Комплект контрольно-измерительных материалов по учебной дисциплине ОП.03. Электротехника и электроника (стр. 36 )

Содержание отчета

1 Тема и цель занятия.

2 Оборудование.

3 Таблицы с характеристиками и особенностями приборов.

4 Вывод о проделанной работе.

Контрольные вопросы

1  Назовите систему тока, в которой могут работать приборы магнитоэлектрической и электромагнитной систем.

2  Поясните, почему у приборов электромагнитной системы неравномерная шкала.

3  Что используют у приборов магнитоэлектрической системы для защиты от внешних магнитных полей?

4  Дайте определение равномерной шкале.

5  Укажите назначение корректора у прибора.

6  Назовите устройства, с помощью которых расширяют предел измерения приборов магнитоэлектрической системы.

7  Объясните, что показывает класс точности прибора.

8  Поясните, какая система приборов точнее и почему.

Лабораторная работа №13

Исследование работы выпрямительного диода

Цель: исследовать работу диода на прямом и обратном напряжении.

Оборудование: выпрямительный диод, миллиамперметр, вольтметр, потенциометр, соединительные провода.

Краткие теоретические сведения

Полупроводниковый выпрямительный диод предназначен для преобразования переменного тока в постоянный. Он представляет собой прибор с одним p-n-переходом и двумя выводами. Вывод из зоны типа p называется анодом, а вывод из зоны типа n – катодом.

 

Рисунок 13.1 – Схематичное изображение выпрямительного диода

При подключении диода на прямое напряжение («плюс» источника к аноду, «минус» к катоду) сопротивление p-n-перехода диода становится минимальным, диод открыт. При подключении диода на обратное напряжение («плюс» источника к катоду, «минус» к аноду) сопротивление p-n-перехода диода становится максимальным, диод заперт.

Основной характеристикой выпрямительного диода является вольт-амперная характеристика (рисунок 13.2)

Вольт-амперная характеристика имеет прямую ветвь (зависимость прямого тока от прямого напряжения) и обратную ветвь (зависимость обратного тока от обратного напряжения).

Iпр, мА

Uобр, В

Uпр, В

Iобр, мА

Рисунок 13.2 – Вольт-амперная характеристика диода

Порядок выполнения работы

1 Собрать цепь согласно рисунку 13.3.

+12 В/15 В

RР

VD

Рисунок 13.3 – Схема включения диода

2 Изменяя напряжение на выходе потенциометра измерить напряжение Uпр и ток Iпр для прямой ветви вольтамперной характеристики. Результаты измерений занести в таблицу 13.1.

Таблица 13.1 - Результаты измерений

Прямое включение	Uпр, В
Iпр, мА
Обратное включение	Uобр, В
Iобр, мА

3 Изменяя напряжение на выходе потенциометра измерить напряжение Uобр и ток Iобр для обратной ветви вольтамперной характеристики. Результаты измерений занести в таблицу 13.1.

4 По результатам измерений в масштабе построить вольтамперную характеристику диода.

5 Дать письменные ответы на вопросы:

-объясните вентильное свойство диода;

-объясните, как изменяется сопротивление диода при включении его на прямое и обратное напряжение;

-почему диод является нелинейным элементом электрической цепи?

6 Сделать заключение о работе диода на основе построенной вольтамперной характеристики.

Содержание отчета

1 Тема и цель занятия.

2 Оборудование.

3 Схема электрической цепи.

4 Таблица результатов измерений.

5 Графическая часть, содержащая вольтамперную характеристику.

6 Письменные ответы на вопросы.

7 Вывод о проделанной работе.

Контрольные вопросы

1 Дайте определение и укажите назначение выпрямительного диода.

2 Объясните вентильное свойство p-n - перехода.

3 Назовите электроды диода.

Лабораторная работа №14

Исследование работы транзистора

Цель: исследовать работу биполярного транзистора.

Оборудование: транзистор, потенциометры, резисторы, миллиамперметры, вольтметр, мультиметр, соединительные провода.

Краткие теоретические сведения

Транзистором называется полностью управляемый полупроводниковый трехэлектродный прибор, предназначенный для усиления, генерирования или преобразования электрических сигналов и переключения электрических импульсов в схемах. Он представляет собой кристалл со структурой p-n-p или n-p-n (рисунок 14.1) с тремя выводами, связанными с тремя слоями (областями). Средний слой кристалла служит основой для образования электронно-дырочных переходов и называется базой Б. Один наружный слой, который является источником носителей зарядов – электронов или дырок, называется эмиттером Э (эта область главным образом и создает ток прибора), а другой слой, принимающий инжектированные носители заряда, – коллектором К.

n-p-n

p-n-p

 

 

Рисунок 14.1 – Структура биполярных транзисторов

Свойства транзисторов определяются по их вольт-амперным характеристикам: семейству статических входных (рисунок 14.2, а) и семейству статических выходных (рисунок 14.2, б).

Uк

б)

а)