Из диаграммы видно, что данный на выходе МК для записи в ОЗУ полностью удовлетворяют характеристикам ОЗУ.
На микроконтроллер AT89S8252 подается частота равная 6Мгц. Для данной частоты вычислим tCLCL и приведем временные интервалы при считывании из памяти программ.
tCLCL=1/F=1/6000000=166нс
Таблица 5
Временных интервалы при считывании из памяти программ.
Обозначение | Характеристика | Величина | Размерность | |
min | max | |||
1/tCLCL | Частота генератора | 0 | 6 | МГц |
tLHLL | Ширина импульса ALE | 292 | · | нс |
tAVLL | правильной адресации низкого уровня ALE | 153 | · | нс |
tLLAX | задержки адресации после низкого уровня ALE | 146 | · | нс |
tLLIV | низкого уровня ALE к входящей правильной команде | · | 599 | нс |
tLLPL | низкого уровня ALE к Низкому уровню | · | · | нс |
tPLPH | Ширина имульса | · | · | нс |
tPLIV | низкого уровня | · | 453 | нс |
tPXIX | задержки входящей команды после | 0 | · | нс |
tPXIZ | входящей команды с плавающей точкой после | · | 156 | нс |
tPXAV | адресации правильного | 158 | · | нс |
tAVIV | адресации входящей правильной команды | · | 775 | нс |
tPLAZ | адресации низкого уровня | · | 10 | нс |
tRLRH | Ширина имульса | 896 | · | нс |
tWLWH | Ширина имульса | 896 | · | нс |
tRLDV | низкого уровня | · | 740 | нс |
tRHDX | задержки данных после | 0 | · | нс |
tRHDZ | Данные с плавающей точкой после | · | 304 | нс |
tLLDV | низкого уровня ALE к входящим достоверным данным | · | 1178 | нс |
tAVDV | адресации входящих достоверных данных | · | 1329 | нс |
tLLWL | Низкий уровень ALE к низкому уровню | 448 | 548 | нс |
tAVWL | адресации низкого уровня | 589 | · | нс |
tQVWX | перехода правильных данных к | 146 | · | нс |
tQVWH | правильных данных к высокому уровню | 1042 | · | нс |
tWHQX | задержки данных после | 146 | · | нс |
tRLAZ | низкого уровня | · | 0 | нс |
tWHLH | высокого уровня | 146 | 191 | нс |

Рис. 6. Временная диаграмма работы МПС в режиме записи в ОЗУ
Для построения модуля ROM используется микросхема памяти M2764A-2F1 фирмы STMicroelectronics [ 2 ]. Информация о микросхеме, необходимая в данной работе, представлена в Приложении Е «Основные параметры используемой микросхемы M2764-2F1». Эта микросхема представляет собой репрограммируемое ПЗУ со стиранием ультрафиолетовым излучением и имеет организацию 8К слов по 8 бит. Схема модуля ROM приведена на рис. 7.
1. Статика. Блок состоит из:
1. микросхема памяти M2764A-2F1
Входы:BА0-BА12, PSEN
Выходы: BD0-BD7

Рис. 7. Схема электрическая принципиальная модуля ROM
2. Динамика. Блок работает следующим образом:
Микросхема M2764A-2F1 может работать в восьми режимах: считывания, хранения (выходы в 3ем состоянии), программирования, проверки (проверка производится после программирования для того, чтобы убедиться, что биты записаны верно), подавления программирования (применяется при программирования сразу нескольких микросхем, связанных в параллель), паузы, считывания электронного кода производителя и стирания. Модуль запоминающего устройства проектируется с учётом только режимов хранения и считывания. В связи с этим вся необходимая информация должна быть занесена в память микросхемы заблаговременно с помощью программатора. Очевидно, что возможно менять управляющую программу МПС посредством перепрограммирования схем модуля ПЗУ.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 |


