Разработка микропроцессорной системы для управления объектом (стр. 11 )

Рис. Д.3. Подключение кварцевого генератора

Основные параметры микросхемы памяти M2764А-2F1

Микросхема представляет собой электрически программируемое ПЗУ с УФ стиранием с тремя состояниями выхода. Емкость микросхемы – 8К´8 (65536 бит).

Назначение выводов микросхемы представлено в табл. Е.1.

1

Назначение выводов микросхемы памяти

Обозначение	Функциональное назначение вывода
А0 – А12	Адресные входы
Q0-Q7	Выходы данных
	Выбор микросхемы
	Разрешение выхода
	Программирование
Vpp	Питание в режиме программирования
Vcc	Питание
Vss	Общий вывод

Временная диаграмма в режиме считывания представлена на рис. Е.1.

Рис. Е.1. Временная диаграмма в режиме считывания

Электрические параметры для режима считывания представлены в табл. Е.2.

2

Электрические параметры микросхемы

Динамические параметры микросхемы для режима считывания представлены в табл. Е.3.

3

Динамические параметры микросхемы

Основные параметры микросхемы памяти DS1225AB

Микросхема представляет собой статическое энергонезависимое ОЗУ с тремя состояниями выхода. Имеет встроенный источник питания (литиевая батарейка). Емкость микросхемы – 8К´8 (65536 бит). Число циклов чтения не ограничено. Микросхема имеет низкое потребление и специальный режим управления при отключении основного источника питания.

Назначение выводов микросхемы представлено в табл. Ж.1.

1

Назначение выводов микросхемы памяти

Обозначение	Функциональное назначение вывода
А0 – А12	Адресные входы
DQ0-DQ7	Выходы данных
	Выбор микросхемы
	Разрешение записи
	Разрешение выхода
NC	Не подсоединён
Vcc	Питание
GND	Общий вывод

Временная диаграмма в режиме считывания представлена на рис. Ж.1.

Рис. Ж.1. Временная диаграмма в режиме считывания

Временные диаграммы в режиме записи представлены на рис. Ж.2 и рис. Ж.3.

Рис. Ж.2. Временная диаграмма в режиме записи (СЕ раньше WE)

Рис. Ж.3. Временная диаграмма в режиме записи (WE раньше CE)

Статические параметры в режиме считывания представлены в табл. Ж.2.

2

Статические параметры в режиме считывания

Параметры	Значения параметров
мин.	макс.
Напряжение питания, UCC, В	4,75	5,25
Ток потребления в режиме считывания, ICC, мА	—	85
Ток потребления в режиме хранения, ICCS, мА	—	10
Входное напряжение, В логического 0, UIL логической 1, UIH	0 2,2	0,8 UCC
Выходное напряжение, В логического 0, UOL логической 1, UOH	— 2,4	0,4 —
Выходной ток, мА логического 0, IOL логической 1, IOH	2 -1	— —
Ток утечки, мкА по входу/выходу, ILI	-1	1

Динамические параметры микросхемы представлены в табл. Ж.3.

3

Динамические параметры

Обозн.	Параметр	Значения параметра
мин.	макс.
Режим считывания
tRC	Время цикла чтения, нс	70	—
tACC	Время выборки данных относительно адреса, нс	—	70
tCO	Время выборки данных относительно , нс	—	70
tOE	Время выборки данных относительно , нс	—	35
tOD	Время снятия 3-го состояния относительно , нс	25	—
tOH	Время распространения сигнала от А к DQ , нс	5	—
Режим записи
tWC	Время цикла записи, нс	70	—
tAW	Время предустановки адреса относительно , нс	0	—
tWP	Длительность сигнала , нс	55	—
tOEW	Время удержания данных относительно , нс	5	—
tODW	Время конца третьего состояния относительно сигнала , нс	—	25
tDS	Время предустановки данных, нс	30	—
tDH1 tDH2	Время удержания данных, нс	0 10	—
tWR1 tWR2	Время сохранения адреса относительно сигнала , нс	0 10	—
Емкостные параметры
C­I	Входная ёмкость, пФ	—	10
CL	Ёмкость нагрузки, пФ	—	500