Основные параметры микросхемы АЦП MАX151

Отличительные особенности:

· 10-ти разрядное разрешение и точность;

· Полная некомпенсируемая погрешность 1 LSB (младшего значащего разряда);

· Максимальное время преобразования 2.5 мкс (время фиксации входного сигнала 0.5 мкс);

· Частота дискретизации 300 кГц;

· Встроенный источник опорного напряжения (ИОН) 60 ppm/C;

· Дрейф усиления и смещения 1 ppm/С;

· Встроенный тактовый генератор;

· Напряжения питания 5 В при рассеиваемой мощности 275 мВт;

· Корпуса 24-pin 0.3” DIP и Wide SO;

· ИС тестируется на статические (DC) и динамические параметры.

Описание:

ИС MAX151 является быстродействующим, простым в использовании, совместимым с микропроцессорами, 10-ти разрядным аналого-цифровым преобразователем (АЦП) с функцией выборки/фиксации (T/H). Технология параллельного преобразования позволяет реализовать время преобразования 1.9 мкс при полной некомпенсируемой погрешности, составляющей +1 LSB (макс). Конвертор имеет диапазон напряжения аналогового входного сигнала от 0 В до +5 В и питается от источника 5 В.

ИС MAX151 обеспечивает функцию выборки и фиксации входного аналогового сигнала, исключая необходимость использования внешней системы выборки/фиксации при дискретизации высокоскоростных входных сигналов. Потребляемая мощность ИС MAX151 составляет 275 мВт (тип).

ИС MAX151 непосредственно стыкуется с микропроцессорами, при обеспечении алгоритма обращения, подобного обращению к ячейке памяти, или к I/O порту. Входные сигналы RD и CS (оба - активные низкие) контролируют состояние выходных каскадов АЦП с тремя состояниями. Два режима интерфейса обеспечивают совместимость с большинством популярных микропроцессоров. ИС MAX151 выпускается в корпусах 0.3” DIP и Wide SO.

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

Статические параметры АЦП представлены в табл. И.1.

1

Статические параметры MAX151

Продолжение таблицы И.1

Динамические параметры АЦП представлены в табл. И.2.

2

Динамические параметры МАХ151

Назначение выводов микросхемы представлено в табл. И.3.

3

Назначение выводов микросхемы АЦП

Обозначение

Функциональное назначение вывода

ТР

Тестовый вывод

VREF+

Положительное опорное напряжение

AIN

Аналоговый вход

REFOUT

Выход внутреннего источника опорного напряжения +4 В, обычно подключается к выводу VREF+

Статус АЦП, низкий уровень на этом выводе во время преобразования

DBX

Зарезервированные выводы для будущей версии 12-разрядного АЦП

DB0-DB9

Выходы данных с тремя состояниями

DGND

Цифровая земля

Vss

Отрицательное питание, -5 В

Выбор микросхемы

Чтение, низкий уровень на этом выводе при низком уровне сигнала начинает преобразования

VDD

Положительное питание, +5 В

AGND

Аналоговая земля

VREF-

Источник отрицательного опорного напряжения

Рекомендуемая схема включения АЦП при внешнем источнике опорного напряжения приведена на рис. И.1.

Рис. И.1. Схема включения АЦП с внешним источником опорного напряжения

В данном курсовом проекте используется режим работы АЦП, временная диаграмма которого представлена на рис. И.2.

Рис. И.2. Временная диаграмма работы АЦП

Основные параметры мультиплексора МАХ309

Данная микросхема представляет собой сдвоенные 4-канальные аналоговые CMOS мультиплексоры.

Отличительные особенности:

· Гарантированный разброс сопротивлений открытых каналов <5 Ом (максимум);

· Низкое сопротивление открытого канала, <100 Ом (максимум);

· Гарантированная неравномерность сопротивления в рабочем диапазоне сигналов, 7 Ом (максимум);

· Гарантированная инжекция заряда, <10 пКл;

· INO(OFF) утечка <5 нА при +85°C;

· ICOM(OFF) утечка <20 нА при +85°C;

· Электростатическая (ESD) защита >2000 В;

· Совместимый по выводам апгрейд стандартных ИС DG408/DG409/DG508A/DG509A;

· Униполярное питание (от +4.5 В до +30 В);

· Биполярное питание (от ±4.5 В до ±20 В);

· Низкое энергопотребление, <300 мкВт;

· Сигналы с размахом от шины-до-шины питания;

· Совместимость с логическими уровнями TTL/CMOS.

Области применения:

· Цепи выборки и фиксации сигнала;

· Тестовое оборудование;

· Системы наведения и управления;

· Военные радиоустройства;

· Коммуникационные системы;

· Оборудование с автономным питанием;

· Автоматические телефонные станции/коммутаторы;

· Маршрутизация аудиосигналов.

Назначение выводов микросхемы представлено в табл. К.1.

1

Назначение выводов микросхемы

Обозначение

Функциональное назначение вывода

А0, А1

Адресные входы вывод

EN

Вход выбора микросхемы

V-

Вход источника отрицательного напряжения

NO1A-NO4A

Аналоговые входы

COMA, СОМВ

Аналоговые выходы

NO4B-NO1B

Аналоговые входы

V+

Вход источника положительного напряжения

GND

Аналоговая земля

Электрические параметры микросхемы представлены в табл. К.1.

1

Статические параметры MAX309

Динамические параметры мультиплексора представлены в табл. К.2.

2

Динамические параметры MAX309

Основные параметры источника опорного напряжения REF198

Особенности:

· Исходная точность: ±2 мВ (максимум);

· Температурный коэффициент: 5 ppmC (максимум);

· Низкий ток потребления: 45 μА (максимум);

· Режим сна: 15 μA (максимум);

· Низкое падение напряжения;

· Управление выходным напряжением, питающим нагрузку: 4 ppm/мА;

· Изменение выходного напряжения при изменении входного: 4 ppm/В;

· Выходной ток высокого уровня: 30 мА;

· Защита от короткого замыкания.

Области применения:

· Портативные устройства;

· АЦП и ЦАП;

· «Умные» датчики;

· Возможность использования на солнечных батареях;

Источник опорного напряжения REF198 использует запатентованную цепь коррекции искажений в результате дрейфа температуры и лазерную сварку высокостабильных резисторов для достижения низкого температурного коэффициента и высокой точности. REF198 состоит из устройств с низким падением напряжения, обеспечивающих стабильное выходное напряжение, всего на 100 мВ отличающееся от напряжения питания. Ток потребления этих устройств меньше тока потребления питания. В режиме сна, который достигается подачей низкого ТТЛ или КМОП уровней на вывод SLEEP, выход отключается и ток потребления сокращается до 15 мкА.

REF198 может работать в температурном диапазоне от −40°C до +125°C. Выпускается в 8-выводном корпусе SOIC_N.

Электрические параметры микросхемы представлены в табл. Л.1.

1

Параметры REF198

Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17