рост монокристалла, выход на заданный диаметр, отрыв
г) затравление, рост монокристалла, разращивание, выход на заданный диаметр, отрыв
Тесты для промежуточного и итогового контроля
Тема 1. Фазовые равновесия в полупроводниковых системах
1. Под фазой понимают:
а) часть системы, гомогенную на всем своем протяжении и физически отделенную от других фаз четкими границами.
б) часть системы, гомогенную на всем своем протяжении, физически не отделенную от других фаз четкими границами.
в) часть системы, гетерогенную на всем своем протяжении и физически отделенную от других фаз четкими границами.
г) всю систему, гетерогенную на всем своем протяжении и физически не отделенную от других фаз четкими границами.
2. Число компонентов системы – это
а) минимальное число химических составляющих, которое нужно выделить для описания состава всех присутствующих фаз.
б) максимальное число химических составляющих, которое нужно выделить для описания состава всех присутствующих фаз.
в) минимальное число физических составляющих, которое нужно выделить для описания состава всех присутствующих фаз.
г) максимальное число физических составляющих, которое нужно выделить для описания состава всех присутствующих фаз.
3. Переменная, не зависящая от количества присутствующей фазы называется
а) Интенсивная
4. Количественное соотношение, называемое правилом фаз, которое вывел Гиббс, выражает связь между числом степеней свободы в равновесии, числом компонентов и числом фаз в виде F=C-P+2, где
а) число степеней свободы в равновесии F, число компонентов С и число фаз Р
б) число степеней свободы в равновесии Р, число компонентов С и число фаз F
в) число степеней свободы в равновесии F, число компонентов Р и число фаз С
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 |
