Мощные высокочастотные транзисторы (стр. 35 )

13.  Отказы ВЧ транзисторов, которых не должно быть. — Электро­ника, 1977, № 10, с. 99 — 101.

14.  Sze S. М., Gibbons G. Effect of junction curvature on breakdown voltage in semiconductors. — Solid State Electronics, 1966, v 9r № 9, p. 831 — 845.

15.  Kao, Уоллей. Высоковольтные планарные р-п переходы — ТИИЭИР, 1967, № 8, с. 183 — 189.

16.  Adler М. S., Temple V. А. К., Ferr A. P., Rustav R. С. Theory and breakdown voltage for planar devices with a signle field limiting ring. — IEEE Transactions, 1977, v. ED-24, № 2, p. 107 — 113.

17.  Альтман. Состояние и перспективы развития дискретных полу-проводниковых приборов. — Электроника, 1973, № 9, с. 85 — 94.

18.  Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия: Пер. с англ./ Под ред. и . — М.: Мир, 1969. — 451 с.

19.  3., Пресс технология кремниевых приборов. — М.: Энергия, 1974. — 384 с.

20.  Пресс в производстве полупроводниковых приборов. — М.: Энергия, 1968. — 200с.

21.  Мощный охлаждаемый водой ВЧ транзистор. — Электроника, 1982, № 17, с. 20 — 21.

22.  Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах/ Под ред. , . — М.: Сов. радио, 1973. — 462 с.

23.  Линде устройства. — М.: Энергия, 1969. — 680 с.

24.  Транзисторы. Параметры, методы измерений и испытаний/ и др.; Под ред. II. Г. Бергельсона, , . — М.: Сов. радио, 1968. — 504 с.

25.  , Федотов и исследования полу­проводниковых приборов. — М.: Высшая школа, 1975. — 325 с.

26.  Choma G. High frequency breakdown in diffused transistors — IEEE Transactions, 1971, v. ED-18, № 6, p. 347 — 349.

27.  аксимальное напряжение на коллекторе мощно­го ВЧ транзистора. — ТИИЭИР, 1969, т. 57, № 10, с. 150.

28.  ысокочастотные мощные транзи­сторы. — Электроника, 1971, т. 44, № 19, с. 58.

29.  , Миркин методики измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности мощ­ных ВЧ транзисторов. — Электронная техника. Сер. 2, 1974, вып. 3, с. 51 — 64.

30.  , Миркин измерения сопротивле­ния нагрузки в узкополосном усилителе. — Электронная техника Сер. 2, 1977, вып. 7, с. 59 — 66.

31.  , Миркин входных импедансов мощных транзисторов в области ВЧ. — Электронная техника. Сер. 2, 1979, вып. 3, с. 82 — 89.

32.  , Миркин РВых, /Сур, М3 мощ­ных транзисторов. — Электронная промышленность, 1973 вып. 7/21, с. 42 — 43.

33 , , Пивторак -пласти­ческие деформации в многослойных паяных соединениях полу­проводниковых приборов при циклических теплосменах. — Авто­матическая сварка, 1974, № 3, с. 33 — 36.

34.  Lang G. A., Feder В. J., Williams W. D. Thermal-fatigue in Si power transistors. — IEEE Transactions, 1970, v. ED-17, № 9.

35.  Reich B. A study of accelerated storage test conditions applicable to semiconductor devices and microcircuits. — IEEE Transactions 1978, v. R-27, № 3, p. 178 — 180.

36.  Beatty B. A. et al. Second breakdown in power transistors due to avalanche injection. — IEEE Transactions, 1977, v. ED-24, Л° 6.

37.  Bennett W. P., Kumbatowic R. A. Power and energy limitations of bipolar transistors imposed by thermal-mode and current-mode second breakdown mechanisms. — IEEE Transactions 1981 v. ED-28, № 10, p. 1154 — 1162.

38.  Poole W. E. Electromigration in microwave power transistors. — Microelectronics, 1973, v. 5, № 1, p. 40.

39.  Ca Combe D. J., Naster R. J., Carroll J. E. A study of the reliability of microwave transistors. — IEEE Transactions Part. Hyb­rid and Packag, 1977, v. 13, № 4, p. 354 — 361.

40.  Sommer N. D., Feucht D. L., Heckel R. W. Reliability and ther­mal impedance studies in soft-soldered power transistors. — IEEE Transactions, 1976, v. ED-23, № 8, p. 843 — 850.

41.  Learn A. J., Shephard W. H. Reduction of electromigration-induced failure in aluminum metallization through anodization. — IEEE 9th annual reliability symposium, 1971, p. 129 — 134.

42.  Ainslie N. G., d'Heurle F. M., Wells О. С. Coating, mechanical con­straints and pressure effects on electromigration. — Appl. Phys. Letters, 1972, v. 19, p. 173 — 174.

43.  Ames I., d'Heurle F. M., Horstmann R. E. Reduction of electro-migration in aluminum films by copper doping. — IBM Journ. of Res. and Development, 1970, v. 14, p. 461 — 465.

44.  Garbonshain V. Gold: the new standard in transistor reliability. — Microwaves, 1972, v. 4, № 7, p. 54 — 55.

45.  Tadetoshi Nazaki, Hidekazu ppression of mobile ion related instability in Mo-gate MOS-structures. — Journ. of Electrochem. Society, 1981, v. 128, № 1, p. 175 — 179.

46.  Каганов радиопередатчики. — М.: Энергия, 1976. — с. 75 — 261, 337 — 423.

47.  Радиопередающие устройства/ Под ред. . — М.: Радио и связь, 1982. — с. 107 — 125.

48.  Широкополосные радиопередающие устройства/ Под ред. . — М.: Связь, 1978. — с. 73 — 175.

49.  Ромаш вторичного электропитания радиоэлек­тронной аппаратуры. — М.: Радио и связь, 1981. — с. 139 — 176.

50.  , 3., О влиянии индуктивности в цепи базы на процесс выключения высоковольт­ных транзисторов в каскадах строчной развертки. — Радиотехни­ка, 1975, т. 30, № 11, с. 101 — 104.

51.  Бела Буна. Электроника на автомобиле. — М.: Транспорт, 1979.

52.  Радиопередающие устройства/ Под ред. , . — М.: Радио и связь, 1982, с. 135 — 153.

53.  Завражнов усилителей мощности на полевых транзисторах. — Радиотехника, 1983, № 6, с. 29 — 32.

54.  Завражнов входной импеданс транзистора в схеме усилителя мощности. — Электронная техника. Сер. 2, 1978, вып. 3, с. 14 — 23.

55.  , Корчажкина широкопо­лосных согласующе-трансформирующих цепей с помощью ЭВМ/ Под ред. . — М.: МЭИ, 1982, с. 3 — 96.

56.  Устройства сложения и распределения мощностей высокочастот­ных колебаний/ Под ред. 3. И. Моделя. — М.: Сов. радио, 1980.

57.  Степаненко теории транзисторов и транзисторных схем. — М.: Энергия, 1977, с. 226 — 233.

58.  , Дмитриев коэффициентов для рас чета нелинейных искажений транзисторных каскадов. — Техника средства связи. Сер. Техника радиосвязи, 1979, вып. 7, с. 141.

59.  , Пупыкин полупроводниковых приборов для усилителей мощности радиопередатчиков подвиж­ных средств связи. — Средства связи, 1982, № 3, с. 22 — 25.

60.  , , Козырев построе­ния усилителей однополосных транзисторных радиопередатчиков. — Электросвязь, 1976, № 10, с. 47 — 55.

61. , Никифоров усилители мощ­ности. — М.: Энергия, 1978, с. 278 — 301.

62. Проектирование радиопередающих устройств/ Под ред. . — М.: Связь, 1976. — 432 с.

63. А. с. 936380 (СССР). Двухтактный усилитель мощности (его ва­рианты)/ , , Кравец . в Б. И., 1982, № 22.

64. Пат. 1586550 (Франция). Berman L., Cheillan J. Dispositif ampli-ficateur de puissance a rendement ameliore.

65. Красилич полупроводникового вентиля. — Известия вузов СССР. Радиоэлектроника, № 3, с. 86.

66. Радиопередатчик с низким уровнем нежелательных колебаний/ , , и др. Техника средств связи. Сер. Техника радиосвязи, 1983, вып. 4, с. 83 — 92.

67. Пути снижения шумовых излучений радиопередатчика. — В кн.: Полупроводниковая электроника в технике связи/ Под ред. . — М.: Радио и связь, 1983, вып. 23.

68.  Завражнов амплитудная модуляция в тран­зисторных радиопередатчиках. — Электросвязь, 1978, № 7.

69.  , Чугаев схемы включения тран­зистора в выходном каскаде радиопередатчика на уровень иска­жений обратной взаимной модуляции. — Техника средств связи. Сер. Техника радиосвязи, 1976, вып. 4, с. 123 — 130.

70.  Ku W. H., Frickson J. Е., Rabe R. E., Slasholtz G. L. Design tech­niques and intermodulation analysis of broad-band solid-state po­wer amplifiers. — IEEE Transactions, 1977, v. EMC-19, № 2.

71.  A. c. 964797 (СССР). Высокочастотный фильтр/ , , Пупыкин . в БИ, 1982, № 37.

72.  , , Волков направления в проектировании усилителей мощности радиопередатчиков. — Средства связи, 1982, вып. 3, с. 37 — 40.

73.  , Авралов автогенератора на поле­вом транзисторе. — Техника средств связи. Сер. Техника радио­связи, 1981, вып. 4, с. 32 — 41.

74.  Каганов автоматического регулирования в радио­передатчиках. — М.: Связь, 1969.

75.  Warren G., Petrovic V., Gosling W. Application of the polarloop technique to HF SSB transmitters. — Conf. Radio transmitt. and modul. techn, 1980, 24 — 25 March, p. 103 — 109.

76.  A. c. 440976 (СССР). Индикатор согласования передатчика с на­грузкой/ , Завалишина 3. В., Чугаев . в БИ., 1974, № 31.

77.  , Федотов стабилизация линейного режима работы транзисторного усилителя. — Радио­техника, 1974, т. 29, № 5, с. 96 — 100.

78.  А. с. 919048 (СССР). Усилитель с регулируемым коэффициентом передачи/ , Чугаев . в БИ 1982, № 13.

79.  , Волков регулировка усиле­ния в однополосном транзисторном радиопередатчике. — В кн.: Полупроводниковая электроника в технике связи/ Под ред. . — М.: Связь, 1976, вып. 17, с. 17 — 21.

80. Окснер полевые транзисторы и их применение: Пер. с англ. — М.: Радио и связь, 1985, с. 241.

ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие

ГЛАВА ПЕРВАЯ

ОСОБЕННОСТИ СТРУКТУРЫ МОЩНЫХ ВЧ ТРАНЗИСТОРОВ

1.1. Параметры

1.2: Электрофизические характеристики различных об­ластей транзисторной структуры

1.3. Выбор размеров и формы различных областей транзисторной структуры. Типы структур

Г ЛАВА ВТОРАЯ

ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ И КОНСТРУКЦИИ МОЩНЫХ ВЧ

ТРАНЗИСТОРОВ

2.1.  Особенности технологии изготовления кристаллов

2.2.  Требования к корпусам и особенности конструкции

2.3.  Особенности сборки

ГЛАВА ТРЕТЬЯ

ПАРАМЕТРЫ МОЩНЫХ ВЧ ТРАНЗИСТОРОВ И МЕТОДЫ ИХ

ИЗМЕРЕНИЯ

3.1.  Система электрических параметров

3.2.  Методы измерения статических параметров и ВЧ параметров малого сигнала

3.3.  Метод измерения - РЕых

3.4.  Метод измерения Kур и г|к

3.5.  Метод измерения Mz и М5

3.6.  Особенности измерения энергетических параметров линейных транзисторов

3.7.  Согласующие устройства

3.8.  Методика измерения гБ1

3.9.  Особенности аппаратуры для измерения энергети­ческих параметров

3.10.  Погрешности измерения энергетических парамет­ров

ГЛАВА ЧЕТВЕРТАЯ

НАДЕЖНОСТЬ МОЩНЫХ ВЧ ТРАНЗИСТОРОВ

4.1.  Основные виды и причины отказов....

4.2.  Конструктивные пути обеспечения надежности

4.3.  Технологические пути обеспечения надежности

4.4.  Устойчивость транзисторов к рассогласованию на­грузки

ГЛАВА ПЯТАЯ

НЕКОТОРЫЕ ВОПРОСЫ ПРИМЕНЕНИЯ МОЩНЫХ ВЧ ТРАН­ЗИСТОРОВ

5.1.  Общие сведения об устройствах на мощных ВЧ транзисторах

5.2.  Высокочастотные усилители мощности

5.3.  Усилители на основе мощных автогенераторов.

5.4.  Автоматика и управление в усилителях мощности

5.5.  Конструкция усилителей мощности

Список литературы

ББК 32.852.3

М 87 УДК 621.382.345

, , Е. 3. Мазель,

Мощные высокочастотные транзисторы/Ю. В. За-М 87 вражнов, , Е. 3. Мазель и др.; Под ред. Е. 3. Мазеля. — М.: Радио и связь, 1985. — 176 с., ил.

50 к.

Рассматриваются особенности работы мощных вы­сокочастотных транзисторов в линейном режиме. Изла­гаются вопросы конструирования, технологии транзисто­ров и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов.

Для инженерно-технических работников, занимаю­щихся разработкой и применением мощных высокоча­стотных транзисторов.

2403000000 — 033 М

046(01 )-85  108-85

Рецензенты доктор техн. наук Я. А. ФЕДОТОВ и инженеры И. Э. МАЧ, А. П. ГЕРАСИМЕНКО

Редакция литературы по электронной технике

ЮРИИ ВИКТОРОВИЧ ЗАВРАЖНОВ. ИРИНА ИЗРАИЛЬЕВНА КАГАНОВА, ЕВГЕНИИ ЗИНОВЬЕВИЧ МАЗЕЛЬ, АЛЬБЕРТ ИЗРАИЛЕВИЧ МИРКИН

МОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Редактор

Обложка художника

Художественный редактор

Технический редактор

Корректор

ИБ № 000

ББК 32.852.3 6Ф0.32

Сдано в набор 07.08.84

Т-24009

Гарнитура литературная

Усл. кр.-отт. 9,45

Изд. № 000

Формат 84 X 108/32

Печать высокая Уч.-изд. л. 10,44 Зак. № СО

Подписано в печать 06.12.84 Бумага книжно-журн. Усл. печ. л. 9,24 Тираж 40 000 экз. Цена 50 к.

Издательство «Радио и связь». 101000 Москва, Почтамт, а/я 693

Ордена Октябрьской Революции и ордена Трудового Красного Знамени Пер­вая Образцовая типография имени Союзполиграфпрома при Государственном комитете СССР по делам издательств, полиграфии и книж­ной торговли. 113054, Москва, М-54, Валовая, 28

OCR Pirat