Результаты и их обсуждение
1. Геометрия комплексов
Изучаемые структуры (молекулярные графы) комплексов приведены на рис. 1, чис-ленные результаты приведены в табл. 1.
Длина связи Se…M в комплексах с разными партнерами в большой мере зависит от несвязывающих радиусов атомов и потому не отражает порядка прочности комплексов.
Интересным образом меняются длины связей Se–C: длина этой связи в комплексе с трибромидом алюминия немного (на 0.0014 Å) больше, чем в изолированной молекуле (то же обнаруживается у водородных связей), в комплексе с диметилцинком она лишь немного – на 0.0006 Å – короче, чем в изолированной молекуле, и сильно короче в комплексах с соединениями бора (Δl = 0.0036 Å в II и Δl = 0.0054 Å в III). Мы предполагаем, что здесь, как и в комплексах с иодом, длина связи Se–C определяется в значительной степени конкуренцией электростатического притяжения атомов селена и углерода и ковалентностью данной связи. В случае комплекса с трибромидом алюминия меньший перенос заряда (см. ниже) и бóльшая поляризация связи Se–C большим положительным зарядом алюминия (q(Al) = 2.208 ē) приводит к увеличению заселенности атома селена (заряд падает с 0.177 ē в изолированной молекуле до 0.064 ē в комплексе I), уменьшению электростатического притяжения атомов Se и С и удлинению связи. Большой перенос заряда, наблюдаемый в комплексах II и III, и меньший заряд бора (q(B) = 1.403 ē в BBr3), напротив, приводят к сильному повышению заряда атома селена (до 0.328 ē в комплексе III) и усилению электростатического притяжения атомов, составляющих связь Se–С. Малое возмущающее действие диметилцинка не приводит к существенным изменением длины связи Se–С. В порядке изменения прочности комплексов угол C–Se–C уменьшается, приближаясь к своему значению в изолированной молекуле диметилселенида (97.2 градусов).
Длины М–R связей в комплексах растут по сравнению с изолированными молекулами в следующем порядке Zn(CH3)2 > BF3 > AlBr3 > BBr3. Несовпадение данного ряда с рядом падения прочности комплексов может быть связано с различиями в природе этих взаимо-действий.

Рис. 1. Структуры исследованных комплексов с v-акцепторами
Табл. 1. Энергетические характеристики комплексообразования, в ккал/моль,
и некоторые геометрические характеристики комплексов (CH3)2Se…MRn,
где M = Al, B, Zn и R = F, Br, CH3 (длины связей в Å, углы в градусах)
Акцептор: | AlBr3 (I) | BF3 (II) | BBr3 (III) | Zn(CH3)2 (IV) |
BSSE | 1.04 | 1.09 | 1.11 | 0.23 |
ΔE0comp | -19.77 | -4.38 | -6.29 | -1.26 |
ΔH298comp | -19.33 | -4.06 | -5.98 | -0.56 |
ΔG298comp | -7.90 | 6.36 | 6.56 | 8.23 |
l (Se–C) | 1.9710 | 1.9660 | 1.9643 | 1.9690 |
l (Se…M) | 2.5757 | 2.4432 | 2.1765 | 3.2206 |
l (M–R)а | 2.3025 | 1.3565 | 2.0088 | |
l (M–R)б | 2.2929 | 1.3510 | 2.0107 | 1.9697 |
l (M–R)в | 2.2459 | 1.3177 | 1.9154 | 1.9578 |
α (C–Se–C) | 98.7 | 98.1 | 98.1 | 97.7 |
α (C–Zn–C) | 169.6 | |||
Δα (MRn)г | 12.3 | 9.5 | 19.5 | 10.4д |
а Длина М–R связи в комплексе, направленной по биссектрисе между метильными группами диметилселенида; б Длины М–R связей в комплексе, направленных по обе стороны от плоскости, содержащей биссектрису угла между метильными группами диметилселенида
и атом металла; в Длины М–R связей в изолированной молекуле; г Отклонение суммы трех углов при боре или алюминии от 360 градусов; д Отклонение угла C–Zn–C от 180 градусов.
При образовании комплекса происходят искажения структуры электроноакцептора: атомы галогенов в соединениях алюминия и бора выходят из плоскости молекулы, тяжелые атомы молекулы диметилцинка перестают лежать на одной прямой. Эти искажения в случае соединений трехкоординированного металла можно охарактеризовать отклонением суммы углов при атоме бора или алюминия от 360 градусов; для молекулы диметилцинка – угла C–Zn–C от 180 градусов. Наибольшие искажения структуры электроноакцептора при комплексообразовании обнаруживаются в трибромиде бора, фрагмент трибромида алюминия отклоняется от плоскости несколько меньше. Эти изменения и удлинение связи М–Br, скорее всего, связаны с усилением отталкивания между доменами связывающих электронных пар с доменом завязывающейся связи Se…M.
2. Энергетика комплексообразования
Энергия и энтальпия комплексообразования диметилселенида с исследуемыми электроноакцепторами падает в ряду AlBr3 > BBr3 > BF3 > Zn(CH3)2. Прочность комплексов (энтальпия комплексообразования) в использованном методе расчета недооценивается по сравнению с экспериментальными значениями. Особенно сильно расчеты занижают прочность комплексов с бором. Определенный вклад в расхождение экспериментальных и теоретических данных может внести различие в длине алкильных заместителей при атоме селена, однако это влияние, в основном, не превышает 0.5 ккал/моль [15]. Экспериментальный порядок прочности комплексов полностью воспроизводится.
3. Топологические характеристики комплексов
Характеристики критических точек некоторых связей в комплексах, молекулярные графы которых приведены на рис. 1, собраны в табл. 2. Топология распределения электрон-ной плотности свидетельствует о большой прочности комплексов с участием льюисовских кислот, за исключением комплекса диметилцинка с диметилселенидом.
Табл. 2. Характеристики критических точек фрагмента X…Y в комплексах
селеноорганических производных с v-акцепторами, а также индексы делокализации
электронов между соответствующими атомами, все величины в а. е.
Комплекс | X | Y | ρ(r) | Ñ2ρ(r) | ε(r) | G(r) | V(r) | he(r) | G(r) V(r) | DI |
I | Se… | Al | 0.042 | 0.073 | 0.005 | 0.0309 | -0.0436 | -0.0127 | 0.7089 | 0.243 |
H… | Br | 0.005 | 0.016 | 2.514 | 0.0032 | -0.0023 | 0.0009 | 1.3737 | 0.033 | |
Al– | Br | 0.061 | 0.181 | 0.017 | 0.0628 | -0.0804 | -0.0176 | 0.7806 | 0.391 | |
II | Se… | B | 0.053 | -0.010 | 0.011 | 0.0170 | -0.0364 | -0.0194 | 0.4668 | 0.228 |
B– | F | 0.185 | 0.990 | 0.038 | 0.3688 | -0.4902 | -0.1214 | 0.7524 | 0.391 | |
III | Se… | B | 0.092 | -0.119 | 0.001 | 0.0219 | -0.0734 | -0.0515 | 0.2980 | 0.584 |
H… | Br | 0.007 | 0.024 | 1.752 | 0.0048 | -0.0036 | 0.0012 | 1.3476 | 0.040 | |
B– | Br | 0.117 | -0.206 | 0.000 | 0.0362 | -0.1239 | -0.0877 | 0.2920 | 0.743 | |
IV | Se… | Zn | 0.015 | 0.036 | 0.225 | 0.0088 | -0.0086 | 0.0002 | 1.0202 | 0.168 |
Zn– | СН3 | 0.109 | 0.186 | 0.001 | 0.0875 | -0.1284 | -0.0409 | 0.6814 | 0.812 |
Электронная плотность в критических точках связи Se…M существенно превышает аналогичную величину в связях Se…I (0.027-0.033 ē·Bh-3) и особенно – Se…H (0.014-0.020 ē·Bh-3). Наиболее велика ρ(r) в критической точке связи Se…M комплекса диметилселенида с трибромидом бора (III). В комплексе с трифторидом бора (II) величина ρ(r) в критической точке связи Se…B существенно (почти в 2 раза) меньше, чем в комплексе III. Величина электронной плотности в критической точке Se…Al связи приближается к значениям, характерным для связей Se…I.
Для наиболее слабого комплекса c диметилцинком (IV) электронная плотность в критической точке связи Se…Zn весьма мала и попадает в область значений, характерных для ван-дер-ваальсовых комплексов, согласно критериям Наканиши-Хаяши-Нарахара [31, 32]. Эта величина даже меньше, чем в комплексах селенидов с водородными связями. Анализ других характеристик (лапласиана электронной плотности, плотности электронной энергии, отношения {-G(r)/V(r)}) также свидетельствует о том, что связь Se…Zn относится к взаимодействиям закрытых оболочек и, согласно всем критериям Наканиши-Хаяши-Нарахара [32], образование комплекса можно считать следствием преимущественно ван-дер-вааль-совых взаимодействий между его компонентами. Однако величина индекса делокализации электронов в пределах связи Se…Zn свидетельствует о том, что обменно-корреляционная составляющая энергии взаимодействия достаточно велика. Малая суммарная энергия взаимодействия может быть объяснена большой ролью электростатического отталкивания между атомами селена и цинка.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 |


