б) должен превышать линейного размера поперечного сечения затравки, а длина должна составлять несколько ее диаметров.
в) не должен превышать линейного размера поперечного сечения затравки, а длина должна равняться ее диаметру
г) должен превышать линейного размера поперечного сечения затравки, а длина должна равняться ее диаметру
18. Перед отрывом диаметр кристалла для предотвращения теплового удара
а) плавно уменьшают, создавая обратный конус
б) плавно увеличивают, создавая конус
в) не изменяют
19. Охлаждение выращенного монокристалла после отрыва производят
а) достаточно медленно подняв на небольшое расстояние над расплавом и медленно снижения температуру нагревателя.
б) достаточно быстро подняв на большое расстояние над расплавом и медленно снижения температуру нагревателя.
в) достаточно медленно подняв на небольшое расстояние над расплавом и быстро снижения температуру нагревателя.
г) достаточно быстро подняв на небольшое расстояние над расплавом и быстро снижения температуру нагревателя.
20. Конус отрыва формируют путем
а) увеличения температуры расплава или увеличения скорости подъема кристалла
б) уменьшения температуры расплава или уменьшения скорости подъема кристалла
в) уменьшения температуры расплава или увеличения скорости подъема кристалла
г) увеличения температуры расплава или уменьшения скорости подъема кристалла
21. При выращивание монокристалла затравка должна быть ориентирована так, чтобы плоскости наиболее легкого движения дислокаций располагались
а) под возможно большими углами к направлению роста кристалла
б) под возможно меньшими углами к направлению роста кристалла
в) под углами строго 90° к направлению роста кристалла
г) под углами строго 30° к направлению роста кристалла
22. В выращиваемом монокристалле при увеличении градиентов температуры
а) возрастают термические напряжения и плотность дислокаций
б) убывают термические напряжения и плотность дислокаций
в) возрастают термические напряжения, при этом плотность дислокаций убывает
г) убывают термические напряжения, при этом плотность дислокаций возрастает
23. Уменьшение градиента температуры в расплаве
а) приводит к увеличению скорости выращивания кристалла
б) приводит к уменьшению скорости выращивания кристалла
в) не влияет на скорость выращивания кристалла
24. При больших скоростях выращивания фронт кристаллизации
а) вогнутый в сторону затравки,
б) вогнутый в сторону расплава
в) плоский
25. Среду, содержащую газ при давлениях значительно ниже атмосферного называют
а) вакуум
26. Перенос тепловой энергии в вакууме происходит
а) лишь за счёт теплового излучения,
б) лишь за счёт конвекции
в) лишь за счёт теплопроводности
г) за счёт теплового излучения, конвекции и теплопроводности
27. Переход вещества из жидкой в твердую фазу называется
а) кристаллизацией
б) конденсацией
в) сублимацией
г) возгонкой
28. Жидкая система (раствор или расплав), находящаяся при данном давлении в равновесии с твёрдыми фазами, число которых равно числу компонентов системы называется
а) эвтектикой
29. Температура кристаллизации эвтектики обозначаемая на фазовой диаграмме называется
а) эвтектической точкой
30. Для определения удельного сопротивления германия используют
а) четырехзондовый метод
б) селективное травление
в) ультразвуковой метод
г) рентгеноструктурный анализ
31. При уменьшении скорости вытягивания монокристалла из расплава
а) диаметр кристалла увеличивается
б) диаметр кристалла уменьшается
в) диаметр кристалла не изменяется
32. При увеличении мощности нагревателя в процессе роста
а) диаметр кристалла уменьшается
б) диаметр кристалла увеличивается
в) диаметр кристалла не изменяется
33. Выращивание монокристаллов германия методом Чохральского ведут
а) в вакууме или в защитной атмосфере
б) в вакууме или на воздухе
в) в вакууме, в защитной атмосфере или на воздухе,
г) в защитной атмосфере или на воздухе
34. На участке контроля травление пластины проводят с целью определения:
а) плотности дислокаций;
б) удельного сопротивления;
в) подвижности неосновных носителей.
35. На рисунке приведено влияние скорости выращивания и температуры расплава на диаметр монокристалла и высоту столбика расплава в подкристальной области при стационарном режиме (а) и режимах вытягивания (б, в). Если V1 скорость выращивания, Т1 температура расплава, h1 диаметр монокристалла для стационарного режима (а), то
а) кристалл подрезается (б) Т2 > Т1 или V2 > V1; кристалл разращивается (в) Т3 < Т1 или V3 < V1
б) кристалл подрезается (б) Т2 > Т1 или V2 < V1; кристалл разращивается (в) Т3 > Т1 или V3 < V1
в) кристалл подрезается (б) Т2 < Т1 или V2 > V1; кристалл разращивается (в) Т3 < Т1 или V3 > V1
г) кристалл подрезается (б) Т2 < Т1 или V2 < V1; кристалл разращивается (в) Т3 > Т1 или V3 > V1
36. К наклону фронта кристаллизации относительно поверхности расплава в методе Чохральского приводит
а) нарушение симметрии теплового поля вокруг растущего кристалла
б) плохая центровка кристалла относительно тигля с расплавом,
в) нестабильность скоростей перемещения кристалла
г) колебания температуры нагревателей
37. В качестве материала для изготовления индуктора системы высокочастотного нагрева наиболее часто применяется
а) медь
б) графит
в) вольфрам
г) платинородиевый сплав
38. Действие термопары основано на
а) возникновении э. д.с. в местах контакта (спая) двух проводников различного состава и э. д.с. в проводнике, концы которого поддерживаются при разных температурах.
б) возникновении э. д.с. в местах контакта (спая) двух проводников различного состава и э. д.с. в проводнике, концы которого поддерживаются при одинаковых температурах.
в) возникновении э. д.с. в местах контакта (спая) двух проводников одинакового состава и э. д.с. в проводнике, концы которого поддерживаются при разных температурах.
г) возникновении э. д.с. в местах контакта (спая) двух проводников одинакового состава и э. д.с. в проводнике, концы которого поддерживаются при одинаковых температурах.
39. Величина э. д.с. термопары определяется
а) природой металла и разностью температур между холодным и горячим спаями и не зависит от длины проводов
б) природой металла и разностью температур между холодным и горячим спаями и зависит от длины проводов
в) природой металла и не зависит от длины проводов
г) разностью температур между холодным и горячим спаями и зависит от длины проводов
40. При градуировке термопары холодный спай должен поддерживаться при температуре
а) 0° С.
б) 20° С
в) 25° С
г) 100° С
41. Какие из перечисленных термопар пригодны для измерения температур выше 1200° С
а) платина-платинородиевые
б) хромель-алюмелевые
в) хромель-капелевые
г) все не пригодны
42. Способ постоянного взвешивания монокристалла применим в системах
а) с открытой и закрытой экранировкой
б) только с открытой экранировкой
в) только с открытой экранировкой
43. Телевизионный метод контроля диаметра растущего монокристалла основан на
а) изучении зависимости амплитуды и длительности видеосигнала от яркости и размеров наблюдаемого объекта
б) изучении изменения цвета излучения в зависимости от температуры.
в) изучении зависимости амплитуды и длительности видеосигнала от температуры
г) изучении изменения цвета излучения в зависимости от яркости и размеров наблюдаемого объекта
44. Температурное воздействие на выращенный кристалл при соответствующих условиях называется
а) отжиг
б) закалка
в) рекристаллизация
г) старение
45. Все изменения, происходящие в материале, за исключением тех, которые связаны с движением границ зерен называют
а) возврат
б) закалка
в) рекристаллизация
г) старение
46. После механической обработки механические напряжения в материале подразделяют на
а) 3 типа:
б) 2 типа
в) 4 типа
г) 5 типов
47. Что из перечисленного верно
а) размер области напряжений I рода много больше размера зерен, и они возникают обычно после кристаллизации расплава
б) размер области напряжений I рода порядка размера зерен и они возникают, как правило при фазовых превращениях
в) размер области напряжений I рода много меньше размера зерен, и они возникают обычно после кристаллизации расплава
г) размер области напряжений I рода много больше размера зерен, и они возникают, как правило при фазовых превращениях
48. Что из перечисленного верно
а) размер области напряжений II рода порядка размера зерен и они возникают, как правило при фазовых превращениях
б) размер области напряжений II рода много больше размера зерен, и они возникают обычно после кристаллизации расплава
в) размер области напряжений II рода порядка размера зерен и они возникают обычно после кристаллизации расплава
г) размер области напряжений II рода много больше размера зерен, и они возникают, как правило при фазовых превращениях
49. Что из перечисленного верно
а) размер области напряжений III рода много меньше размера зерен, и они возникают под действием деформации в результате сдвига дислокаций
б) размер области напряжений III рода порядка размера зерен, и они возникают под действием деформации в результате сдвига дислокаций
в) размер области напряжений III рода много больше размера зерен, и они возникают под действием деформации в результате сдвига дислокаций
г) размер области напряжений III рода много меньше размера зерен, и они возникают, как правило при фазовых превращениях
50. Механические напряжения в материале снимают обычно
а) отжигом
б) закалкой
в) рекристализацией
г) старением
51. Что из перечисленного не верно
а) механические напряжения в материале снимают обычно закалкой
б) необходимая температура отжига различна для напряжений I, II, III рода
в) динамику снятия напряжений обычно контролируют, измеряя какое-либо структурно чувствительное свойство
г) при выделении 2-й фазы внутри зерен возникают напряжения III рода
52. Перевод материала в метастабильное состояние путем нагрева его до температуры выше температуры фазового перехода для данного состава материала и быстрого охлаждения называют
а) закалкой
б) рекристализацией
в) старением
г) отжигом
53. При длительной выдержке закаленного материала при комнатной температуре он будет стремиться перейти в равновесное состояние. Этот процесс называется
а) естественным старением материала
54. Движущаяся граница между твердой и жидкой фазами называется
а) фронтом кристаллизации.
55. Солидус – сплошная прямая линия на диаграмме состояния сплавов вида
а) механические смеси
б) химические соединения
в) твердые растворы с ограниченной растворимостью обоих компонентов в твердом состоянии
г) твердые растворы с неограниченной растворимостью обоих компонентов в твердом состоянии
56. Дана диаграмма состояния простой бинарной системы типа АВ с эвтектикой. Укажите линию ликвидуса.
а) ТАЕТВ
б) MEN
в) ТАЕ
г) ЕТВ
57. Дана диаграмма состояния простой бинарной системы типа АВ с эвтектикой (использовать диаграмму из предыдущего вопроса). Укажите линию солидуса.
а) MEN
б) ТАЕТВ
в) ТАЕ
г) ЕТВ
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 |
